特斯拉明年將采用臺積電3nm芯片

據外媒，除了傳統客戶(hù)聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達、英特爾、高通外，特斯拉也已確認參與臺積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設計定案（New Tape-Outs，NTOs）。報道稱(chēng)，特斯拉成為臺積電N3P的客戶(hù)也表明，其打算利用該尖端技術(shù)生產(chǎn)下一代全自動(dòng)駕駛(FSD)智能駕駛芯片。

據了解，臺積電N3P工藝計劃預計在2024年投產(chǎn)，與N3E工藝相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。臺積電表示，N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標，以及技術(shù)成熟度，都超過(guò)了英特爾的18A工藝。