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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds？
- MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅 由Vce來(lái)決定，即不能采用飽和Rc
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如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊，打造充電更快的車(chē)載充電器？
- 要能快速高效地為電動(dòng)車(chē)更大的電池充電，電動(dòng)車(chē)才能在市場(chǎng)普及并發(fā)展。2021 年，市場(chǎng)上排名前 12 位的電動(dòng)汽車(chē)的平均電池容量為 80 kW-hr。消費者主要在家中使用車(chē)輛的車(chē)載充電器(OBC) 進(jìn)行充電。為確保合理的車(chē)輛充電時(shí)間，OEM 還將 OBC 的功率容量從 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高達 22 kW。使用 6.6 kW OBC 時(shí)，這些電動(dòng)汽車(chē)需要 12.1 小時(shí)才能充滿(mǎn)電。而將 OBC 功率增加到 11 kW 后，充電時(shí)間縮短至 7.3 小時(shí)，而使用 22 kW OBC 時(shí)，只需
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中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過(guò)技術(shù)鑒定
- 近日，中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術(shù)及應用”成功通過(guò)技術(shù)鑒定。鑒定委員會(huì )認為，該項目技術(shù)難度大，創(chuàng )新性顯著(zhù)，總體技術(shù)達到國際先進(jìn)水平。該項目聚焦新能源汽車(chē)、光伏儲能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域對高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主創(chuàng )新的迫切需求，突破多項關(guān)鍵工藝技術(shù)，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺，國內率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實(shí)現新能源汽車(chē)、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
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碳化硅擴產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進(jìn)
- 近期，一眾國內廠(chǎng)商擴產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導體代工廠(chǎng)TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產(chǎn)品組合；安森美半導體考慮投資20億美元擴產(chǎn)碳化硅芯片；SK集團宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠(chǎng)結束試運行，將正式量產(chǎn)碳化硅，產(chǎn)能將擴大近3倍。除此之外，據外媒報道，日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠(chǎng)X-FAB也于近日宣布了擴產(chǎn)碳化硅的計劃。其中，瑞薩電子將于2025年開(kāi)始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC）來(lái)降低損耗的下一代功率半導體產(chǎn)品。報道指出，按照計劃，瑞薩電子擬在目
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英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割
- 近兩年新能源汽車(chē)和光伏儲能市場(chǎng)的火熱，讓半導體供應上升到了很多公司戰略層面的考慮因素。特別是SiC的供應更加緊俏。最近幾年用戶(hù)對SiC的使用更有經(jīng)驗，逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點(diǎn)，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個(gè)市場(chǎng)的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端” ，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴重的材料。面對這種問(wèn)題，作為功率半導體的領(lǐng)頭羊英飛凌又有哪些舉措呢？一方面，英飛凌與多家晶圓廠(chǎng)簽訂長(cháng)期供貨協(xié)議推動(dòng)其碳化硅（SiC）供應商體系多元化，保
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賓夕法尼亞州立大學(xué)與安森美簽署碳化硅諒解備忘錄
- 2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學(xué)與智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU)，旨在開(kāi)展一項總額達 800 萬(wàn)美元的戰略合作，其中包括在賓夕法尼亞州立大學(xué)材料研究所 (MRI) 開(kāi)設安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來(lái) 10 年，安森美每年都將為 SiC3 中心提供 80 萬(wàn)美元的資金。?安森美和賓夕法尼亞州立大學(xué)領(lǐng)導團隊慶祝簽署諒解備忘錄 (MOU)，開(kāi)展總額達 800 萬(wàn)美元的戰略合作，其中包
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SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢
- SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術(shù)產(chǎn)品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。ISOPLUS - SMPD 及其優(yōu)勢SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device)，是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝，由IXYS（現在是Littelfuse公司的一部分）在2012年開(kāi)發(fā)。SMPD只有硬幣大小，具有幾項關(guān)鍵優(yōu)勢：·
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安森美與Kempower就電動(dòng)汽車(chē)充電樁達成戰略協(xié)議
- 2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布與Kempower達成戰略協(xié)議，將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管，用于可擴展的電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電樁。雙方此項合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產(chǎn)品在內的各種功率半導體技術(shù)，開(kāi)發(fā)電動(dòng)汽車(chē)充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級側和次級側的DC-DC轉換器。 安森美為Kempower 的Satellit
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Nexperia首創(chuàng )交互式數據手冊，助力工程師隨時(shí)隨地分析MOSFET行為
- 奈梅亨，2023年5月11日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數據手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過(guò)操作數據手冊中的交互式滑塊，用戶(hù)可以手動(dòng)調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀(guān)察器件的工作點(diǎn)如何動(dòng)態(tài)響應這些變化。 這些交互式數據手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點(diǎn)，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶(hù)界面。此外，工程師借助這些交互式數據手冊可以即時(shí)查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
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MOSFET電路不可不知
- MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來(lái)了一場(chǎng)革命。沒(méi)有MOSFET，現在集成電路的設計似乎是不可能的。它們非常小，制造過(guò)程非常簡(jiǎn)單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數字電路都成功地實(shí)現了集成電路，MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進(jìn)行分析。大信號模型是非線(xiàn)性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線(xiàn)性化的基礎上推導出來(lái)。截止區、三極管區和飽和區是MOSFET的三個(gè)工作區。當柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時(shí)，器件處于截止區。當MOSFET用作
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SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性
- 碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設計都會(huì )非常關(guān)注導通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準參數。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開(kāi)關(guān)損耗），與實(shí)際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當的平衡。優(yōu)秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進(jìn)行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關(guān)鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個(gè)標準，或許還
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基本半導體車(chē)規級碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)正式通線(xiàn)
- 4月24日，基本半導體車(chē)規級碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)通線(xiàn)儀式在深圳市光明區舉行。此次車(chē)規級碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)的成功通線(xiàn)，是基本半導體打造國產(chǎn)碳化硅功率器件IDM領(lǐng)先企業(yè)的一大重要戰略布局。據官微介紹，基本半導體車(chē)規級碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)項目獲得國家工信部的產(chǎn)業(yè)專(zhuān)項支持，并連續兩年入選深圳市年度重大項目，廠(chǎng)區面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專(zhuān)業(yè)設備，主要產(chǎn)品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產(chǎn)線(xiàn)達產(chǎn)后每年可保障約50萬(wàn)輛新能源汽車(chē)的相關(guān)芯片需求。項目通過(guò)打造垂直整合制造模式，加快設計、制造共同迭代
- 關(guān)鍵字： 基本半導體 車(chē)規級 碳化硅
電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化取得重大進(jìn)展
- 近日，電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進(jìn)展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實(shí)現大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長(cháng)了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導體器件的關(guān)鍵材料。電科材料持續布局第三代半導體外延材料研發(fā)生產(chǎn)，實(shí)現一系列技術(shù)突破，在碳化硅外延領(lǐng)域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。同時(shí)，積極與國產(chǎn)設備廠(chǎng)商合作開(kāi)發(fā)生產(chǎn)裝備，推動(dòng)碳化硅核心裝備國產(chǎn)化。未來(lái)，電科材料將持續創(chuàng )新突破，推出更多高端碳化硅材料產(chǎn)品。
- 關(guān)鍵字： 電科材料 6英寸 碳化硅
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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