臺積電40nm制程仍存良率不足問(wèn)題

　　據業(yè)界分析，臺積電的40nm制程目前仍然存在著(zhù)良率不足的問(wèn)題。今年早些時(shí)候，臺積電曾公開(kāi)承認此問(wèn)題，但后來(lái)他們宣稱(chēng)已解決先前大部分良率問(wèn)題。不過(guò)，根據本周四Nvidia公司舉辦的一次會(huì )議的內容，我們可以看出Nvidia公司內部對臺積電的40nm產(chǎn)能及良率方面仍然存在較大的擔憂(yōu)。而另外一 家廠(chǎng)商AMD也是深受其害。

　　不過(guò)并非所有廠(chǎng)商的情況均是如此，比如Altera公司便表示其委托臺積電代工的40nm FPGA產(chǎn)品“良率數據良好。”

　　相比之下，Nvidia則對臺積電的40nm制程良率表達了較為不信任的意見(jiàn)，據Barclays公司的分析師 C.J. Muse透露：“在Nvidia的會(huì )議上，與會(huì )者整晚都在討論臺積電的40nm產(chǎn)能及良率問(wèn)題。”

　　“管理層討論了臺積電的良率改進(jìn)，但他們認為改進(jìn)的程度仍顯不足。盡管良率的確有所改進(jìn)，但不容忽視的是臺積電曾提到目前40nm制程制作過(guò)程中仍存在腔體匹配問(wèn)題(Chamber matching：即保證各個(gè)用于對晶圓進(jìn)行離子注入的工藝腔氣體配方成分盡量一致)，希望他們能盡快解決。”

　　此前有消息指出，造成臺積電40nm制程腔體匹配問(wèn)題的罪魁禍首是其離子注入設備的供應商。

　　“AMD與Nvidia均受到此問(wèn)題的影響，而AMD搶先兩個(gè)月推出DX11顯卡產(chǎn)品的優(yōu)勢則正逐步被這個(gè)問(wèn)題所抵消掉.”