RAMTRON 4兆位并口F-RAM存儲器提供FBGA封裝選擇

　　全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA 封裝的4兆位 (Mb) F-RAM存儲器。FM22LD16 是采用48腳FBGA 封裝的3V、4Mb 并口非易失性FRAM，具有高訪(fǎng)問(wèn)速度、幾乎無(wú)限的讀/寫(xiě)次數以及低功耗等優(yōu)點(diǎn)。FM22LD16 與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 在管腳上兼容，并適用于工業(yè)控制系統如機器人、網(wǎng)絡(luò )和數據存儲應用、多功能打印機、自動(dòng)導航系統，以及許多以SRAM為基礎的系統設計。此外，Ramtron 亦提供采用44 腳 TSOP封裝的4Mb并口F-RAM產(chǎn)品。

　　Ramtron 市場(chǎng)拓展經(jīng)理Duncan Bennett解釋道：“FM22LD16 可讓系統設計人員以相同的占位面積提供多四倍的 F-RAM 容量，這種新型 4Mb FBGA封裝選擇對于電路板空間受限的 RAID 控制器和工業(yè) PC制造商別具吸引力。而 FM22LD16 無(wú)需電池，和具有更小的存儲器占位面積，是市場(chǎng)上空間效率最高的非易失性RAM產(chǎn)品。

產(chǎn)品特點(diǎn)

　　FM22LD16 是256K×16 的非易失性存儲器，采用工業(yè)標準并行接口實(shí)現存取，存取的時(shí)間為55ns，而周期為110ns。該器件以 “無(wú)延遲” (No Delay) 寫(xiě)入的總線(xiàn)速度進(jìn)行讀寫(xiě)操作，耐久性至少為1E14 (100萬(wàn)億) 次寫(xiě)入并提供10年的數據保存能力。

　　這種4Mb FRAM 是標準異步 SRAM 完全替代器件，但其性能卻優(yōu)越很多，因為它在進(jìn)行數據備份時(shí)不需電池，而且還具有單個(gè)芯片方式的固有高可靠性。FM22LD16是真正的表面安裝解決方案，與電池供電的SRAM不同，它無(wú)需電池連接的返工步驟，而且具有很高的耐潮濕、抗沖擊和振動(dòng)特性。


　　另外，FM22LD16 備有便于與現今高性能微處理器相連的接口，兼具高速頁(yè)面模式，能以高達40MHz的速度進(jìn)行4字節 Burst讀/寫(xiě)操作，這比其它非易失性存儲器的總線(xiàn)速度高出很多。該器件的工作電流更低于類(lèi)似密度的其它非易失性存儲器，讀/寫(xiě)操作時(shí)為8mA，而在待機模式下僅為90µA。FM22LD16在整個(gè)工業(yè)溫度范圍內 (-40℃至+85℃) 于2.7V至3.6V電壓工作。

價(jià)格和供貨

　　Ramtron 現已提供FM22LD16的工程樣件，采用符合RoHS要求的48腳BGA封裝，小批量訂購的起價(jià)為23美元。

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