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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
正確選擇MOSFET以?xún)?yōu)化電源效率
- 優(yōu)化電源設計以提高效率十分重要。提高效率不僅可以節省能源，減少熱量產(chǎn)生，還可以縮小電源尺寸。本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數量比，以提高電源設計的效率。圖 1 顯示了一個(gè)具有 HS-FET 和 LS-FET 的簡(jiǎn)化電路。圖 1：具有 HS-FET 和 LS-FET 的電路選擇 MOSFET 時(shí)，如何恰當分配 HS-FET 和 LS-FET 的內阻以獲得最佳效率，這對電源工程師來(lái)說(shuō)是一項挑戰。 MOSFET的結構和損耗組成MOSFE
- 關(guān)鍵字： MPS MOSFET
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于A(yíng)pex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業(yè)設備功率模塊
TechInsights：2029 年碳化硅市場(chǎng)規模將增長(cháng)至 94 億美元，中國占一半
- IT之家?3 月 22 日消息，TechInsights（前 Strategy Analytics）今日發(fā)布報告稱(chēng)，隨著(zhù)電池電動(dòng)汽車(chē)的發(fā)展，汽車(chē)半導體的需求激增，寬帶隙技術(shù)的使用也有所增加。SiC MOSFET 為動(dòng)力系統提供了 Si IGBT 和 SiC MOSFET 的替代方案。TechInsights 表示，碳化硅市場(chǎng)收益在 2022 年至 2027 年期間將以 35% 的復合年增長(cháng)率從 12 億美元（IT之家注：當前約 82.44 億元人民幣）增長(cháng)到 53 億美元（當前約 364.11
- 關(guān)鍵字： 碳化硅
Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專(zhuān)用MOSFET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專(zhuān)用MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動(dòng)應用進(jìn)行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進(jìn)的電信和計算設備。 憑借數十年開(kāi)發(fā)先進(jìn)晶圓和封裝解決方案所積累的專(zhuān)業(yè)知識，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產(chǎn)品組合中的首選，
- 關(guān)鍵字： Nexperia SMD 銅夾片 LFPAK88 MOSFET
[向寬禁帶演進(jìn)]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?
- _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來(lái)越高。在電氣方面，這些物質(zhì)比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會(huì )引發(fā)不良的導電性泄漏，且會(huì )隨著(zhù)溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率，相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實(shí)現方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個(gè)顯著(zhù)增長(cháng)領(lǐng)域是它在LED照明中的應用，而且在汽車(chē)
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
碳化硅MOSFET加速應用于光伏領(lǐng)域 增量市場(chǎng)需求望爆發(fā)
- 據報道，近年來(lái)，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來(lái)越快。最近，又有兩家廠(chǎng)商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團宣布，其Steca太陽(yáng)能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體，以提高效率，同時(shí)減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術(shù)，可以在高溫和高速下運行，壽命最多可延長(cháng)3倍，適用于大功率和快速上市的應用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開(kāi)發(fā)了采
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
使用集成MOSFET限制電流的簡(jiǎn)單方法
- 電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過(guò)大，以便為電路提供可靠的保護。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過(guò)高會(huì )導致電池的壓降太大和下游設備的供電電壓不足。因此，通常需要將電流限制在一個(gè)特定值。大多數功率轉換器都有過(guò)流限制器，以保護其免受額外電流造成的損壞。在一些DC-DC轉換器中，甚至可以調整閾值。圖1. 每個(gè)端口輸出電流為1 A的充電寶中的電流限制。在圖1中，還可以使用具有內置甚至可調節限流器的DC-DC升壓轉換器。在這種情況下，無(wú)需額外的限流器模塊。不過(guò)，也有許多應
- 關(guān)鍵字： ADI MOSFET
Ameya360：平面MOSFET與超級結MOSFET區別
- 今天,Ameya360給大家介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來(lái)的幾篇將談超級結MOSFET相關(guān)的話(huà)題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上，根據其特征和特性對使用區分有個(gè)初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍?？梢钥闯?，Si-MOSFET在這個(gè)比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件
- 關(guān)鍵字： MOSFET 超級結MOSFET
碳化硅快充時(shí)代來(lái)臨，800V高壓超充開(kāi)始普及！
- 一直以來(lái)，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車(chē)脖子的關(guān)鍵問(wèn)題，是車(chē)企和車(chē)主共同的焦慮；但隨著(zhù)高壓電氣技術(shù)的不斷進(jìn)步和快充時(shí)代的到來(lái)，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場(chǎng)的風(fēng)口浪尖。繼2019年4月保時(shí)捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后，800V高壓超充終于開(kāi)始了普及。相比于400V，800V帶來(lái)了更高的功效，大幅提升功率，實(shí)現了15分鐘的快充補能。而構建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領(lǐng)著(zhù)這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺Si（硅）早已
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 SiC
安森美的碳化硅技術(shù)將整合到寶馬集團的下一代電動(dòng)汽車(chē)中
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi）近日宣布與寶馬集團（BMW）簽署長(cháng)期供貨協(xié)議（LTSA），將安森美的EliteSiC技術(shù)用于這家德國高端汽車(chē)制造商的400?V直流母線(xiàn)電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一個(gè)全橋功率模塊中，可提供幾百千瓦的功率。兩家公司的戰略合作針對電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統的開(kāi)發(fā)和整合，使安森美能為特定應用提供差異化的芯片方案，包括優(yōu)化尺寸和布局以及高性能和可靠性。優(yōu)化的電氣和機械特性實(shí)現高效率和更低的整體損耗，同時(shí)提供極高的系
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅 寶馬集團 電動(dòng)汽車(chē)
詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝
- 電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時(shí)尺寸較小，從而有助于實(shí)現更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時(shí)散熱效果并不理想。由于器件的引線(xiàn)框架（包括裸露漏極焊盤(pán)）直接焊接到覆銅區，這導致熱量主要通過(guò)PCB進(jìn)行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過(guò)空氣對流來(lái)散熱。因此，熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性：覆銅的面積大小、層數、厚度和布局。無(wú)論電路板是
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET
特斯拉要削減碳化硅使用量，相關(guān)芯片制造商股價(jià)應聲下跌
- 3 月 3 日消息，美國電動(dòng)汽車(chē)制造商特斯拉在首次投資者日活動(dòng)上表示，計劃減少下一代電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統中碳化硅晶體管的使用量，當地時(shí)間周四相關(guān)芯片制造商的股價(jià)紛紛下跌。本周三舉行的特斯拉投資者日活動(dòng)討論的一個(gè)主要內容是效率提升和成本控制。特斯拉動(dòng)力系統工程負責人科林?坎貝爾（Colin Campbell）登臺展示了公司計劃如何在保持高性能和轉化效率的同時(shí)降低汽車(chē)動(dòng)力系統的成本?？藏悹柾嘎?，“在我們的下一代動(dòng)力系統中，作為關(guān)鍵部件的碳化硅晶體管價(jià)格昂貴，但我們找到了一種方法，可以在不影響汽車(chē)性能或效率的情況下
- 關(guān)鍵字： 特斯拉 碳化硅
碳化硅如何革新電氣化趨勢
- 在相當長(cháng)的一段時(shí)間內，硅一直是世界各地電力電子轉換器所用器件的首選半導體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現帶來(lái)了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴(lài)。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體：將電子激發(fā)到導帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標準硅基器件的多種優(yōu)勢。由于漏電流更小且帶隙更大，器件可以在更寬的溫度范圍內工作，而不會(huì )發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學(xué)惰性，所有這些優(yōu)點(diǎn)進(jìn)一步鞏固了 SiC 在電力電子領(lǐng)域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應用，例如電源、純
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅
碳化硅 mosfet介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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