臺積電將28納米制程定位為全世代制程

　　臺積電日前宣布，將28納米制程定位為全世代(Full Node)制程，同時(shí)提供客戶(hù)高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)及氮氧化硅材料兩種選擇，以支持不同產(chǎn)品的應用及效能需求。此一28納米制程預計于2010年第一季開(kāi)始生產(chǎn)。

　　臺積公司28納米系列制程同時(shí)具備了高介電層/金屬閘以及氮氧化硅閘晶體管兩種選擇的彈性制造能力，而28納米制程將是此一系列中的全世代制程。目前有多個(gè)客戶(hù)正使用臺積公司28納米制程進(jìn)行產(chǎn)品設計，藉由與客戶(hù)密切的協(xié)同合作，可以讓客戶(hù)選用最佳化的晶體管材料，以達到速度、耗電與成本考量的目標。

　　臺積公司全球業(yè)務(wù)暨行銷(xiāo)副總經(jīng)理陳俊圣表示：“產(chǎn)品差異化、加快產(chǎn)品上市時(shí)程以及最佳投資效益，是臺積公司提供給客戶(hù)最重要的三個(gè)價(jià)值。有鑒于此，我們正在開(kāi)發(fā)一個(gè)全備的28納米制程系列，來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)不同產(chǎn)品應用及效能的需求。”

　　以氮氧化硅為基礎的28納米低耗電高效能制程-28LPT (Low Power/High Performance)制程，是此一制程系列中總功耗最低及具備成本效益的選擇，與40納米低耗電制程(40LP)相較，其閘密度預計可增為2倍，速度可增加最多達50%或功耗減少30%至50%。28LPT制程預計于民國九十九年初即可開(kāi)始生產(chǎn)，可應用于行動(dòng)基頻、應用處理器、無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )與可攜式消費性電子產(chǎn)品等。

　　由于無(wú)線(xiàn)和行動(dòng)消費性產(chǎn)品日新月異，為了協(xié)助客戶(hù)搶得市場(chǎng)先機，臺積公司遂決定在成功的氮氧化硅材料基礎上開(kāi)發(fā)28 LPT制程。過(guò)去幾年，消費者的需求是低漏電且電池壽命長(cháng)久的可攜式電子產(chǎn)品，而今消費者對無(wú)線(xiàn)通訊設備的需求，除了傳統的通話(huà)和簡(jiǎn)訊發(fā)送功能之外，更希望其具備上網(wǎng)、視訊串流(Video Streaming)、音樂(lè )、行動(dòng)電視、衛星導航等功能。目前，在電池壽命方面，消費者更關(guān)心的是操作功耗的多寡，而氮氧化硅材料的閘電容量較低，操作功耗較一般高介電層/金屬閘要小，為受到電力限制的產(chǎn)品提供較低的總功耗優(yōu)勢、更佳的成本效益及更低的風(fēng)險。

　　臺積公司先進(jìn)技術(shù)事業(yè)資深副總經(jīng)理劉德音表示：“我們的客戶(hù)期待一個(gè)高效能、低操作功耗與具有成本效益的技術(shù)，可針對他們的市場(chǎng)需要來(lái)開(kāi)發(fā)各種可攜式消費產(chǎn)品。”

　　至于28納米高效能制程(High Performance，28HP)則是臺積公司第一個(gè)使用高介電層/金屬閘的制程，將著(zhù)重于中央處理器、繪圖處理器及可程序邏輯門(mén)陣列(FPGAs)等高效能的產(chǎn)品應用，預計于民國九十九年上半年度開(kāi)始生產(chǎn)。此外，與40納米泛用型制程(40G)相較，在類(lèi)似的電力密度下，28HP制程的閘密度增為2倍，速度則高出30%以上。而在28納米世代之后的更新世代制程，高介電層/金屬閘材料將具有明顯的優(yōu)勢。

　　臺積公司的28納米制程目前提供α版的設計套件支持，預計于今年底開(kāi)始推出快速且頻繁的晶圓共乘服務(wù)(CyberShuttle™)予客戶(hù)進(jìn)行產(chǎn)品試制。

　　臺積公司目前正與客戶(hù)及設計生態(tài)系統合作伙伴密切合作，于近來(lái)揭示的開(kāi)放創(chuàng )新平臺(Open Innovation Platform™)上建構一完善的28納米制程設計基礎，目標在于協(xié)助客戶(hù)使用此一制程系列發(fā)展眾多不同產(chǎn)品的差異化。開(kāi)放創(chuàng )新平臺系由臺積公司提供客戶(hù)及合作伙伴實(shí)踐創(chuàng )新的最佳平臺。