ROHM開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。

近年來(lái)，隨著(zhù)照明用的小型電源和電泵用電機的性能提升，對于在這些應用中發(fā)揮開(kāi)關(guān)作用的MOSFET的更小型產(chǎn)品需求高漲。通常，對于Super Junction MOSFET而言，在保持高耐壓和低導通電阻特性理想平衡的同時(shí)，很難進(jìn)一步縮小體積。此次，ROHM通過(guò)改進(jìn)內置芯片的形狀，在不犧牲以往產(chǎn)品性能的前提下開(kāi)發(fā)出5款更小更薄的SOT-223-3封裝新產(chǎn)品。

與以往TO-252封裝（6.60mm×10.00mm×2.30mm）的產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的面積減少約31%，厚度減少約27%，有助于實(shí)現更小、更薄的應用產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品還支持TO-252封裝電路板上的布線(xiàn)圖案（焊盤(pán)圖案），因此也可以直接使用現有的電路板。

五款新產(chǎn)品分別適用于小型電源和電機應用，各有不同的特點(diǎn)。適用于小型電源的有3款型號，“R6004END4”具有低噪聲的特點(diǎn)，適用于需要采取降噪措施的應用；“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)，適用于需要低損耗且高效率工作的應用；“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技術(shù)加快了反向恢復時(shí)間（trr*2）并大大降低了開(kāi)關(guān)損耗，屬于“PrestoMOS”產(chǎn)品，非常適用于電機應用。

此外，為了加快這些產(chǎn)品的應用，在ROHM官網(wǎng)上還免費提供電路設計所需的應用指南和各種技術(shù)資料，以及仿真用的SPICE模型等資源。

新產(chǎn)品已于2023年11月開(kāi)始暫以月產(chǎn)10萬(wàn)個(gè)的規模投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格400日元/個(gè)，不含稅）。另外，新產(chǎn)品也已開(kāi)始電商銷(xiāo)售，從Ameya360、Sekorm、Oneyac、Right IC等電商平臺均可購買(mǎi)。

今后，ROHM將繼續開(kāi)發(fā)不同封裝和低導通電阻產(chǎn)品，不斷擴大Super Junction MOSFET的產(chǎn)品陣容，通過(guò)助力各種設備降低功耗，來(lái)為解決環(huán)境保護等社會(huì )課題做出貢獻。

＜產(chǎn)品陣容＞

小型電源用

電機用

＜應用示例＞

?R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4：照明、空調、冰箱等

?R6002JND4 / R6003JND4：電泵、風(fēng)扇、復印機等使用的電機

＜電商銷(xiāo)售信息＞

開(kāi)始銷(xiāo)售時(shí)間：2023年12月起

電商平臺：Ameya360、Sekorm、Oneyac、Right IC

新產(chǎn)品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

＜Super Junction MOSFET特設頁(yè)面＞

ROHM的官網(wǎng)上提供與SOT-223-3封裝相關(guān)的應用指南以及各種電路設計所需的資料。

＜什么是PrestoMOS＞

Presto意為“非?？臁?，源于意大利語(yǔ)的音樂(lè )術(shù)語(yǔ)。

PrestoMOS是ROHM自有的功率MOSFET品牌，該品牌的MOSFET產(chǎn)品不僅保持了Super Junction MOSFET高耐壓和低導通電阻的特點(diǎn)，還縮短了內置二極管的反向恢復時(shí)間。因其可降低開(kāi)關(guān)損耗而越來(lái)越多地被用于空調和冰箱等配備逆變電路的應用。

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

*1) Super Junction MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）

MOSFET是晶體管的一種，根據器件結構上的不同又可細分為Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同種類(lèi)的產(chǎn)品。與Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET能夠同時(shí)實(shí)現高耐壓和低導通電阻，在處理大功率時(shí)損耗更小。

*2) trr：反向恢復時(shí)間（Reverse Recovery Time）

內置的二極管從導通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時(shí)間。該值越低，開(kāi)關(guān)時(shí)的損耗越小。