格芯與芯原聯(lián)袂實(shí)現適合次世代物聯(lián)網(wǎng)的單芯片解決方案

　　今日，格芯(GLOBALFOUNDRIES，原名格羅方德)與芯原微電子(VeriSilicon)共同宣布，將攜手為下一代低功耗廣域網(wǎng)(LPWA)推出業(yè)界首款單芯片物聯(lián)網(wǎng)解決方案。雙方計劃采用格芯的22FDX? FD-SOI 技術(shù)開(kāi)發(fā)可支持完整蜂巢式調制解調器模塊的單芯片專(zhuān)利，包括集成基帶、電源管理、射頻以及結合窄帶物聯(lián)網(wǎng)(NB-IoT)與LTE-M 功能的前端模塊。相較于現有產(chǎn)品，該全新方案可望大幅改善功耗、面積及成本。

　　隨著(zhù)智慧城市、家居與工業(yè)應用中互聯(lián)設備的數量日益增加，網(wǎng)絡(luò )供應商也著(zhù)手開(kāi)發(fā)全新的通訊協(xié)議，以期更加符合新興物聯(lián)網(wǎng)標準的需求。LPWA 技術(shù)利用現有的LTE頻譜及移動(dòng)通信基礎設施，但更著(zhù)重于為例如聯(lián)網(wǎng)水表和煤氣表等傳輸少量低頻數據的設備提供超低功耗、擴大傳輸范圍以及降低數據傳輸率。

　　兩大領(lǐng)先的LPWA連接標準包括在美國前景看好的LTE-M，以及逐漸在歐洲、亞洲取得一席之地的NB-IoT。舉例而言，中國政府已將NB-IoT定為明年全國部署的對象。根據美國市場(chǎng)研究公司 ABI Research 的研究，該兩大技術(shù)的結合將推動(dòng)蜂窩M2M模塊的出貨量到2021年可能逼近5億。

　　格芯與芯原微電子目前已著(zhù)手開(kāi)發(fā)IP套件，以雙模運營(yíng)商等級的基調制解調器帶搭配集成的射頻前端模組，旨在讓客戶(hù)開(kāi)發(fā)出成本及功耗優(yōu)化的單芯片解決方案，以供全球部署。該款設計將采用格芯的22FDX工藝，運用22nm FD-SOI技術(shù)平臺為物聯(lián)網(wǎng)應用提供成本優(yōu)化的微縮能力并降低功耗。22FDX是唯一能夠以單芯片高效整合射頻、收發(fā)器、基帶、處理器和電源管理元件的技術(shù)。相較于現有的40nm技術(shù)，這款集成方案預計在功耗和裸片尺寸方面，將達到80%以上的提升。

　　格芯產(chǎn)品管理高級副總裁Alain Mutricy表示：“低功耗、電池供電的物聯(lián)網(wǎng)設備正處于爆發(fā)性增長(cháng)態(tài)勢，22FDX技術(shù)完美契合了其需求。對中國市場(chǎng)帶來(lái)的機會(huì )，我們尤為興奮。中國正以領(lǐng)先姿態(tài)在全國范圍大力發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)與智慧城市。芯原微電子是我們重要的合作伙伴，他們協(xié)助我們在成都建設以全新300mm晶圓廠(chǎng)為中心的FD-SOI生態(tài)系統。此次新的合作計劃也將進(jìn)一步深化我們的長(cháng)期合作關(guān)系?！?/p>

　　芯原股份有限公司創(chuàng )始人、董事長(cháng)兼總裁戴偉民表示：“自五年前開(kāi)始，作為芯片平臺即服務(wù) (SiPaaS) 的設計代工公司，芯原即開(kāi)始開(kāi)發(fā) FD-SOIIP，并基于FD-SOI 技術(shù)一次流片成功了多款芯片產(chǎn)品。就物聯(lián)網(wǎng)應用而言，除了成本優(yōu)勢之外，集成式射頻、體偏壓以及嵌入式內存如MRAM，都是28mm CMOS 工藝節點(diǎn)往后，FD-SOI 技術(shù)所具備的重要優(yōu)勢。在格芯22FDX上集成射頻與功率放大器后，基帶和協(xié)議?？稍诟吣苄铱删幊痰腪SPnano 上得以實(shí)現，ZSPnano 專(zhuān)為控制和具有低延遲的數據流、單周期指令的信號處理而優(yōu)化。格芯位于成都的全新FDX 300 mm 晶圓廠(chǎng)，以及此次合作推出的集成式 NB-IoT、LTE-M單芯片解決方案等 IP 平臺，都將對中國的物聯(lián)網(wǎng)和 AIoT(物聯(lián)人工智能) 產(chǎn)業(yè)帶來(lái)重大的影響?！?/p>

　　格芯與芯原微電子預計將于2017年第四季度對基于此集成方案的測試芯片進(jìn)行流片，并完成驗證。雙方計劃于2018年年中獲得運營(yíng)商許可。