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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
輕松了解功率MOSFET的雪崩效應
- 在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。根據電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數百安。 額定擊穿電壓，也可稱(chēng)之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個(gè)工作結溫范圍）內定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數據表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
- 關(guān)鍵字： MOSFET 雪崩 電流
Nexperia在A(yíng)PEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
- 奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在A(yíng)PEC上展示產(chǎn)品創(chuàng )新，今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開(kāi)關(guān)解決方案的范圍，可用于多個(gè)終端市場(chǎng)的各種應用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應用專(zhuān)用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進(jìn)了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機通常有多達48個(gè)端口，每個(gè)端口需要2個(gè)MOSFET提供保護。單個(gè)PCB上有多達96
- 關(guān)鍵字： Nexperia APEC 2024 拓寬分立式FET MOSFET
MOSFET共源放大器介紹
- 在本文中，我們介紹了具有不同負載類(lèi)型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見(jiàn)，放大器基本上是每個(gè)模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個(gè)晶體管端子是輸入端和哪個(gè)晶體管端子是輸出端來(lái)區分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
- 關(guān)鍵字： MOSFET 共源放大器
?MOSFET共源放大器介紹
- 在本文中，我們介紹了具有不同負載類(lèi)型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見(jiàn)，放大器基本上是每個(gè)模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個(gè)晶體管端子是輸入端和哪個(gè)晶體管端子是輸出端來(lái)區分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
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內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC，助推工廠(chǎng)智能化
- 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠(chǎng)都在擴大生產(chǎn)線(xiàn)的智能化程度，在生產(chǎn)線(xiàn)上的裝置和設備旁邊導入先進(jìn)信息通信設備的工廠(chǎng)越來(lái)越多。要將高壓工業(yè)電源線(xiàn)的電力轉換為信息通信設備用的電力，需要輔助設備用的高效率電源，而采用內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC可以輕松構建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)的智能化如今，從汽車(chē)、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠(chǎng)，既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進(jìn)無(wú)碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠(chǎng)的生產(chǎn)效率和
- 關(guān)鍵字： 電力轉換 SiC MOSFET
瘋狂的碳化硅，國內狂追！
- 近幾日，英飛凌在碳化硅合作與汽車(chē)半導體方面合作動(dòng)態(tài)頻頻，再度引起業(yè)界對碳化硅材料關(guān)注。1月23日，英飛凌與Wolfspeed宣布擴大并延伸現有的長(cháng)期150mm碳化硅晶圓供應協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于2018年2月）。延伸后的合作將包括一個(gè)多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個(gè)供應鏈的穩定，同時(shí)滿(mǎn)足汽車(chē)、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)充電應用、儲能系統等領(lǐng)域對于碳化硅半導體不斷增長(cháng)的需求。據英飛凌科技首席執行官 JochenHanebeck 消息，為了滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的碳化硅器件需求，英飛凌正在落實(shí)一項多供應商戰略，從而在
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 英飛凌 晶圓
2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET
- CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC?技術(shù)的輸出電流能力強，可靠性提高。產(chǎn)品型號：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產(chǎn)品特點(diǎn)■ VDSS=2000V，可用于最高母線(xiàn)電壓為1500VDC系統■ 開(kāi)關(guān)損
- 關(guān)鍵字： MOSFET CoolSiC Infineon
談?wù)凷iC MOSFET的短路能力
- 在電力電子的很多應用，如電機驅動(dòng)，有時(shí)會(huì )出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì )在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒(méi) 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱(chēng)短路時(shí)間是3us，EASY封裝器件標
- 關(guān)鍵字： infineon MOSFET
臻驅科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項目
- 2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬(wàn)片功率模塊、45萬(wàn)片PCBA板和20萬(wàn)臺電機控制器”建設項目規劃批前公告。據披露，該項目建設單位為臻驅科技的全資子公司——臻驅半導體（嘉興）有限公司，臻驅半導體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區新明路南側建造廠(chǎng)房用于生產(chǎn)及研發(fā)等，項目建筑面積達45800m2。公開(kāi)資料顯示，臻驅科技成立于2017年，是一家提供國產(chǎn)功率半導體及新能源汽車(chē)驅動(dòng)解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞?。ˋachen）等地布局了多家子
- 關(guān)鍵字： 功率模塊 碳化硅 SiC
用于模擬IC設計的小信號MOSFET模型
- MOSFET的小信號特性在模擬IC設計中起著(zhù)重要作用。在本文中，我們將學(xué)習如何對MOSFET的小信號行為進(jìn)行建模。正如我們在上一篇文章中所解釋的那樣，MOSFET對于現代模擬IC設計至關(guān)重要。然而，那篇文章主要關(guān)注MOSFET的大信號行為。模擬IC通常使用MOSFET進(jìn)行小信號放大和濾波。為了充分理解和分析MOS電路，我們需要定義MOSFET的小信號行為。什么是小信號分析？當我們說(shuō)“小信號”時(shí)，我們的確切意思是？為了定義這一點(diǎn)，讓我們參考圖1，它顯示了逆變器的輸出傳遞特性。逆變器的傳輸特性。 圖
- 關(guān)鍵字： MOSFET 模擬IC
英飛凌與Wolfspeed延長(cháng)多年期碳化硅150mm晶圓供應協(xié)議
- 據外媒，1月23日，英飛凌與美國半導體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明，宣布擴大并延長(cháng)雙方2018年2月簽署的現有150mm碳化硅晶圓長(cháng)期供應協(xié)議。根據聲明，雙方延長(cháng)的的合作關(guān)系中包括一項多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應鏈的穩定性，同時(shí)滿(mǎn)足汽車(chē)、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)應用以及儲能系統對碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長(cháng)的需求。英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范圍內保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長(cháng)期供應優(yōu)質(zhì)貨源。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 碳化硅 晶圓 Wolfspeed
利用低電平有效輸出驅動(dòng)高端MOSFET輸入開(kāi)關(guān)以實(shí)現系統電源循環(huán)
- 摘要在無(wú)線(xiàn)收發(fā)器等應用中，系統一般處于偏遠地區，通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現場(chǎng)進(jìn)行干預，此類(lèi)應用必須持續運行。系統持續無(wú)活動(dòng)或掛起后，需要復位系統以恢復操作。為了實(shí)現系統復位，可以切斷電源電壓，斷開(kāi)系統電源，然后再次連接電源以重啟系統。 本文將探討使用什么方法和技術(shù)可以監控電路的低電平有效輸出來(lái)驅動(dòng)高端輸入開(kāi)關(guān)，從而執行系統電源循環(huán)。 簡(jiǎn)介為了提高電子系統的可靠性和穩健性，一種方法是實(shí)施能夠檢測故障并及時(shí)響應的保護機制。這些機制就像安全屏障，能夠減輕潛在損害，確保系統正常運行
- 關(guān)鍵字： MOSFET 系統電源循環(huán) ADI
致瞻科技采用意法半導體碳化硅技術(shù)，提高新能源汽車(chē)電動(dòng)空調壓縮機控制器能效
- 2024年1月18日，中國--服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，與聚焦于碳化硅(SiC)半導體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。采用高能效的控制器可為新能源汽車(chē)帶來(lái)諸多益處，以動(dòng)力電池容量60kWh~90kWh的中型電動(dòng)汽車(chē)為例，續航里程可延長(cháng)5到10公里，在夏冬
- 關(guān)鍵字： 致瞻 意法半導體 碳化硅 新能源汽車(chē) 空調壓縮機控制器
Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉換領(lǐng)域擴展產(chǎn)品線(xiàn)
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個(gè)開(kāi)爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶(hù)實(shí)現更全面的開(kāi)關(guān)功能。新
- 關(guān)鍵字： Transphorm 高功率服務(wù)器 工業(yè)電力轉換 氮化鎵場(chǎng)效應晶體管 碳化硅 SiC
英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 達成協(xié)議
- 據英飛凌官網(wǎng)消息，近日，英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 正式達成協(xié)議。據悉，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質(zhì)量150mm SiC晶圓，支持SiC半導體的生產(chǎn)。在后續階段，SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過(guò)渡方面發(fā)揮重要作用。據了解，英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示：“對于英飛凌來(lái)說(shuō)，供應鏈彈性意味著(zhù)實(shí)施多供應商戰略，并在逆境中蓬勃發(fā)展，創(chuàng )造新的增長(cháng)機會(huì )并推
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 碳化硅 SK Siltron CSS 晶圓
碳化硅 mosfet介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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