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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
意法半導體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠(chǎng)
- 12月1日消息，近日，據外媒報道，意法半導體（STMicroelectronics）將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅、超級半導體晶圓廠(chǎng)。該晶圓廠(chǎng)將專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)碳化硅芯片，為電動(dòng)車(chē)關(guān)鍵技術(shù)并具強大成長(cháng)潛力。報道稱(chēng)，此舉是意法半導體繼與格芯在法國東南部Crolles的75億歐元晶圓廠(chǎng)計劃后為平衡集團在意法兩國布屬所為。值得一提的是，今年6月，意法半導體宣布將與三安光電在中國重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)，預計2025年第四季度投產(chǎn)，預計到2030年碳化硅收入將超過(guò)50億美元。
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 ST 格芯 晶圓廠(chǎng) 碳化硅 電動(dòng)車(chē)
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應用的安全性、穩健性和可靠性標準
- 奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿(mǎn)足電動(dòng)
- 關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開(kāi)關(guān)
英飛凌已開(kāi)始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片
- 11月28日消息，據外媒報道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動(dòng)力部門(mén)（GIP）總裁Peter Wawer在受訪(fǎng)時(shí)透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠(chǎng)生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠(chǎng)制備了第一批8英寸晶圓機械樣品，很快將它們轉化為電子樣品，并將在2030年之前大規模量產(chǎn)應用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過(guò)大幅擴建其Kulim工廠(chǎng)（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱(chēng)，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠(chǎng)SiC（碳化硅）功率工廠(chǎng)。值得一提的是該計劃
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 碳化硅 晶圓
Omdia：人工智能將在電動(dòng)汽車(chē)革命中超越下一代半導體
- 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著(zhù)Omdia預測電動(dòng)汽車(chē) (EV) 革命將引發(fā)新型半導體激增，電力半導體行業(yè)的幾十年舊規范正面臨挑戰。人工智能熱潮是否會(huì )產(chǎn)生類(lèi)似的影響？功率分立器件、模塊和IC預測Omdia半導體元件高級分析師卡勒姆·米德?tīng)栴D表示：“長(cháng)期以來(lái)依賴(lài)硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設備的挑戰和推動(dòng)。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開(kāi)發(fā)始于上個(gè)世紀，但它們的技術(shù)成熟度與可持續發(fā)展運動(dòng)相匹配，新材料制造的設備在能源匱乏的世界中有著(zhù)顯著(zhù)的效率提升?！?018 年，特斯拉首次
- 關(guān)鍵字： 新能源 氮化鎵 碳化硅
Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰略合作伙伴關(guān)系
- Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿(mǎn)足對高效分立式功率半導體快速增長(cháng)的需求。三菱電機的功率半導體產(chǎn)品有助于客戶(hù)在汽車(chē)、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領(lǐng)域實(shí)現大幅節能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線(xiàn)列車(chē)采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
- 關(guān)鍵字： Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET
氮化鎵取代碳化硅，從PI開(kāi)始？
- 在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著(zhù)提升，但是如何定量分析這三類(lèi)產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓經(jīng)理Jason Yan日前結合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細解釋了三類(lèi)產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對于三種產(chǎn)品未來(lái)的判斷，同時(shí)還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點(diǎn)及優(yōu)勢。在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
- 關(guān)鍵字： PI 氮化鎵 碳化硅
了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻
- 分立 MOSFET 數據表中重要的規格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫(xiě)為 R DS (on)。這個(gè) R DS (on)想法看起來(lái)非常簡(jiǎn)單：當 FET 處于截止狀態(tài)時(shí)，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設電流為零。當 FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過(guò)閾值電壓 (V TH ) 時(shí)，它處于“導通狀態(tài)”，漏極和源極通過(guò)電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的實(shí)際電氣行為，您應該很容易認識到該模型與事實(shí)不符。首先，FET 并不真正具有“導通狀態(tài)”。當未處于截止狀態(tài)時(shí)（我們在此
- 關(guān)鍵字： MOSFET 通態(tài)漏源電阻
東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護
- 中國上海，2023年11月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。 截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)重點(diǎn)聚焦于12V產(chǎn)品，主要用于智能手機鋰離子電池組的保護。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設備電源線(xiàn)路的負載開(kāi)關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護。&nbs
- 關(guān)鍵字： 東芝 N溝道共漏極 MOSFET
Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊
- 奈梅亨，2023年11月6日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布與國際著(zhù)名的先進(jìn)電子器件供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設計的高頻電源應用，以滿(mǎn)足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長(cháng)期以來(lái)保持的緊密合作關(guān)系。 制造商對下一代功率應用的關(guān)鍵需求是節省空間和減輕
- 關(guān)鍵字： Nexperia KYOCERA 功率應用 650 V 碳化硅 整流二極管
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&先之科半導體科技（東莞）有限公司
- 先之科半導體科技（東莞）有限公司于2018年成立，旗下子公司先科電子于1991年就開(kāi)始專(zhuān)注于半導體分立器件研發(fā)及銷(xiāo)售，在半導體行業(yè)闖蕩了32年。作為一家成熟的半導體企業(yè)，先之科擁有占地60畝的生產(chǎn)基地，超過(guò)1400名員工，保證了其1.8億只的日產(chǎn)能，讓其旗下產(chǎn)品可以出現在任何需要它們的地方。今天展會(huì )之上，先之科為我們帶來(lái)了豐富的產(chǎn)品，包括各類(lèi)二極管、整流管、保護器件、三極管以及MOSFET，橫跨汽車(chē)電子、光學(xué)逆變器和通信電源等領(lǐng)域。而本次所展出的AD-SiC MOSFET令人印象深刻，其采用了分立式封裝，
- 關(guān)鍵字： 先之科 半導體分立器件 二極管 整流管 三極管 MOSFET
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&應能微電子（深圳）有限公司
- 應能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設計、制造和銷(xiāo)售的半導體技術(shù)公司。應能成立于2012年，其核心團隊來(lái)自美國硅谷，全產(chǎn)品線(xiàn)皆為自研產(chǎn)品，目前已有500多款產(chǎn)品，90%已上為量產(chǎn)狀態(tài)。應能微的半導體芯片應用市場(chǎng)包括快速增長(cháng)的消費電子 (智能手機、計算機、平板電腦、高清電視、機頂盒等) ，并在通訊、安防、工業(yè)和汽車(chē)上均有廣泛的應用。應能微銷(xiāo)售總監曾總表示，其高性能瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 產(chǎn)品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關(guān)鍵性能指標上表現出色，硅基MOSFET產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 應能微電子 接口保護器件 碳化硅
東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線(xiàn)
- 11月2日消息，據“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導體二期產(chǎn)線(xiàn)順利下線(xiàn)，完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。該碳化硅模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車(chē)續航里程提升5%-8%。據悉，智新半導體碳化硅模塊項目基于東風(fēng)集團“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進(jìn)行前期先行開(kāi)發(fā)，2022年12月正式立項為量產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： IGBT 碳化硅 東風(fēng) 智新半導體
滿(mǎn)足市場(chǎng)對下一代碳化硅器件的需求
- 一些新出現的應用使地球的未來(lái)充滿(mǎn)了激動(dòng)人心的可能性，但同時(shí)也是人類(lèi)所面臨的最大技術(shù)挑戰之一。例如，雖然太陽(yáng)能可以提供無(wú)限的能源，但要想成功商業(yè)化，設計人員必須提供更高的功率和效率，同時(shí)不增加成本或尺寸。在汽車(chē)領(lǐng)域，目前電動(dòng)汽車(chē) (EV) 已經(jīng)非常普及，但由于人們擔心可用充電基礎設施、充電所需時(shí)間和續航里程有限等問(wèn)題，電動(dòng)汽車(chē)的普及仍然受到了限制。在這種情況下，設計人員面臨的挑戰包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動(dòng)力總成的尺寸和重量，包括主驅逆變器和車(chē)載充電器 (OBC) 等元件，并不斷降低成本。碳化硅器件的優(yōu)勢硅
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅
通過(guò)碳化硅(SiC)增強電池儲能系統
- 電池可以用來(lái)儲存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶(hù)曉的電化學(xué)儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)。此外，鋰離子電池技術(shù)成熟，因
- 關(guān)鍵字： 202310 碳化硅 SiC 電池儲能系統
中芯集成正式設立碳化硅公司，上汽/立訊精密/寧德時(shí)代等現身股東榜
- 10月25日，中芯集成發(fā)布公告稱(chēng)，新設立合資公司芯聯(lián)動(dòng)力科技（紹興）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“芯聯(lián)動(dòng)力”）已完成了工商注冊登記手續，并取得紹興市越城區市場(chǎng)監督管理局核發(fā)的《營(yíng)業(yè)執照》。根據中芯集成公告，芯聯(lián)動(dòng)力將運營(yíng)碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)項目，注冊資本人民幣5億元，中芯集成使用自有資金出資人民幣2.55億元，占注冊資本總額51.00%?；诤腺Y公司的股權結構，合資公司將被納入公司合并報表范圍，系公司控股子公司。從投資股東上看，芯聯(lián)動(dòng)力創(chuàng )始股東包括中芯集成、芯聯(lián)合伙和博原資本、立訊精密家族辦公室立翎基金、上汽集團旗
- 關(guān)鍵字： 中芯集成 碳化硅
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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