碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區

功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考

4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會(huì )社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠(chǎng)的奠基儀式。該工廠(chǎng)是其主要的分立半導體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一階段的生產(chǎn)計劃在2024財年內開(kāi)始。東芝還將在新工廠(chǎng)附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節，布局完成后將形成：外延設備+外
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優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動(dòng)

在高壓開(kāi)關(guān)電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現高頻（數百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開(kāi)關(guān)性
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三次油電平價(jià) 促成中國電動(dòng)市場(chǎng)的大爆發(fā)

大家應該還記得，當遭受?chē)a退坡重創(chuàng )的電動(dòng)汽車(chē)于2019-2020年間慢慢恢復元氣，開(kāi)始走出國補退坡的陰影時(shí)，市面上開(kāi)始出現了一些在性能上追平甚至超越傳統燃油車(chē)的電動(dòng)汽車(chē)，當時(shí)的電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)呈現出來(lái)的是典型的啞鈴型結構：便宜的A00級車(chē)型和30萬(wàn)以上的高端車(chē)型（包括部分B級車(chē)和C級車(chē)）賣(mài)得很好，但在10-30萬(wàn)的主流區間，電動(dòng)車(chē)企的表現一直比較慘淡。這種市場(chǎng)格局在2016-2021國內乘用車(chē)分級別電動(dòng)化率走勢圖上一展無(wú)遺，歷時(shí)五年的時(shí)間，A00車(chē)已經(jīng)達到了90%以上的滲透率。這兩年來(lái)，市場(chǎng)格局風(fēng)云變幻，正如歐
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特斯拉虛晃一槍?zhuān)蓟韪咚龠~進(jìn)

被稱(chēng)為“未來(lái)十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著(zhù)華為發(fā)布SiC電驅平臺再被關(guān)注，在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風(fēng)暴下，業(yè)界在一次次的探討中，逐步廓清了碳化硅未來(lái)使用的信心與前景。華為的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局近日華為舉辦了智能電動(dòng)新品發(fā)布會(huì )，并發(fā)布了聚焦動(dòng)力域的“DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺”以及“新一代全液冷超充架構”的充電網(wǎng)絡(luò )解決方案。其中，DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺主要包括面向B/B+級純電、B/B+級增程混動(dòng)，以及A級純電車(chē)型動(dòng)力總成解決方案，目標是不斷提升整車(chē)度電里程和升油里程
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ROHM開(kāi)發(fā)出超低導通電阻的Nch MOSFET

新推出40V～150V耐壓的共13款產(chǎn)品，非常適用于工業(yè)設備電源和各種電機驅動(dòng)全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產(chǎn)品非常適合驅動(dòng)以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務(wù)器用的電源、工業(yè)和消費電子設備用的電機等。近年來(lái)，全球電力需求量持續增長(cháng)，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務(wù)器等工業(yè)設備的工作
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特斯拉降低造車(chē)成本，國內新能源車(chē)企如何實(shí)現“價(jià)格戰”突圍？

在國內新能源車(chē)市場(chǎng)，特斯拉稱(chēng)得上是最大的“鯰魚(yú)”，一舉一動(dòng)總能攪動(dòng)起不小的“水花”。近日，“鯰魚(yú)”特斯拉在其投資者活動(dòng)日上公開(kāi)了備受期待的“秘密宏圖第三篇章（Master Plan Part 3）”，其中一句“下一代平臺將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關(guān)板塊，引發(fā)A股碳化硅中的個(gè)股集體跳水。近兩年，碳化硅在新能源汽車(chē)中占據著(zhù)重要位置，相關(guān)概念在資本市場(chǎng)上也一度受到熱捧，更具戲劇性的是，特斯拉正是推動(dòng)碳化硅上車(chē)的“先驅”。如今，特斯拉對碳化硅的態(tài)度出現180度大反轉，背后的真實(shí)意圖是什么？將會(huì )對國內新能
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采埃孚、意法半導體簽下碳化硅模塊供應長(cháng)約

據外媒報道，知名汽車(chē)電子廠(chǎng)商采埃孚（ZF）近日宣布將從意法半導體(ST)采購碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據報道涉及供應數量達數百萬(wàn)的SiC模塊。報道稱(chēng)，到2030年，采埃孚在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的訂單總額預計將超過(guò)300億歐元，公司高管Stephan von Schuckmann表示，為了應對蓬勃增長(cháng)的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供應商?！霸? 意法半導體，我們現在找到了這樣一家供應商，其在復雜系統方面的經(jīng)驗符合我們的要求，最重要的是，該供應商能夠以極高質(zhì)量和所需數量生產(chǎn)模塊?！币夥ò雽w汽車(chē)和分立
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頭部企業(yè)再簽供貨長(cháng)約，全球碳化硅市場(chǎng)高速成長(cháng)

據外媒報道，近日，德國汽車(chē)Tier-1廠(chǎng)商采埃孚（ZF）和功率半導體廠(chǎng)商意法半導體（ST）共同發(fā)布新聞稿稱(chēng)，雙方簽訂了車(chē)用碳化硅多年采購合同。根據合同條款，采埃孚將自2025年起向ST采購數千萬(wàn)顆第三代SiC MOSFET器件，滿(mǎn)足汽車(chē)逆變器對車(chē)規級SiC器件在量和質(zhì)上的需求。采埃孚將于2025年量產(chǎn)新型模塊化逆變器架構，這些SiC器件將集成到該平臺中。截至目前，采埃孚的在手訂單（到2023年）金額總計超過(guò)300億歐元（約合人民幣2274億元），其中一個(gè)汽車(chē)逆變器訂單來(lái)自歐洲一家車(chē)企，該車(chē)企計劃2025年
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碳化硅風(fēng)頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢待發(fā)

近期，媒體報道進(jìn)化半導體完成近億元人民幣融資。據悉，進(jìn)化半導體是以國際首創(chuàng )無(wú)銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業(yè)，創(chuàng )立于2021年5月，專(zhuān)注于以創(chuàng )新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料。稍早之前，鎵仁半導體宣布完成數千萬(wàn)天使輪融資。該公司是一家專(zhuān)注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的科技型企業(yè)。為滿(mǎn)足日益增長(cháng)的多元需求，半導體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導體
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汽車(chē)結構性缺芯國產(chǎn)碳化硅功率半導體有望四季度“上車(chē)”

4月7日，中國汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟功率半導體分會(huì )在長(cháng)沙成立，將加快汽車(chē)功率芯片的國產(chǎn)化。在成立大會(huì )暨汽車(chē)功率芯片發(fā)展研討會(huì )期間，第一財經(jīng)記者獲悉，汽車(chē)結構性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來(lái)機會(huì )，降本提質(zhì)是國產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導體“上車(chē)”的關(guān)鍵；三安光電用于電動(dòng)車(chē)主驅的碳化硅功率半導體有望今年四季度正式“上車(chē)”?！　∑?chē)結構性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來(lái)機會(huì )　　有行業(yè)專(zhuān)家向第一財經(jīng)記者表示，一輛電動(dòng)車(chē)如果前驅與后驅都用功率半導體，功率半導體約占電機控制器的成本50%。奇瑞汽車(chē)研發(fā)總院芯片規劃總監郭宇輝告訴第一財經(jīng)記者
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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET

【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿(mǎn)足工業(yè)馬達驅動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動(dòng)車(chē) (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時(shí)維持低導
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貿澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

2023年4月12日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可為能源基礎設施和工業(yè)驅動(dòng)應用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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基于Infineon S7 MOSFET 主動(dòng)式電源整流方案

因應日趨嚴苛的能源效率規范，特別是像server power的應用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應用場(chǎng)合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對高輸出功率的產(chǎn)品設計。S7系列MOSFET應用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統效率，與傳統bridge diode相比，在230Vac輸入時(shí)在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時(shí)在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
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同時(shí)實(shí)現業(yè)內出色低噪聲特性和超快反向恢復時(shí)間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品，非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅動(dòng)。近年來(lái)，全球電力供應日趨緊張，這就要求設備要更加節能。據了解，電機所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機驅動(dòng)中擔負功率轉換工作的逆變電路，越來(lái)越多地開(kāi)始采用高效率MOSFET。另一方面，針對使用MOSFET時(shí)所產(chǎn)生的噪聲，主要通過(guò)添加部件和改變
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SiC MOSFET的短溝道效應

Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家帶來(lái)更多有價(jià)值的信息。今天我們著(zhù)重看下第一部分——短溝道效應。Si IGBT/MOSFET與SiC MOSFET，盡
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