為降低EUV光刻成本，SK海力士將轉向“4F2”結構的3D DRAM

8月13日消息，據Thelec報道，SK 海力士研究員Seo Jae Wook 周一在韓國首爾舉辦的產(chǎn)業(yè)會(huì )議中指出，自從1c納米制程DRAM 商業(yè)化之后，極紫外光（EUV）光刻制程成本將快速攀升，SK海力士計劃開(kāi)發(fā)3D DRAM以進(jìn)一步控制成本。

Seo Jae Wook 認為，現在是確認使用EUV制造DRAM 是否有利可圖的時(shí)刻，目前公司考慮未來(lái)DRAM 制造采用垂直柵極（VG）技術(shù)，即所謂的“3D DRAM”。

所謂的垂直柵極技術(shù)是DRAM制造商內部所稱(chēng)的“4F2”結構，這是一種經(jīng)過(guò)大量研究的單元陣列結構，其中晶體管以垂直方式堆疊，也就是3D DRAM。三星將這種3D DRAM 稱(chēng)為“垂直通道晶體管”（vertical channel transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)VCT）。

4F2結構從下而上依序為源極（source）、閘極（gate）、汲極（drain）和電容器（capacitor）。字元線(xiàn)（Word Line）連接到閘極，位元線(xiàn)（Bit Line）則連接到源極。與6F2 DRAM 相比，采用這種單元陣列可將芯片表面面積減少30%。

知情人士表示，三星和SK 海力士目標是10nm制程以下的DRAM 應用4F2技術(shù)。SK 海力士的Seo Jae Wook 認為，采用VG 或3D DRAM 制程設計，可將EUV 制程成本降一半。

三星此前宣布成功將3D DRAM 堆疊到16 層，但表示現在不是量產(chǎn)階段，而是可行性驗證階段。

編輯：芯智訊-林子