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臺積電.晶圓代工
臺積電.晶圓代工 文章 進(jìn)入臺積電.晶圓代工技術(shù)社區
臺積電的平均晶圓價(jià)格，一年內上漲22%
- 臺積電 300 毫米晶圓的平均售價(jià) (ASP) 在 2023 年第四季度上漲至 6,611 美元，單年增長(cháng) 22%。
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聯(lián)電與英特爾“結盟”；部分地區集成電路新政出爐；英飛凌兩大新動(dòng)作
- 1 聯(lián)電與英特爾“結盟”1月25日，聯(lián)電與英特爾共同宣布正式合作，英特爾（Intel）將提供現有廠(chǎng)房及設備產(chǎn)能，聯(lián)電（UMC）提供12nm技術(shù)IP，并負責工廠(chǎng)運營(yíng)及生意接洽。此番與英特爾合作，英特爾將提供其位于美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠(chǎng)進(jìn)行開(kāi)發(fā)和制造，透過(guò)運用晶圓廠(chǎng)的現有設備，大幅降低前期投資，并最佳化利用率。并且后續還會(huì )提供更佳的區域多元且具韌性的供應鏈，協(xié)助全球客戶(hù)做出更好的采購決策。據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，2023
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聯(lián)電、英特爾宣布合作開(kāi)發(fā) 12nm 芯片制程，2027 年投產(chǎn)
- IT之家 1 月 26 日消息，聯(lián)華電子（聯(lián)電）和英特爾 25 日共同宣布，雙方將合作開(kāi)發(fā) 12nm 制程平臺。這項長(cháng)期合作結合英特爾位于美國的大規模制造產(chǎn)能，和聯(lián)電在成熟制程上的晶圓代工經(jīng)驗，以擴充制程組合。英特爾資深副總裁暨晶圓代工服務(wù)（IFS）總經(jīng)理 Stuart Pann 表示：“英特爾致力于與聯(lián)電這樣的企業(yè)合作，為全球客戶(hù)提供更好的服務(wù)。英特爾與聯(lián)電的策略合作進(jìn)一步展現了為全球半導體供應鏈提供技術(shù)和制造創(chuàng )新的承諾，也是實(shí)現英特爾在 2030 年成為全球第二大晶圓代工廠(chǎng)的重要一步?！贝隧?/li>
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前博世高管出任臺積電歐洲子公司總裁
- 歐洲「芯片法案」發(fā)力。
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臺積電2nm制程進(jìn)展順利 晶圓廠(chǎng)最快4月進(jìn)機
- 臺積電在3nm制程工藝于2022年四季度開(kāi)始量產(chǎn)之后，研發(fā)和量產(chǎn)的重點(diǎn)隨之轉向下一代2nm制程工藝，計劃在2025年實(shí)現量產(chǎn)。這意味著(zhù)工廠(chǎng)及相關(guān)的設備要做好準備，以確保按計劃順利量產(chǎn)。臺積電進(jìn)入GAA時(shí)代的2nm制程進(jìn)展順利，最新援引供應鏈合作伙伴的消息報道稱(chēng)，位于新竹科學(xué)園區的寶山2nm首座晶圓廠(chǎng)P1已經(jīng)完成鋼構工程，并正在進(jìn)行無(wú)塵室等內部工程 —— 最快4月啟動(dòng)設備安裝工作，相關(guān)動(dòng)線(xiàn)已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠(chǎng)則計劃在2025年開(kāi)始制造采用此項技術(shù)的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預定
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為了阻擊臺積電和日本半導體，韓國也是拼了
- 12 月中旬，韓國總統尹錫悅與荷蘭首相馬克·呂特發(fā)表聯(lián)合聲明，雙方構建「半導體同盟」。雙方一致認為，兩國在全球半導體供應鏈中有著(zhù)特殊的互補關(guān)系，并重申構建覆蓋政府、企業(yè)、高校的半導體同盟的決心。為此，雙方商定新設經(jīng)貿部門(mén)之間的半導體對話(huà)協(xié)商機制，同時(shí)推進(jìn)半導體專(zhuān)業(yè)人才培養項目。陪同尹錫悅出訪(fǎng)的還有三星電子和 SK 海力士公司的高管團隊，這兩家芯片巨頭都是荷蘭 ASML 公司的主要客戶(hù)。在變化多端的全球半導體市場(chǎng)，為了幫助由三星電子和 SK 海力士支撐的韓國半導體產(chǎn)業(yè)，尹錫悅走到了前臺，凸顯出韓國政府對于保
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臺積電熊本新廠(chǎng)建筑工程上個(gè)月末已完成
- 1月8日消息，據報道，日本熊本放送消息，臺積電日本熊本新廠(chǎng)建筑工程在上個(gè)月末已完成，預定年內投產(chǎn)，目前處于設備移入進(jìn)機階段。另外，該廠(chǎng)開(kāi)幕式預計在2月24日舉行。公開(kāi)資料顯示，臺積電日本子公司主要股東包括持股71%的臺積電、持股近20%的索尼，以及持股約10%的日本電裝（DENSO），熊本第一工廠(chǎng)計劃生產(chǎn)12/16nm和22/28nm這類(lèi)成熟制程的半導體，初期多數產(chǎn)能為索尼代工 CMOS 圖像傳感器中采用的數字圖像處理器（ISP），其余則為電裝代工車(chē)用電子微控制器 MCU，電裝可取得約每月1萬(wàn)片產(chǎn)能。臺積
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英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來(lái)兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節點(diǎn)。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì )采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時(shí)觀(guān)望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
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華為5納米SoC并非中芯制造
- Huawei最近推出了一款名為清云L450的筆記本電腦，配備了全新的海思麒麟9006c芯片。這款芯片之所以與最近推出的華為麒麟芯片不同，是因為它是一款5納米的SoC。迄今為止，在美國的制裁之后，華為只能推出7納米的芯片。因此，在清云L450筆記本電腦內看到一款5納米的華為麒麟SoC引起了人們的興趣。許多人認為，這家中國制造商終于找到了一種突破限制、生產(chǎn)先進(jìn)芯片的方式。然而，Tech Insights的拆解揭示了所有的謠言。結果顯示，華為麒麟9006c并非由中國半導體制造廠(chǎng)商中芯國際（SMIC）制造，而是來(lái)
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TSMC不會(huì )在2030年或更晚采用先進(jìn)的High-NA EUV芯片制造工具 ——英特爾本周剛剛收到了其第一臺：報告
- TSMC 不急于采用ASML的High-NA EUV進(jìn)行大規模生產(chǎn)。本周，英特爾開(kāi)始收到其第一臺ASML的0.55數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻工具，它將用于學(xué)習如何使用這項技術(shù)，然后在未來(lái)幾年內將這些機器用于18A后的生產(chǎn)節點(diǎn)。相比之下，據中國Renaissance和SemiAnalysis的分析師表示，TSMC并不急于在不久的將來(lái)采用High-NA EUV，該公司可能要在2030年或更晚才會(huì )加入這一陣營(yíng)?！芭c英特爾在轉向GAA（計劃在[20A]插入之后）后不久即開(kāi)始使用High-NA
- 關(guān)鍵字： 半導體 臺積電，ASML
臺積電.晶圓代工介紹
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