EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
rf-soi
rf-soi 文章 進(jìn)入rf-soi技術(shù)社區
RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域？
- 在采樣速率和可用帶寬方面，當今的射頻模數轉換器(RF ADC)已有長(cháng)足的發(fā)展，其中還納入了大量數字處理功能，電源方面的復雜性也有提高。那么，RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域？為了解電源域和電源的增長(cháng)情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡(luò )。早期A(yíng)DC采樣速度很慢，大約在數十MHz內，而數字內容很少，幾乎不存在。電路的數字部分主要涉及如何將數據傳輸到數字接收邏輯——專(zhuān)用集成電路 (ASIC) 或現場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節點(diǎn)幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓
- 關(guān)鍵字： ADI RF ADC
Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術(shù)
- 近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示，通過(guò)此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現有的元件、正在開(kāi)發(fā)的新內核以及相關(guān)知識產(chǎn)權(IP)。公司將為無(wú)線(xiàn)基礎設施、軍事和衛星通信應用開(kāi)發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線(xiàn)并實(shí)現商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷(xiāo)商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場(chǎng)供應Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
- 關(guān)鍵字： Guerrilla RF Gallium GaN
晶像光電 SOI JX-F355P 兩百萬(wàn)畫(huà)素物聯(lián)網(wǎng)感測器方案
- 晶相光電 JX-F355P 是一款全新2百萬(wàn)分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(xiàn)(BSI/NIR)技術(shù)?？纱钆洳煌脚_SOC，適用于安防監控、車(chē)載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動(dòng)攝影機和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機等領(lǐng)域。?場(chǎng)景應用圖SOI-SOI?產(chǎn)品實(shí)體圖SOI-SOI?展示板照片SOI-SOISOI-SOI?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術(shù)優(yōu)勢1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近紅外線(xiàn)加強 像素技術(shù)，可為在低光或無(wú)光環(huán)境中運行的應用提供新的可能性，同時(shí)降低總功耗
- 關(guān)鍵字： 晶像光電 SOI JX-F355P 物聯(lián)網(wǎng)感測器
純化合物半導體代工廠(chǎng)推出全新RF GaN技術(shù)
- 6月14日，純化合物半導體代工廠(chǎng)穩懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據穩懋半導體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結合了多項改進(jìn)，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
- 關(guān)鍵字： 純化合物 半導體 RF GaN
為何在RF設計中理解波反射非常重要？
- 在低頻下工作的普通電路與針對RF頻率設計的電路之間的關(guān)鍵區別在于它們的電氣尺寸。RF設計可采用多種波長(cháng)的尺寸，導致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設計和分析提供了一些基礎的核心原理特性?；靖拍詈托g(shù)語(yǔ)假設以任意負載端接傳輸線(xiàn)路（例如同軸電纜或微帶線(xiàn)），并定義波量a和b，如圖1所示。圖1.以單端口負載端接匹配信號源的傳輸線(xiàn)路。這些波量是入射到該負載并從該負載反射的電壓波的復振幅。我們現在可以使用這些量來(lái)定義電壓反射系數Γ，它描述了反射波的復振幅與入射波復振幅的比值：反射系數也可以
- 關(guān)鍵字： ADI RF 波反射
羅德與施瓦茨與索尼半導體以色列（Sony）合作，達成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗證的行業(yè)里程碑
- 羅德與施瓦茨與索尼半導體以色列（Sony）合作，達成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗證的行業(yè)首次里程碑。他們還成功驗證了基于PCT的測試用例。兩項工作都有助于NTN NB-IoT技術(shù)的市場(chǎng)就緒。在2024年巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì )上，羅德與施瓦茨將在其展臺上展示與Sony的Altair NTN Release 17 IoT設備一起進(jìn)行NTN NB-IoT測試的實(shí)時(shí)演示。與Sony的合作中，羅德與施瓦茨成功驗證了Sony的Altair設備的NTN NB-IoT功能。使用羅德與施瓦
- 關(guān)鍵字： 羅德與施瓦茨 索尼 3GPP Rel. 17 NB-IoT RF
“白菜化”的有源相控陣雷達
- 就在幾個(gè)月之前，一則消息被各大媒體平臺報道：2023年7月3日，為維護國家安全和利益，中國相關(guān)部門(mén)發(fā)布公告，決定自8月1日起，對鎵和鍺兩種關(guān)鍵金屬實(shí)行出口管制。至此有不少不關(guān)注該領(lǐng)域的讀者突然意識到，不知道從什么時(shí)候開(kāi)始，我國的鎵和鍺已經(jīng)悄悄成為了世界最大的出口國。根據一份中國地質(zhì)科學(xué)院礦產(chǎn)資源研究所2020年的一份報告顯示，目前鎵的世界總儲量約 23 萬(wàn)噸，中國的鎵金屬儲量居世界第一，約占世界總儲量的 80%-85%，而我國的鎵產(chǎn)量則是壓倒性的占到了全球產(chǎn)量的90%到95%。而作為鎵的化合物，砷化鎵、氮
- 關(guān)鍵字： 雷達 RF 氮化鎵 相控陣
『這個(gè)知識不太冷』探索 RF 濾波器技術(shù)（上）
- 『這個(gè)知識不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點(diǎn)的知識點(diǎn)，結合產(chǎn)業(yè)現狀解讀，以此溫故知新、查漏補缺。在過(guò)去十年中，移動(dòng)無(wú)線(xiàn)數據快速增長(cháng)，使得運營(yíng)商愈加迫切地需要新頻段和新技術(shù)，以滿(mǎn)足用戶(hù)對無(wú)線(xiàn)數據容量的需求。這種需求不僅推動(dòng)了無(wú)線(xiàn)技術(shù)的發(fā)展，也增加了對增強型射頻(RF)濾波器技術(shù)的需求，以幫助減少系統干擾，擴大RF覆蓋范圍，增強接收器性能，并提升共存特性。本篇內容將介紹RF濾波器的工作原理，以及如今的應用中使用的各種技術(shù)版本。首先介紹關(guān)于濾波器的一些基本實(shí)情，以及它們帶
- 關(guān)鍵字： Qorvo RF 濾波器
射頻芯片制造商威訊聯(lián)合半導體將兩家中國工廠(chǎng)出售給立訊精密
- IT之家 12 月 19 日消息，射頻芯片制造商美國威訊聯(lián)合半導體有限公司（Qorvo）宣布，與立訊精密建立戰略合作伙伴關(guān)系并達成最終協(xié)議，向后者出售位于北京和山東德州的組裝和測試工廠(chǎng)，預計明年上半年完成交易。據IT之家了解，交易完成后，立訊精密將接管上述工廠(chǎng)的運營(yíng)和資產(chǎn)，包括物業(yè)、廠(chǎng)房、設備與現有員工。威訊聯(lián)合半導體將保留在中國的銷(xiāo)售、工程和客戶(hù)支持員工，繼續為客戶(hù)提供服務(wù)。立訊精密將根據新簽訂的長(cháng)期供應協(xié)議為威訊聯(lián)合半導體組裝和測試產(chǎn)品。威訊聯(lián)合半導體首席財務(wù)官格蘭特?布朗（Grant Br
- 關(guān)鍵字： Qorvo RF
SOI芯片熱潮再起，中國市場(chǎng)信心大增
- 受到美國政府的干擾，中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展遇到了諸多困難，同時(shí)也給原來(lái)沒(méi)有得到足夠關(guān)注的技術(shù)或企業(yè)提供了很好的發(fā)展機遇，SOI（絕緣體上硅）制程工藝就是其中之一。2019 年之前，當先進(jìn)制程工藝演進(jìn)到 10nm 時(shí)，當時(shí)昂貴的價(jià)格，以及漏電流帶來(lái)的功耗水平偏高問(wèn)題，一直是業(yè)界關(guān)注的難題，SOI 正是看到了 FinFET 的這些缺點(diǎn)，才引起人們關(guān)注的，它最大的特點(diǎn)就是成本可控，且漏電流非常小，功耗低。在實(shí)際應用中，SOI 主要分為 FD-SOI（全耗盡型絕緣體上硅）和 RF-SOI（射頻絕緣體上硅）。FD-SO
- 關(guān)鍵字： SOI
設計一款具有過(guò)溫管理功能的USB供電RF功率放大器
- 國際電信聯(lián)盟(ITU)將433.92 MHz工業(yè)、科學(xué)和醫學(xué)(ISM)頻段分配給1區使用，該區域在地理上由歐洲、非洲、俄羅斯、蒙古和阿拉伯半島組成。盡管最初旨在用于無(wú)線(xiàn)電通信之外的應用，但多年來(lái)無(wú)線(xiàn)技術(shù)和標準的進(jìn)步使得ISM頻段在短距離無(wú)線(xiàn)通信系統中頗受歡迎。ITU 1 區的運營(yíng)商無(wú)需為使用433.92 MHz頻段獲得許可，常見(jiàn)應用包括軟件定義無(wú)線(xiàn)電、醫療設備和重型機械的工業(yè)無(wú)線(xiàn)電控制系統。在美國，433.92 MHz頻段由獲得許可的業(yè)余無(wú)線(xiàn)電臺使用。任何無(wú)線(xiàn)電傳輸應用都需要高增益放大器來(lái)驅動(dòng)天線(xiàn)。根據應
- 關(guān)鍵字： 無(wú)線(xiàn)電通信 ITU RF 放大器 電源管理
解決 48V 電網(wǎng)及 FuSa 難題， Power-SOI 推動(dòng)智能功率器件創(chuàng )新
- 混合動(dòng)力汽車(chē) (HEV) 和全電動(dòng)汽車(chē) (EV) 設計如今廣受關(guān)注，一個(gè)重要的技術(shù)趨勢正悄然影響著(zhù)汽車(chē)行業(yè)——汽車(chē)動(dòng)力系統中的 48V 直流 (DC) 總線(xiàn)系統。48V 系統不僅適用于全電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)，它還適用于更常見(jiàn)的內燃機汽車(chē)。汽車(chē)應用 48V 電網(wǎng)48V 系統有何獨特之處？與在常規的供電條件下一樣，48V 系統歸根到底仍然遵循歐姆定律和基礎物理學(xué)規律，與電勢差 (V = IR)、電功率 (P = IV) 及功率損耗 (P = I2R) 相關(guān)。供電仍需要電流與電壓的結合，但電勢差（損耗）隨電流
- 關(guān)鍵字： Power-SOI Soitec
Amphenol RF FAKRA車(chē)用連接器為汽車(chē)智能化注入充沛動(dòng)力
- 車(chē)用連接器的主要作用，就是在車(chē)載電路系統中實(shí)現可靠的物理連接，使電路可以實(shí)現預定的功能。對于汽車(chē)而言，車(chē)用連接器是必不可少的基礎元器件，事實(shí)上汽車(chē)領(lǐng)域已經(jīng)成為連接器應用最廣泛的市場(chǎng)之一。隨著(zhù)汽車(chē)智能化進(jìn)程的迅速深入，高級輔助駕駛系統（ADAS）、車(chē)聯(lián)網(wǎng)（V2X）、車(chē)載信息娛樂(lè )系統等新型智能技術(shù)的滲透率正快速提升，并且智能駕駛體系正向著(zhù)L3級（有條件自動(dòng)駕駛）不斷迭代。在這樣的大趨勢下，車(chē)用傳感器（攝像頭、毫米波雷達和激光雷達等）的用量顯著(zhù)增加，數據傳輸要求水漲船高，因而ADAS等系統需要配備更高帶寬的傳輸
- 關(guān)鍵字： Mouser Amphenol RF FAKRA 車(chē)用連接器
X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
- 中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠(chǎng)，由此加強了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長(cháng)的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統Bulk BCD工藝相比，高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。X-F
- 關(guān)鍵字： X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
rf-soi介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條rf-soi!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對rf-soi的理解，并與今后在此搜索rf-soi的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對rf-soi的理解，并與今后在此搜索rf-soi的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
rf-soi相關(guān)帖子
rf-soi資料下載
rf-soi專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473