臺積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計劃 2025 年量產(chǎn)

IT之家 12 月 14 日消息，臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會(huì )議（IEDM）的小組研討會(huì )上透露，其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí)，臺積電重申，2nm 級制程將按計劃于 2025 年開(kāi)始量產(chǎn)。

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根據 SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺積電的 1.4nm 制程節點(diǎn)正式名稱(chēng)為 A14。IT之家注意到，目前臺積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體參數，但考慮到 N2 節點(diǎn)計劃于 2025 年底量產(chǎn)，N2P 節點(diǎn)則定于 2026 年底量產(chǎn)，因此 A14 節點(diǎn)預計將在 2027-2028 年問(wèn)世。

在技術(shù)方面，A14 節點(diǎn)不太可能采用垂直堆疊互補場(chǎng)效應晶體管（CFET）技術(shù)，不過(guò)臺積電仍在探索這項技術(shù)。因此，A14 可能將像 N2 節點(diǎn)一樣，依賴(lài)于臺積電第二代或第三代環(huán)繞柵極場(chǎng)效應晶體管（GAAFET）技術(shù)。

N2 和 A14 等節點(diǎn)將需要系統級協(xié)同優(yōu)化，才能真正發(fā)揮作用，并實(shí)現新的性能、功耗和功能水平。

尚不清楚臺積電是否計劃在 2027-2028 年時(shí)間段為 A14 制程采用 High-NA EUV 光刻技術(shù)，考慮到屆時(shí)英特爾（以及可能其他芯片制造商）將采用和完善下一代數值孔徑為 0.55 的 EUV 光刻機，臺積電使用這些機器應該相當容易。然而，由于高數值孔徑 EUV 光刻技術(shù)將掩膜尺寸減半，其使用將給芯片設計人員和制造商帶來(lái)一些額外的挑戰。

當然，從現在到 2027-2028 年，很多事情都可能會(huì )發(fā)生變化，因此不能做出太多的假設。但可以肯定的是，臺積電的科學(xué)家和開(kāi)發(fā)人員正在致力于下一代生產(chǎn)節點(diǎn)的研發(fā)。