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3G相關(guān)應用將帶動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)上下游發(fā)展
- 新興市場(chǎng)的3G應用正逐步進(jìn)入主流。主流的幾家3G核心芯片供貨商賽靈思及阿爾特拉以及3G芯片龍頭高通不僅財報亮眼，第三季財測也均優(yōu)于預期。由于3G相關(guān)應用將成為接下來(lái)帶動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)上下游成長(cháng)動(dòng)力所在，而通訊芯片廠(chǎng)業(yè)績(jì)紅火，晶圓代工龍頭臺積電將是最大受惠者。 印度3G執照在5 月底正式拍出，中國3G用戶(hù)數也在6月正式突破千萬(wàn)人，由于中國及印度是全球人口最多的國家，因此中國及印度將成為接下來(lái)通訊芯片廠(chǎng)兵家必爭之地。另外，中國3G開(kāi)臺后，目前中國移動(dòng)、中國聯(lián)通、中國電信除了積極布建基地臺外，也把布建范圍
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臺積電、全球晶圓激戰ARM平臺 20納米世代競賽提前啟動(dòng)
- 全球晶圓(Global Foundries)挑戰臺積電晶圓代工市場(chǎng)地位來(lái)勢洶洶，2010年初甫與安謀(ARM)攜手開(kāi)發(fā)28納米制程，挑戰臺積電在先進(jìn)制程領(lǐng)先優(yōu)勢，然臺積電亦不干示弱，正式宣布與ARM簽訂長(cháng)期合約，將技術(shù)世代延續至28與20納米制程，建立更長(cháng)遠合作關(guān)系，在看好ARM平臺于可攜式電子產(chǎn)品發(fā)展潛力，臺積電與全球晶圓雙方熱戰互不相讓。 臺積電指出，已與ARM簽訂長(cháng)期合約，在制程平臺上擴展ARM系列處理器及實(shí)體智財設計開(kāi)發(fā)，從目前技術(shù)世代延伸到未來(lái)20納米制程，以ARM處理器為設計核心，并
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芯片廠(chǎng)搶灘中印 臺積電最受寵
- 新興市場(chǎng)的3G應用正逐步發(fā)燒，帶動(dòng)3G基地臺主要核心芯片供貨商賽靈思及阿爾特拉以及3G芯片龍頭高通不僅財報亮眼，第三季財測也均優(yōu)于預期，由于3G相關(guān)應用將成為接下來(lái)帶動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)上下游成長(cháng)動(dòng)力所在，而通訊芯片廠(chǎng)業(yè)績(jì)紅火，晶圓代工龍頭臺積電將是最大受惠者。 受惠于中國正在積極的布建3G環(huán)境，3G基地臺零組件在今年第二季需求相當強勁，帶動(dòng)主要核心芯片供貨商賽靈思(Xilinx)及阿爾特拉(Altera)第二季財報繳出亮麗成績(jì)。其中賽靈思預估今年第三季營(yíng)收季增率將達3%-7%;另外，阿爾特拉也預估本季
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臺積電拒絕接受STC.UNM的專(zhuān)利侵權指控
- 臺積電日前表示，美國半導體公司STC.UNM針對公司的專(zhuān)利侵權指控是不實(shí)指控。 STC.UNM是新墨西哥大學(xué)(UniversityofNewMexico)旗下一家負責技術(shù)轉讓的公司。 臺積電在一份聲明中說(shuō)，公司將積極應訴，拒絕接受美國國際貿易委員會(huì )(U.S.InternationalTradeCommission)調查中的有關(guān)指控。 STC在6月底針對臺積電提起訴訟，指控臺積電進(jìn)口有侵權行為產(chǎn)品的做法有違專(zhuān)利法的規定，屬不正當競爭行為。 STC說(shuō)，這項專(zhuān)利指的是微影制程技術(shù)(l
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臺積電與ARM簽訂長(cháng)約 拓展28及20納米制程
- 7月20日消息，晶圓代工廠(chǎng)臺積電與ARM公司簽訂長(cháng)期合約，在臺積制程平臺上擴展ARM系列處理器及實(shí)體智財設計開(kāi)發(fā)，并規劃共同拓展28納米與20納米制程。 雙方合作內容包括，臺積將Cortex系列處理器及CoreLink AMBA協(xié)定系列完成制程最佳化實(shí)作。同時(shí)，也將與ARM合作，開(kāi)發(fā)28奈米與20奈米制程嵌入式記憶體及標準元件庫等實(shí)體智財產(chǎn)品。 臺積電研究發(fā)展副主管許夫傑表示，雙方合作預期將可強化開(kāi)放創(chuàng )新平臺價(jià)值，并促進(jìn)整個(gè)半導體供應鏈創(chuàng )新。而未來(lái)系統單晶片應用客戶(hù)，將獲致最佳的產(chǎn)品效能。
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晶圓代工競逐高階制程 設備大廠(chǎng)受惠
- 晶圓代工搶攻高階制程市占率，積極擴充產(chǎn)能，臺積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)與三星電子(Samsung Electronics)皆大手筆添購設備，帶動(dòng)半導體設備業(yè)再現產(chǎn)業(yè)循環(huán)高峰，包括應用材料(Applied Materials)、艾斯摩爾(ASML)等接單暢旺，不僅走出2009年金融海嘯虧損陰霾，2010年營(yíng)收亦可望創(chuàng )佳績(jì)。 根據市場(chǎng)機構估計，到 2011年第4季時(shí)，臺積電、 Global Foundries與三星的45奈米以下制程產(chǎn)能總和的年增率可大幅成長(cháng)約3倍。光是
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ASML整合微影方案獲意法采用
- 受惠于晶圓代工與DRAM廠(chǎng)推出先進(jìn)制程，對浸潤式顯影機臺需求大增，讓半導體設備大廠(chǎng)艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺，隨著(zhù)半導體制程推進(jìn)5x奈米以下先進(jìn)制程，制程復雜度大增，亦需加緊提高量良率，讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(shù)(Holistic Lithography)系列產(chǎn)品，已獲得意法半導體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。 ASML指出，隨著(zhù)半導體制程推進(jìn)到50x奈米以下制程，業(yè)者投入的經(jīng)費越來(lái)越高昂，生產(chǎn)時(shí)程亦拉得更長(cháng)，良率更難提升，制程容許度(p
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臺積電中國松江8英寸Fab10工廠(chǎng)月產(chǎn)能將擴增至6萬(wàn)片
- 臺積電公司近日透露，為了滿(mǎn)足大陸市場(chǎng)的需求，公司將擴增其設在上海松江的8英寸廠(chǎng)Fab10的產(chǎn)能。臺積電公司高級副總裁劉德音表示，目前該工廠(chǎng)的月產(chǎn) 能為2萬(wàn)片(按8英寸計算)，而公司的計劃是將其月產(chǎn)能增加到6萬(wàn)片，不過(guò)他并沒(méi)有透露產(chǎn)能增加計劃將于何時(shí)完成。 另注： --WaferTech為臺積電在7年前于美華盛頓州設立的合資企業(yè) --SSMC為臺積電在新加坡與NXP公司合資的公司 --TSMC China則為臺積電在中國上海成立的公司，文中所提8英寸Fab10工廠(chǎng)即屬此分公司
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GlobalFoundries投入EUV技術(shù) 4年后量產(chǎn)
- 繼晶圓代工大廠(chǎng)臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時(shí)間14日于SEMICON West展會(huì )中宣布，投入EUV微影技術(shù)，預計于2012年下半將機臺導入位于美國紐約的12寸晶圓廠(chǎng)(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。 由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術(shù)，讓微影技術(shù)得以發(fā)展至2x奈米，不過(guò)浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長(cháng)的光源，走到22奈米已
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臺積電資本支出將超越英特爾
- 臺積電董事長(cháng)張忠謀看好半導體市場(chǎng)景氣持續復蘇，決定加大12吋廠(chǎng)擴產(chǎn)力道，包括竹科Fab12第5期第4季投產(chǎn)，南科Fab14明年上半年投產(chǎn)，及中科 Fab15加速建廠(chǎng)等。設備商預估，臺積電應會(huì )在月底法說(shuō)會(huì )中再度上修今年資本支出，以目前投資力道來(lái)看，有機會(huì )上看55億美元。若果達此水平，則將超越英特爾日前修正后的52億美元目標。 臺積電原本預期今年資本支出達48億美元，但今年以來(lái)12吋廠(chǎng)高階制程產(chǎn)能一直供不應求，下半年雖然法人及分析師認為景氣復蘇力道將趨緩，不過(guò)臺積電第3季先進(jìn)制程接單仍然滿(mǎn)載，第4季
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TSMC超大型12英寸晶圓廠(chǎng)動(dòng)土 2012年投產(chǎn)
- TSMC于16日在中國臺灣臺中科學(xué)園區舉行第三座十二吋超大型晶圓廠(chǎng)(GIGAFABTM)--晶圓十五廠(chǎng)動(dòng)土典禮，為T(mén)SMC“擴大投資臺灣”的承諾寫(xiě)下另一個(gè)重要的里程碑。 動(dòng)土典禮由TSMC張忠謀董事長(cháng)兼總執行長(cháng)主持。張忠謀董事長(cháng)表示，科學(xué)園區在臺灣高科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展過(guò)程中，扮演關(guān)鍵的角色，也是TSMC之所以能夠“立足臺灣、放眼全球、在全球半導體業(yè)發(fā)光”的重要支持。過(guò)去二十幾年來(lái)，TSMC陸續在竹科及南科茁壯成長(cháng)，如今位于中科的晶圓十五廠(chǎng)開(kāi)始動(dòng)土興建，
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X-FAB公布首款0.35微米100V高壓純晶圓代工廠(chǎng)技術(shù)
- X-FAB Silicon Foundries，業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號晶圓廠(chǎng)及“超越摩爾定律”技術(shù)的專(zhuān)家，今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠(chǎng)工藝。它能用于電池管理,提供新類(lèi)型的可靠及高性能電池監控與保護系統。它也非常適合用于功率管理設備，以及用于使用壓電驅動(dòng)器的超聲波成像和噴墨打印機的噴頭。此外，X-FAB加入了新興改良式N類(lèi)與P類(lèi)雙擴散金屬氧化物半導體(DMOS)晶體管，對于達到100V的多運作電壓，導通電阻可降低45%，晶片的占位能夠降低40%，從而降低了晶
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臺積電將建月產(chǎn)能10萬(wàn)片芯片廠(chǎng)
- 臺積電位于臺中科學(xué)園區的12寸廠(chǎng)本周五(16日)舉行動(dòng)土典禮，將由董事長(cháng)張忠謀親自主持。這座簡(jiǎn)稱(chēng)為“15廠(chǎng)”的12吋廠(chǎng)，將朝月產(chǎn)能10萬(wàn)片的超大晶圓廠(chǎng)發(fā)展，為臺積電營(yíng)運增加增長(cháng)動(dòng)能，持續在全球芯片工產(chǎn)業(yè)拓大市占率。 臺積電董事長(cháng)張忠謀在今年初說(shuō)明會(huì )中首度對外透露將在中科內建全新的12寸芯片廠(chǎng)，并預計今年中動(dòng)土，因此臺積電選在16日對外舉行動(dòng)土典禮。因動(dòng)土典禮將由張忠謀親自主持，預期他將對外說(shuō)明臺積電對15個(gè)廠(chǎng)的整體投資金額，具體的量產(chǎn)時(shí)程以及發(fā)展重點(diǎn)。 臺積電規劃，
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臺積電第三間12英寸工廠(chǎng)Fab15本月16日舉行動(dòng)工儀式
- 臺積電最近對外發(fā)放了一批動(dòng)工儀式邀請函，邀請函稱(chēng)該公司定于本月16日在臺灣臺中科技園區將舉辦其Fab15工廠(chǎng)的破土動(dòng)工儀式。據臺積電CEO張忠謀 今年4月份透露，臺積電Fab15工廠(chǎng)建成的初期將采用適合于40nm制程的規格進(jìn)行布置，不過(guò)未來(lái)這間工廠(chǎng)將負責為臺積電開(kāi)發(fā)28nm及更高級別的制程 技術(shù)。 除了興建Fab15工廠(chǎng)之外，臺積電同時(shí)還在積極發(fā)展其現有兩家12英寸工廠(chǎng)的制程技術(shù)。今年第三季度，臺積電Fab12工廠(chǎng)第五期擴建工程將正式投入生產(chǎn)使用;而Fab14工廠(chǎng)的第四期擴建工程也將于今年年底前
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