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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
Denso和三菱電機10億美元投資Coherent碳化硅業(yè)務(wù)
- Denso和三菱電機宣布將分別投資5億美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)子公司。據外媒，日本電裝株式會(huì )社(Denso)和三菱電機宣布，將分別投資5億美元，入股美國半導體材料、網(wǎng)絡(luò )及激光供應商Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)子公司Silicon Carbide，并分別取得12.5%股權（兩家日企合計取得25%股權）。據悉，Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產(chǎn)品的制造，是于2023年4月從Coherent公司分拆出來(lái)設立的SiC業(yè)務(wù)子公司。Denso與三菱電機將向該公司采購
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 Denso 碳化硅
一文讀懂碳化硅設計中的熱管理
- 隨著(zhù)我們尋求更強大、更小型的電源解決方案，碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來(lái)越流行，特別是在一些具有挑戰性的應用領(lǐng)域，如汽車(chē)驅動(dòng)系統、直流快速充電、儲能電站、不間斷電源和太陽(yáng)能發(fā)電。這些應用有一點(diǎn)非常相似，它們都需要逆變器（圖 1）。它們還需要緊湊且高能效的輕量級解決方案。就汽車(chē)而言，輕量化是為了增加續航里程，而在太陽(yáng)能應用中，這是為了限制太陽(yáng)能設備在屋頂上的重量。圖 1.典型的 EV 動(dòng)力總成，其中顯示了逆變器半導體損耗決定逆變器效率的主要因素之一是所使用的半導體器件（IGBT /
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅
了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)
- Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進(jìn)的技術(shù)，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場(chǎng)具有領(lǐng)導地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶(hù)開(kāi)發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進(jìn)的技術(shù)，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場(chǎng)具有領(lǐng)導地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶(hù)開(kāi)發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
- 關(guān)鍵字： Littelfuse MOSFET
適用于熱插拔應用的具有導通電阻的高效 MOSFET
- 熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會(huì )損壞相關(guān)電子設備。電容性負載可能會(huì )產(chǎn)生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來(lái)壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會(huì )引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設備。熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會(huì )損壞相關(guān)電子設備。電容性負載可能會(huì )產(chǎn)生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來(lái)壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會(huì )引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設備。簡(jiǎn)介熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會(huì )損壞相關(guān)電子設備。電容性負載可能會(huì )產(chǎn)生較大的
- 關(guān)鍵字： MOSFET 導通電阻
onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅動(dòng)IC 應用于工業(yè)馬達控制器
- 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內部電流隔離的高電流單通道驅動(dòng)器，專(zhuān)為高功率應用的高系統效率和高可靠性而設計。其特性包括互補的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開(kāi)路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時(shí)的軟關(guān)斷以及獨立的高低驅動(dòng)器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統設計及開(kāi)發(fā)。 NCD57000 可在輸入側提供 5
- 關(guān)鍵字： NCD57000 驅動(dòng)器 IGBT MOSFET onsemi 馬達控制
如何更好的使用EiceDRIVER IC驅動(dòng)SiC MOSFET
- 碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅動(dòng)系統的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護航。EiceDRIVER?增強型1ED34X1主要特色：●? 單通道隔離型柵極驅動(dòng)芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護、
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保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡
- 在工業(yè)、汽車(chē)和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩健的供應鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統（如電動(dòng)汽車(chē)充電基礎設施）和可再生能源系統（如太陽(yáng)能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來(lái)說(shuō)是一項持續的挑戰，必須在不增加太陽(yáng)
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 SiC
國內8英寸碳化硅加速布局！
- 近期，三安半導體發(fā)布消息稱(chēng)，公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示，展會(huì )上有多家重要客戶(hù)在詳細詢(xún)問(wèn)三安半導體產(chǎn)品參數后，表示已經(jīng)確認采購意向。圖：三安半導體湖南三安半導體屬于三安光電下屬子公司，主要業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發(fā)、設計、制造及服務(wù)，目前建立具有自主知識產(chǎn)權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。湖南三安半導體是三安
- 關(guān)鍵字： 8英寸 碳化硅
從硅到碳化硅，更高能效是功率器件始終的追求
- 隨著(zhù)新能源汽車(chē)和電動(dòng)飛機概念的興起，在可預見(jiàn)的未來(lái)里，電能都將會(huì )是人類(lèi)社會(huì )發(fā)展的主要能源。然而，隨著(zhù)電氣化在各行各業(yè)的滲透率不斷提升，每年全社會(huì )對電能的消耗量都是一個(gè)天文數字。比如在中國，根據國家能源局發(fā)布的數據，2022年全社會(huì )用電量86,372億千瓦時(shí)，同比增長(cháng)3.6%；其中，高速發(fā)展的新能源汽車(chē)在整車(chē)制造方面，用電量大幅增長(cháng)71.1%。圖1：全社會(huì )用電量統計（圖源：貿澤電子）各行業(yè)電氣化進(jìn)程逐漸深入后，我們也必須要考慮到一個(gè)嚴峻的問(wèn)題，那就是節能。當前，任何一種用電設備在設計之初，都會(huì )將高能效和低能
- 關(guān)鍵字： Mouser 碳化硅 功率器件
100W MOSFET功率放大器電路
- 我們設計了一個(gè)使用 MOSFET 的功率放大電路，可產(chǎn)生 100W 的輸出功率，驅動(dòng)約 8 歐姆的負載。 所設計的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點(diǎn)。工作原理：該電路采用多級功率放大原理，包括前置放大器、驅動(dòng)器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驅動(dòng)級是帶有電流鏡負載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類(lèi)工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單、熱穩定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點(diǎn)。前置放大器由兩級差分放大器電路組成，用于產(chǎn)生無(wú)噪聲放大信號
- 關(guān)鍵字： 功率放大器 MOSFET
碳化硅下游市場(chǎng)需求旺盛 企業(yè)紛紛擴張產(chǎn)能加速出貨
- 隨著(zhù)碳化硅（SiC）在電動(dòng)汽車(chē)、新能源等領(lǐng)域的應用日益廣泛，市場(chǎng)需求不斷增長(cháng)。近期，一批碳化硅項目集中開(kāi)工，部分公司接到批量訂單，推動(dòng)了碳化硅加速量產(chǎn)。傳播星球App聯(lián)合創(chuàng )始人由曦向《證券日報》記者介紹，碳化硅的應用場(chǎng)景主要包括電動(dòng)汽車(chē)、光伏發(fā)電、充電樁、電力電子等領(lǐng)域。近年來(lái)，我國在碳化硅領(lǐng)域的研究和應用取得快速發(fā)展，一些項目已經(jīng)落地實(shí)施。例如，在新能源汽車(chē)的高壓充電技術(shù)方面，碳化硅作為其中的關(guān)鍵材料，其需求正日益增長(cháng)?！疤蓟枳鳛橐环N優(yōu)良的半導體材料，具有耐高壓、導熱好、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，是實(shí)現高壓快充技
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 新能源
碳化硅熱度，只增不減
- 在半導體行業(yè)的下行周期中，也并非一片低迷之聲，碳化硅就是萎靡之勢中的一個(gè)反例。隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)功率半導體價(jià)值量的提升，以碳化硅為代表的第三代半導體正在逆勢而上。需求殷切令各路廠(chǎng)商競相投資擴大產(chǎn)能，并且在未來(lái)的五年里，它的熱度只會(huì )增不會(huì )減。這一趨勢在最近兩年碳化硅行業(yè)的投資并購動(dòng)作中也可窺見(jiàn)一二。國內上半年融資創(chuàng )三年之最2021 年有多家碳化硅企業(yè)獲得了投資機構的青睞，相繼宣布完成融資，行業(yè)內也隨之激起一番融資浪潮。2021 年全年投融資及并購金額達到 21.32 億元，數量達到 15 起。2022 年也是碳化
- 關(guān)鍵字： 碳化硅
高性能 SiC MOSFET 技術(shù)裝置設計理念
- 合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。圖 1：必須與 SiC MOSF
- 關(guān)鍵字： MOSFET
全球SiC爭霸賽，誰(shuí)在豪擲千金？
- “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國家，將能夠改變游戲規則，擁有SiC將對美國具有深遠的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪(fǎng)時(shí)坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導的工程研究人員從美國國家科學(xué)基金（NSF）獲得了1787萬(wàn)美元的資助，用于在阿肯色大學(xué)開(kāi)始建設一個(gè)國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓和教育，以達到鼓勵美國新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，能夠讓美國大學(xué)，企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長(cháng)期
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 功率損耗 碳中和
英飛凌高壓超結MOSFET系列產(chǎn)品新增工業(yè)級和車(chē)規級器件
- 【2023年7月27日，德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開(kāi)關(guān)應用中，電源設計側重于最大程度地降低導通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現緊湊輕便的系統設計，同時(shí)以低成本實(shí)現高質(zhì)量。為滿(mǎn)足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、太陽(yáng)能系統、電池保護、固態(tài)繼電器（SSR）、電機啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 高壓超結 MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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