臺積電28納米明年1Q試產(chǎn)　迎擊IBM陣營(yíng)

　　臺積電28納米制程再邁大步，預計最快2010年第1季底進(jìn)入試產(chǎn)，2011年明顯貢獻營(yíng)收，臺積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單，目前28納米制程技術(shù)最大競爭對手，仍是來(lái)自IBM陣營(yíng)的Global Foundries與新加坡特許(Chartered)，雙方競爭更趨激烈。

　　臺積電表示，已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術(shù)藍圖，預計2010年第3季進(jìn)行試產(chǎn)，至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進(jìn)入試產(chǎn)。臺積電表示，自2008年9月正式發(fā)表28納米技術(shù)后，發(fā)展與量產(chǎn)時(shí)程皆按預期計畫(huà)如期進(jìn)行。

　　目前臺積電28納米低功耗制程因延伸自氮氧化矽(SiON)制程，成本與功耗較低，主要鎖定行動(dòng)電話(huà)、精巧型隨身易網(wǎng)機(smart netbook)、無(wú)線(xiàn)通訊、可攜式消費性電子等低耗電應用市場(chǎng);而在高效能制程上，則采用閘極后制(gate-last)技術(shù)，鎖定中央處理器、繪圖處理器、芯片組與可程序化閘陣列(FPGA)、游戲主機等高效能芯片應用。

　　值得一提的是，英特爾是閘極后制技術(shù)擁護者，而另一半導體陣營(yíng)IBM則以閘極優(yōu)先(gate-first)為取向。臺積電研發(fā)副總孫元成指出，采用閘極后制方式發(fā)展28納米高效能制程，在晶體管特性、應用優(yōu)勢及可制造性等方面，都比閘極優(yōu)先方法好。目前采取閘極優(yōu)先以IBM為主軸，包括策略伙伴Global Foundries與特許都已推出28納米制程，其中，Global Foundries預計2010年與客戶(hù)完成設計，2011年量產(chǎn)，與臺積電時(shí)程幾乎不相上下。