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臺積電.晶圓代工
臺積電.晶圓代工 文章 進(jìn)入臺積電.晶圓代工技術(shù)社區
特斯拉明年將采用臺積電3nm芯片
- 據外媒，除了傳統客戶(hù)聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達、英特爾、高通外，特斯拉也已確認參與臺積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設計定案（New Tape-Outs，NTOs）。報道稱(chēng)，特斯拉成為臺積電N3P的客戶(hù)也表明，其打算利用該尖端技術(shù)生產(chǎn)下一代全自動(dòng)駕駛(FSD)智能駕駛芯片。據了解，臺積電N3P工藝計劃預計在2024年投產(chǎn)，與N3E工藝相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。臺積電表示，N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標，以及技術(shù)成熟度，都超過(guò)了英特爾的18A工藝。
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臺積電全球化的隱憂(yōu)
- 臺積電在歐洲、日本的新廠(chǎng)都傳來(lái)了新消息。11 月 21 日，有媒體報道臺積電考慮在熊本建造第三工廠(chǎng)，生產(chǎn)制程 3 納米芯片。預計相關(guān)投資額約達 200 億美元。臺積電目前正在熊本縣建設第一工廠(chǎng)，預計生產(chǎn) 12 納米的半導體等。不久前，11 月初德國聯(lián)邦反壟斷局批準臺積電與德國半導體公司博世、英飛凌以及荷蘭半導體公司恩智浦成立合資公司。這標志著(zhù)臺積電在歐洲的第一座晶圓廠(chǎng)即將落地。作為一家代工廠(chǎng)，臺積電過(guò)去依靠的是規?；a(chǎn)，壓低成本，進(jìn)而吸引客戶(hù)。在多年的積累中，臺積電在代工規模與代工技術(shù)兩個(gè)方面都已經(jīng)成為
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聯(lián)電大滑坡
- 晶圓代工業(yè)務(wù)在 2022 年有多么火爆，在 2023 年就有多么慘淡。特別是在 2023 上半年，成熟制程市場(chǎng)一片哀號，幾乎沒(méi)有不降價(jià)的。到了下半年，情況有所好轉，但總體產(chǎn)能依然處于供過(guò)于求的狀態(tài)，之所以說(shuō)好轉，一是市場(chǎng)需求出現回暖態(tài)勢，訂單量趨向止跌回穩，二是通過(guò)降價(jià)等促銷(xiāo)手段，穩定住了產(chǎn)能利用率，使得相關(guān)數據看上去不再像上半年那么難看了。近日，TrendForce 發(fā)布了 2023 年第三季度全球十大晶圓代工廠(chǎng)的營(yíng)收數據，以及環(huán)比增長(cháng)情況?？梢钥闯?，十大晶圓代工廠(chǎng)第三季度營(yíng)收環(huán)比大多實(shí)現了正增長(cháng)，細分
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臺積電董事長(cháng)劉德音計劃明年退休：或是受美國建廠(chǎng)影響
- 12月19日，臺積電官方宣布了一個(gè)非常突然和意外的消息：臺積電董事長(cháng)劉德音將不再參加下一屆董事長(cháng)提名，并于明年股東大會(huì )后退休。同時(shí)，臺積電提名現任CEO、副董事長(cháng)魏哲家接任董事長(cháng)，最終以明年6月的董事會(huì )選舉結果為準。2018年6月，臺積電創(chuàng )始人張忠謀正式退休，公司開(kāi)啟由劉德音任董事長(cháng)、魏哲家任總裁的“雙首長(cháng)制”時(shí)代。如果魏哲家未來(lái)接任董事長(cháng)后，繼續身兼總裁暨CEO的話(huà)，臺積電事權的“雙首長(cháng)制”時(shí)代將結束，而魏哲家也將成為臺積創(chuàng )立以來(lái)，同時(shí)身兼兩要職的第二人。值得注意的是，張忠謀86歲才退休，而劉德音自20
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臺積電董事長(cháng)劉德音明年退休，董事會(huì )建議魏哲家接任
- 12 月 19 日消息，臺積電今日發(fā)布公告，劉德音董事長(cháng)將不參與下屆董事提名，并將于明年股東大會(huì )后退休。從公告中獲悉，臺積電“提名及公司治理暨永續委員會(huì )”推薦副董事長(cháng)魏哲家博士接任下屆董事長(cháng)，并將以明年六月下屆董事會(huì )選舉結果為主。劉德音博士于 1993 年加入臺積電，并在創(chuàng )辦人張忠謀博士于 2018 年退休后接任董事長(cháng)職位。在其董事長(cháng)任內，劉德音博士重申公司對其使命的承諾，并著(zhù)重在強化公司治理及企業(yè)競爭力，尤其是在技術(shù)領(lǐng)先、數字卓越及全球布局。臺積公司董事長(cháng)劉德音博士表示：“過(guò)去三十年在臺積電
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臺積電芯片奇跡難復制 BBC揭密：其他地方找不到這批「終極武器」
- 臺積電布局海外，廣受全球矚目，外界都在關(guān)注是否可以重現在中國臺灣打造的芯片奇跡。但外媒報導指出，中國臺灣成為「芯片超級巨星」之路并不容易復制，因為中國臺灣的終極秘密武器：大批技術(shù)精湛且吃苦耐勞的工程師，顯然難以在海外尋得。全球有超過(guò)一半以上芯片都是由中國臺灣生產(chǎn)。BBC特地專(zhuān)訪(fǎng)中國臺灣半導體產(chǎn)業(yè)先鋒、工研院院士史欽泰，試圖了解中國臺灣的成功秘訣。盡管BBC認為沒(méi)有人確切知道中國臺灣擅長(cháng)芯片制造的原因，但史欽泰表示答案很簡(jiǎn)單，「我們擁有全新的機器、最先進(jìn)的設備，招募了最優(yōu)秀的工程師，就連機械操作員也都個(gè)個(gè)技
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臺積電2納米驚爆大弱點(diǎn)？三星搶訂單
- 臺積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來(lái)勢洶洶，但臺積電在技術(shù)與訂單仍保持一定優(yōu)勢，尤其三星至今在3納米方面，依然無(wú)法取得頂尖客戶(hù)的信任，三星高層也坦言，一旦臺積電在2納米轉進(jìn)GAA技術(shù)，三星還是得向臺積電看齊學(xué)習。即使如此，三星也打算透過(guò)低價(jià)策略搶市，與臺積電做出差別。綜合外媒報導，三星雖在3納米就開(kāi)始使用GAA技術(shù)，量產(chǎn)時(shí)間也比臺積電早數個(gè)月，但在良率與技術(shù)上無(wú)法獲得客戶(hù)青睞，蘋(píng)果、輝達等科技巨頭的大單仍在臺積電手上，臺積電3納米沿用較舊的FinFET技術(shù)。三星不甘示弱，希望能在2納米領(lǐng)域上扭
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英特爾、三星和臺積電演示3D堆疊晶體管，三大巨頭現已能夠制造互補場(chǎng)效應晶體管（CFET），擺脫摩爾定律的下一個(gè)目標。
- 在本周的IEEE國際電子器件大會(huì )上，臺積電展示了他們對CFET（用于CMOS芯片的邏輯堆棧）的理解。 CFET是一種將CMOS邏輯所需的兩種類(lèi)型的晶體管堆疊在一起的結構。在本周的舊金山IEEE國際電子器件大會(huì )上，英特爾、三星和臺積電展示了他們在晶體管下一次演變方面取得的進(jìn)展。芯片公司正在從自2011年以來(lái)使用的FinFET器件結構過(guò)渡到納米片或全圍柵極晶體管。名稱(chēng)反映了晶體管的基本結構。在FinFET中，柵通過(guò)垂直硅鰭控制電流的流動(dòng)。在納米片器件中，該鰭被切割成一組帶狀物，每個(gè)帶狀物都被柵包圍。 CFET
- 關(guān)鍵字： CFET IEEE 臺積電，三星，英特爾
蘋(píng)果芯片制造商首次討論高度先進(jìn)的1.4納米芯片
- 2023年12月14日星期四，上午6:19，由Hartley Charlton提供，PST 臺積電（TSMC）正式提到了其1.4納米制造技術(shù)，很可能將成為未來(lái)蘋(píng)果硅芯片的基礎。蘋(píng)果硅1特性 在其“未來(lái)邏輯”專(zhuān)題的幻燈片中（通過(guò)SemiAnalysis的Dylan Patel），TSMC首次披露了其1.4納米節點(diǎn)的官方名稱(chēng)，“A14”。該公司的1.4納米技術(shù)預計將在其“N2” 2納米芯片之后推出。N2計劃于2025年底開(kāi)始大規模生產(chǎn)，隨后將在2026年底推出增強版“N2P”節點(diǎn)。因此，任何A14芯片在2
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從2D到3D：半導體封裝工藝與DTCO
- 前言 在馬上要過(guò)去的2023年，全球的通貨膨脹伴隨消費需求的下滑，2023年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)預估將整體營(yíng)收同比下滑12.5%。但是在2024年，隨著(zhù)多家機構給出半導體產(chǎn)業(yè)將觸底反彈的預測，整個(gè)半導體晶圓代工市場(chǎng)將迎來(lái)成長(cháng)，預估明年晶圓代工產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將有6.4%的增幅。而長(cháng)期來(lái)看，半導體晶圓代工領(lǐng)域也是會(huì )總體保持增長(cháng)。未來(lái)，芯片將越來(lái)越變得無(wú)處不在，價(jià)值越來(lái)越高，重要性也越來(lái)越高，在社會(huì )中逐漸變成引導社會(huì )變革的核心力量之一。就此臺積電中國區總經(jīng)理羅鎮球在ICCAD2023就表示：“整個(gè)半導體在200
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臺積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計劃 2025 年量產(chǎn)
- IT之家 12 月 14 日消息，臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會(huì )議（IEDM）的小組研討會(huì )上透露，其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí)，臺積電重申，2nm 級制程將按計劃于 2025 年開(kāi)始量產(chǎn)。圖源 Pexels根據 SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺積電的 1.4nm 制程節點(diǎn)正式名稱(chēng)為 A14。IT之家注意到，目前臺積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體參數，但考慮到 N2 節點(diǎn)計劃于 2025 年底量產(chǎn)，N2P 節點(diǎn)則定于 2
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晶圓代工市場(chǎng)分析：三星與臺積電的差距進(jìn)一步擴大
- 芯片需求的上漲對晶圓代工廠(chǎng)商的作用是顯而易見(jiàn)的，特別是對于依賴(lài)先進(jìn)制程的高性能芯片，7nm、5nm等制程的加持不僅讓性能有了飛躍的提升，在功耗的控制上也有更多的余地。對于大部分依賴(lài)先進(jìn)制程的芯片公司而言，從晶圓代工廠(chǎng)商中搶訂單已經(jīng)成為了頭等大事。當然，對于晶圓廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，決定先進(jìn)制程量產(chǎn)的光刻機也有著(zhù)同樣的地位。特別是在進(jìn)入7nm、5nm之后，EUV光刻機的數量將直接決定能否持續取得市場(chǎng)領(lǐng)先地位。作為目前晶圓代工領(lǐng)域的兩大龍頭，臺積電和三星之間圍繞光刻機的競爭已經(jīng)趨于白熱化。今年第三季度，晶圓代工龍頭臺積電
- 關(guān)鍵字： 晶圓 代工 三星 臺積電 英特爾
半導體巨頭競相制造下一代"2nm"尖端芯片
- 臺積電、三星和英特爾爭奪“2nm”芯片，此舉將塑造5000億美元產(chǎn)業(yè)的未來(lái)。世界領(lǐng)先的半導體公司正在競相生產(chǎn)所謂的“2nm”處理器芯片，為下一代智能手機、數據中心和人工智能提供動(dòng)力。臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company）仍然是分析師最希望保持其在該行業(yè)全球霸主地位的公司，但三星電子（Samsung Electronics）和英特爾（Intel）已將該行業(yè)的下一個(gè)飛躍視為縮小差距的機會(huì )。幾十年來(lái)，芯片制造商一直在尋求制造更緊湊的產(chǎn)品。芯片上的晶體管越小
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臺積電.晶圓代工介紹
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