ASML整合微影方案獲意法采用

　　受惠于晶圓代工與DRAM廠(chǎng)推出先進(jìn)制程，對浸潤式顯影機臺需求大增，讓半導體設備大廠(chǎng)艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺，隨著(zhù)半導體制程推進(jìn)5x奈米以下先進(jìn)制程，制程復雜度大增，亦需加緊提高量良率，讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(shù)(Holistic Lithography)系列產(chǎn)品，已獲得意法半導體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。

　　ASML指出，隨著(zhù)半導體制程推進(jìn)到50x奈米以下制程，業(yè)者投入的經(jīng)費越來(lái)越高昂，生產(chǎn)時(shí)程亦拉得更長(cháng)，良率更難提升，制程容許度(process window)更小，讓制程人員再研發(fā)過(guò)程中更為吃力，亦考驗電路設計、光罩及曝光機的穩定性。

　　ASML進(jìn)一步指出，為協(xié)助客戶(hù)縮短研發(fā)時(shí)程，并延續摩爾定律(Moore’s Law)，并能夠實(shí)際將制程導入生產(chǎn)線(xiàn)，確保生產(chǎn)線(xiàn)穩定，ASML致力于新型設備的開(kāi)發(fā)，并將設備、軟件與量測等系統結合，提供更大的設計自由度。

　　ASML 于2009年推出Holistic系列產(chǎn)品，其中包括可編程照光技術(shù) (FlexRay)和反饋式調控機制 (BaseLiner)，以及量測設備YieldStar。ASML指出，在Holistic系列產(chǎn)品的架構下，ASML亦結合軟件、輔助硬件應用支持，為客戶(hù)量身打造Eclipse解決方案，滿(mǎn)足每個(gè)客戶(hù)不同的需求。

　　由于進(jìn)入2x奈米以下制程，半導體業(yè)者多采用雙重曝光(double- patterning)微影技術(shù)，但在曝光的同時(shí)，也容易造成誤差，同時(shí)，1個(gè)晶圓廠(chǎng)中，數十臺的曝光機也多少會(huì )有誤差產(chǎn)生，雖然這些誤差在一定的范圍內，仍可容許，不過(guò)隨著(zhù)需求的大幅成長(cháng)，半導體業(yè)者亦積極提升制程量良率，因此進(jìn)而帶動(dòng)對ASML整合微影產(chǎn)品的銷(xiāo)售。

　　ASML表示，最新的Eclipse系列產(chǎn)品，已有包括ST等多家半導體大廠(chǎng)采用，ST采用TWINSCAN NXT 1950i型曝光機，用于28奈米制程，可提升堆疊的準確度。ASML進(jìn)一步指出，公司也正在將Eclipse產(chǎn)品推向20奈米制程。

　　ASML 表示，TWINSCAN NXT 1950i機臺首季出貨9臺，第2季出貨數據將于近期法說(shuō)會(huì )公告，累計至今，全球已有50萬(wàn)片晶圓采用該機臺進(jìn)行曝光。