英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

數據中心和計算應用對電源的需求日益增長(cháng)，需要提高電源的效率并設計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司順應系統層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率。

該半導體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源極底置（Source-Down）封裝，標準門(mén)級和門(mén)級居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產(chǎn)品組合還包含穩定可靠的超小型的PQFN 2 x 2 mm2封裝。OptiMOS? 7 15 V技術(shù)專(zhuān)為低輸出電壓下的DC-DC轉換定制，尤其適合服務(wù)器和計算環(huán)境。這項先進(jìn)技術(shù)符合數據中心配電中出現的48:1 DC-DC轉換的新趨勢。

OptiMOS 7功率MOSFET

與現有的OptiMOS5 25 V相比，全新OptiMOS? 7 15 V通過(guò)降低擊穿電壓，將 RDS(on) 和FOM Qg減少了約30%，并將FOM QOSS減少了約50%。PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置封裝型號提供更靈活優(yōu)化的PCB設計。PQFN 2 x 2 mm2封裝的脈沖電流能力超過(guò)500 A，典型RthJC為1.6 K/W。通過(guò)最大程度地減少傳導和開(kāi)關(guān)損耗并采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，實(shí)現了簡(jiǎn)化散熱管理，樹(shù)立了功率密度和整體效率的新標桿。

供貨情況

OptiMOS 7 15 V產(chǎn)品組合現已開(kāi)放訂購并提供兩種封裝尺寸：PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置封裝和PQFN 2 x 2 mm2封裝。