碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區

高性能 SiC MOSFET 技術(shù)裝置設計理念

合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。圖 1：必須與 SiC MOSF
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全球SiC爭霸賽，誰(shuí)在豪擲千金？

“能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國家，將能夠改變游戲規則，擁有SiC將對美國具有深遠的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪(fǎng)時(shí)坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導的工程研究人員從美國國家科學(xué)基金（NSF）獲得了1787萬(wàn)美元的資助，用于在阿肯色大學(xué)開(kāi)始建設一個(gè)國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓和教育，以達到鼓勵美國新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，能夠讓美國大學(xué)，企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長(cháng)期
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英飛凌高壓超結MOSFET系列產(chǎn)品新增工業(yè)級和車(chē)規級器件

【2023年7月27日，德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開(kāi)關(guān)應用中，電源設計側重于最大程度地降低導通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現緊湊輕便的系統設計，同時(shí)以低成本實(shí)現高質(zhì)量。為滿(mǎn)足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、太陽(yáng)能系統、電池保護、固態(tài)繼電器（SSR）、電機啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器
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如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動(dòng)？這款I(lǐng)C方案推薦給您

在高壓開(kāi)關(guān)電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現高頻（數百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
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ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務(wù)器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動(dòng)用驅動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來(lái)，為了實(shí)現可持續發(fā)展的社會(huì )，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實(shí)現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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安森美與博格華納擴大碳化硅戰略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元

2023年7月19日--智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創(chuàng )新可持續的車(chē)行方案的全球領(lǐng)先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(cháng)期以來(lái)，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開(kāi)展戰略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆變器安森美提供高性能的 Elit
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碳化硅如何最大限度提高可再生能源系統的效率

全球范圍內正在經(jīng)歷一場(chǎng)能源革命。根據國際能源署的報告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長(cháng)量的大約 95%。太陽(yáng)能將占到這 95% 中的一半以上。如今，在遠大的清潔能源目標和政府政策的驅動(dòng)下，太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē) (EV) 基礎設施和儲能領(lǐng)域不斷加快采用可再生能源?？稍偕茉吹闹饾u普及也為在工業(yè)、商業(yè)和住宅應用中部署功率轉換系統提供了更多機會(huì )。采用碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件，可幫助設計人員平衡四大性能指標：效率、密度、成本和可靠性。SiC 相比傳統基于 IGBT 的電源應用在可再生能源系統中的優(yōu)
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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應用中，發(fā)揮著(zhù)開(kāi)關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為?！伴_(kāi)”開(kāi)關(guān)運行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開(kāi) "開(kāi)關(guān)的功率MOSFET，稱(chēng)為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應用中，發(fā)揮著(zhù)開(kāi)關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車(chē)載充電器升級到 800V 電池架構

自電動(dòng)汽車(chē) (EV) 在汽車(chē)市場(chǎng)站穩腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿(mǎn)足客戶(hù)需求和延長(cháng)行駛里程，電動(dòng)汽車(chē)制造商不斷增加車(chē)輛的電池容量。然而，電池越大，意味著(zhù)充電的時(shí)間就越長(cháng)。最常見(jiàn)的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對電動(dòng)汽車(chē)的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無(wú)法在一整夜后就為電動(dòng)汽車(chē)充滿(mǎn)電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車(chē)配備的是較低功率的車(chē)載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì )成為
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 車(chē)載充電器

安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車(chē)載充電器升級到800V電池架構

自電動(dòng)汽車(chē) (EV) 在汽車(chē)市場(chǎng)站穩腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿(mǎn)足客戶(hù)需求和延長(cháng)行駛里程，電動(dòng)汽車(chē)制造商不斷增加車(chē)輛的電池容量。然而，電池越大，意味著(zhù)充電的時(shí)間就越長(cháng)。最常見(jiàn)的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對電動(dòng)汽車(chē)的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無(wú)法在一整夜后就為電動(dòng)汽車(chē)充滿(mǎn)電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車(chē)配備的是較低功率的車(chē)載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì )成為
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動(dòng)器使用指南

SiC MOSFET 在功率半導體市場(chǎng)中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問(wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達到非常有吸引力的水平。隨著(zhù)市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶(hù)充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅動(dòng)條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動(dòng)器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP517
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具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術(shù)

碳化硅（SiC）技術(shù)具有比傳統的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術(shù)具有更多優(yōu)勢，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統（ESS）上的應用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。大幅降低儲能系統成本與提升效率的SiC技術(shù)當前的SiC技術(shù)已經(jīng)相當成熟，可以適用在從千瓦到兆瓦功率的工業(yè)應用范圍中，影響了能源、工業(yè)和汽車(chē)等眾多領(lǐng)域。由于SiC器件運作時(shí)的溫度較低，及較小的
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Nexperia擴充N(xiāo)extPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列

奈梅亨，2023年6月21日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布擴充N(xiāo)extPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開(kāi)關(guān)電源、快充、USB-PD和電機控制應用。長(cháng)期以來(lái)，品質(zhì)因數Qg*RDSon一直是半導體制造商提高M(jìn)OSFET開(kāi)關(guān)效率的重點(diǎn)。然而，一味地降低該品質(zhì)因數導致產(chǎn)生了意外后果
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228億涌入國內碳化硅賽道

三安光電與意法半導體 32 億美元合資建廠(chǎng)。
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采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點(diǎn)

近年來(lái)，為了更好地實(shí)現自然資源可持續利用，需要更多節能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規定應運而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過(guò)改良設計提高了能效和功率密度。逆變焊機通常是通過(guò)IGBT功率模塊解決方案設計來(lái)實(shí)現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進(jìn)持續發(fā)展的推動(dòng)力。譬如，多個(gè)標準法規已經(jīng)或即將強制規
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