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意法半導體公司選擇格芯22FDX?提升其FD-SOI平臺和技術(shù)領(lǐng)導力

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)與意法半導體公司(STMicroelectronics,NYSE:STM)于今日宣布,意法半導體公司選定格芯22納米FD-SOI(22FDX?)技術(shù)平臺,為其新一代工業(yè)和消費應用的處理器解決方案提供支持?! ≡诓渴鹆藰I(yè)界首個(gè)28納米 FD-SOI技術(shù)平臺之后,意法半導體公司采用格芯可量產(chǎn)的22FDX工藝和生態(tài)系統,為未來(lái)智能系統提供第二代FD-SOI解決方案,以拓展公司業(yè)務(wù)發(fā)展路徑圖?!  癋D-SOI是對低功耗、高處理性能與高連接能力有較高要求的成本敏
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傳三星挖角格芯、英特爾主管,縮小與臺積電差距

  • 三星近來(lái)從各大公司挖角人才,打算快速縮小和聯(lián)電、臺積電的差距。
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雙工藝并進(jìn)、7nm已有客戶(hù),格芯分享最新技術(shù)與洞察

  •   據Digitimes Research的數據顯示,2017年全球IC代工增長(cháng)6%,達到557億美元,到2022年將達到746.6億美元的市場(chǎng)規模,年復合增長(cháng)率6%。而據IC Insights等市場(chǎng)研究結構的報告,2017年全球集成電路晶圓代工市場(chǎng)較2016年增長(cháng)7%左右,有可能上沖到550億美元,同比增長(cháng)10%左右。從2017年集成電路晶圓代工市場(chǎng)發(fā)展來(lái)看,晶圓代工前十大企業(yè)占到整體代工市場(chǎng)95%~96%的份額。“我期待在中國半導體行業(yè)的黃金發(fā)展期與各位共筑行業(yè)美好未來(lái)。格芯希望能夠成為中
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格芯推出新型汽車(chē)半導體平臺,助力未來(lái)互聯(lián)汽車(chē)發(fā)展

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)于今日推出全新平臺AutoPro?,旨在為汽車(chē)客戶(hù)提供廣泛的技術(shù)解決方案及制造服務(wù),從而簡(jiǎn)化認證流程,縮短上市時(shí)間。從信息化先進(jìn)駕駛輔助系統(ADAS)到自動(dòng)化汽車(chē)高性能實(shí)時(shí)處理器,公司為全系列駕駛系統應用提供行業(yè)最廣泛的解決方案?! ∪缃?,汽車(chē)半導體市場(chǎng)市值接近350億美元,預計到2023年將增長(cháng)至540億美元左右。究其原因是對提高駕駛體驗新技術(shù)的需求日益增強,比如導航、遠程道路救援及能將多個(gè)傳感器的數據與進(jìn)行決策控制的高性能處理器相結合的先進(jìn)系統?!  半S著(zhù)汽
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格芯公布針對下一代5G應用的愿景和路線(xiàn)圖

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天公布了針對一系列技術(shù)平臺而制訂的愿景和路線(xiàn)圖,這些技術(shù)平臺旨在幫助客戶(hù)過(guò)渡到下一代5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )。格芯為多種5G應用領(lǐng)域提供業(yè)內范圍最廣的技術(shù)解決方案,所針對的應用包括集成毫米波前端模塊(FEM)、收發(fā)器、基帶芯片、以及用于移動(dòng)和網(wǎng)絡(luò )的高性能應用處理器?! ‰S著(zhù)全球對數字信息的依賴(lài)程度越來(lái)越高,互聯(lián)技術(shù)有望推動(dòng)市場(chǎng)迅猛發(fā)展,預計到2020年,互聯(lián)設備數量會(huì )達到84億。5G技術(shù)將成為推動(dòng)網(wǎng)絡(luò )發(fā)展,實(shí)現人與聯(lián)網(wǎng)機器零距離連通的關(guān)鍵因素。5G技術(shù)無(wú)處不在的連通,令人難
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格芯推出面向下一代移動(dòng)和5G應用的8SW RF-SOI技術(shù)

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出業(yè)內首個(gè)基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進(jìn)的RF SOI技術(shù),可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動(dòng)和無(wú)線(xiàn)通信應用的前端模塊(FEM)帶來(lái)顯著(zhù)的性能、集成和面積優(yōu)勢?! 「裥救碌牡统杀?、低功耗、高度靈活8SW的解決方案可以在300毫米生產(chǎn)線(xiàn)上制造具有出色開(kāi)關(guān)性能、低噪聲放大器(LNA)和邏輯處理能力的產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比,該技術(shù)可以將功耗降低至70%,實(shí)現更高的電
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格芯CEO:FD-SOI是中國需要的技術(shù)

  •   5G時(shí)代將對半導體的移動(dòng)性與對物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應性有著(zhù)越來(lái)越高的要求。此時(shí),FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯,人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增?! ?月26日,第五屆上海FD-SOI論壇成功舉辦。格芯CEO 桑杰·賈(Sanjay Jha)親臨現場(chǎng),發(fā)表主題為「以SOI技術(shù)制勝(Winning with SOI)」的演講,闡述了格芯如何利用FDX?平臺推進(jìn)SOI技術(shù)的發(fā)展,介紹公司最新技術(shù)成果的同時(shí)也總結了SOI技術(shù)的現狀,并暢想了產(chǎn)業(yè)的未來(lái)?! £P(guān)于
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格芯發(fā)布基于領(lǐng)先的FDX? FD-SOI技術(shù)平臺的毫米波和射頻/模擬解決方案

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代無(wú)線(xiàn)和物聯(lián)網(wǎng)芯片的射頻/模擬PDK(22FDX?-rfa)解決方案,以及面向5G、汽車(chē)雷達、WiGig、衛星通信以及無(wú)線(xiàn)回傳等新興高容量應用的毫米波PDK(22FDX?-mmWave)解決方案?! ≡搩煞N解決方案都基于格芯的22納米FD-SOI平臺,該平臺將高性能射頻、毫米波和高密度數字技術(shù)結合,為集成單芯片系統解決方案提供支持。該技術(shù)在低電流密度和高電流密度的應用中都可以實(shí)現最高特征頻率和最高振蕩頻率,適用于對性能和功耗都有超高要求的應用,
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格芯發(fā)布為IBM系統定制的14納米FinFET技術(shù)

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術(shù)。這項雙方共同開(kāi)發(fā)的工藝專(zhuān)為IBM提供所需的超高性能和數據處理能力,從而在大數據和認知計算的時(shí)代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產(chǎn)品?! ?4HP是業(yè)內唯一將三維FinFET晶體管架構結合在SOI襯底上的技術(shù)。該技術(shù)采用了17層金屬層結構,每個(gè)芯片上有80多億個(gè)晶體管,通過(guò)嵌入式動(dòng)態(tài)隨機存儲器(DRAM)以及其它創(chuàng )新功能,達到比前代
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格芯告臺積電壟斷毫無(wú)道理?

  •   近日,格芯(Globalfoundries)要求歐盟競爭委員會(huì )調查臺積電的反壟斷行為,這個(gè)舉動(dòng)有些奇怪。   這是因為歐盟委員會(huì )的禁令只對歐盟地區有效力,而歐盟地區的營(yíng)收僅占臺積電總營(yíng)收的7%。   如果歐盟競爭委員會(huì )的要求太苛刻,臺積電可能會(huì )停止在歐洲的業(yè)務(wù),而這對臺積電并不重要。   如果歐盟競爭委員會(huì )要求臺積電提供證據,臺積電可能拒絕提供。   如果歐盟競爭委員對臺積電罰款,臺積電也可以拒絕支付罰款。   如果臺積電既拒絕提供證據,又拒絕支付罰款,歐盟委員會(huì )能對臺積電做出的唯一制裁
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臺積電排名第一格芯第二 第二卻連年虧損

  •   臺積電在全球的市場(chǎng)占有率排名第一,領(lǐng)先其他對手。根據ICInsights的調查報告,臺積電去年合并營(yíng)收接近300億美元(294.88億美元),市場(chǎng)占有率高達59%;排名第二的是格芯(原格羅方德GlobalFoundries),去年合并營(yíng)收為55.45億美元,市場(chǎng)占有率僅11%。緊隨其后的是臺灣聯(lián)電,去年營(yíng)收45.82億美元,市場(chǎng)占有率為9%。        臺積電每年都投入上百億美元的資本支出,旨在努力保持領(lǐng)先地位。而在明年上半年,臺積電將率先量產(chǎn)7納米制程。   格芯已經(jīng)宣布7
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格芯宣布推出基于行業(yè)領(lǐng)先的22FDX? FD-SOI 平臺的嵌入式磁性隨機存儲器

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內存解決方案,格芯22FDX eMRAM,為消費領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數據中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性?! ≌缃谠诿绹故镜?,格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲單元尺寸,擁有在260°C回流焊中保留數據的能力,同時(shí)能使數據在125°C環(huán)境下保留10年以上。
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格芯為高性能應用推出全新12納米 FinFET技術(shù)

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術(shù)預計將提高當前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能,同時(shí)滿(mǎn)足從人工智能、虛擬現實(shí)到高端智能手機、網(wǎng)絡(luò )基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用?! ∵@項全新的12LP技術(shù)與當前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比,電路密度提高了15%,性能提升超過(guò)10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠(chǎng)的12納米 FinFET產(chǎn)品競爭。這項技術(shù)
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格芯推出面向數據中心、網(wǎng)絡(luò )和云應用的2.5D高帶寬內存解決方案

  •   格芯今日宣布推出2.5D封裝解決方案,展示了其針對高性能14納米FinFET FX-14?ASIC集成電路設計系統的功能?! ≡?.5D ASIC解決方案包括用于突破光刻技術(shù)限制的硅基板集成技術(shù)和與Rambus公司合作開(kāi)發(fā)的每秒兩太比特(2Tbps)多通道HBM2 PHY?;?4納米FinFET的成功方案,該解決方案將整合到下一代基于格芯7納米 FinFET工藝的FX-7? ASIC設計系統上?!  半S著(zhù)近年來(lái)在互聯(lián)和封裝技術(shù)的巨大進(jìn)步,晶片加工和封
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格芯與芯原聯(lián)袂實(shí)現適合次世代物聯(lián)網(wǎng)的單芯片解決方案

  •   今日,格芯(GLOBALFOUNDRIES,原名格羅方德)與芯原微電子(VeriSilicon)共同宣布,將攜手為下一代低功耗廣域網(wǎng)(LPWA)推出業(yè)界首款單芯片物聯(lián)網(wǎng)解決方案。雙方計劃采用格芯的22FDX? FD-SOI 技術(shù)開(kāi)發(fā)可支持完整蜂巢式調制解調器模塊的單芯片專(zhuān)利,包括集成基帶、電源管理、射頻以及結合窄帶物聯(lián)網(wǎng)(NB-IoT)與LTE-M 功能的前端模塊。相較于現有產(chǎn)品,該全新方案可望大幅改善功耗、面積及成本?! ‰S著(zhù)智慧城市、家居與工業(yè)應用中互聯(lián)設備的數量日益
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