KLA-TENCOR推出最新電子束晶圓檢查系統
隨機攜帶的mLoop技術(shù)縮短了數星期的工藝開(kāi)發(fā)時(shí)間eS31是eS3x產(chǎn)品系列中第一個(gè)集成了該公司專(zhuān)有的mLoop(“Micro Loop”)技術(shù)的系統,它可以在早期發(fā)現以前使用電路探針需要花幾個(gè)星期才能發(fā)現的對良率有關(guān)鍵影響的電性缺陷。自從KLA-Tencor推出了前一代eS20XP檢查系統以來(lái),mLoop已經(jīng)被全球領(lǐng)先的芯片制造商采用,以加速他們先進(jìn)工藝的良率學(xué)習周期。mLoop采用獨特的優(yōu)化電壓對比測試結構,有助于芯片制造商確定電路缺陷的精確位置。利用eS31的mLoop技術(shù)可以在一個(gè)小時(shí)內完成整個(gè)晶圓區的檢查。mLoop最初是為生產(chǎn)線(xiàn)后端(BEOL)工藝加速良率學(xué)習周期設計的,它也能發(fā)現生產(chǎn)線(xiàn)前端(FEOL)工藝中的重要缺陷,例如多晶硅間微小殘留,為SRAM結構提供先進(jìn)電路的檢驗。這尤其適用于微調光刻板/光掩膜,以改善線(xiàn)寬。
新型缺陷推動(dòng)著(zhù)新型檢查解決方案的需求向小型設計標準的轉變、新材料和更大的晶圓尺寸導致了缺陷類(lèi)型的顯著(zhù)增加,這些問(wèn)題利用電子束檢查才能發(fā)現。在銅的雙重鑲嵌工藝中,更小的線(xiàn)寬導致了新的隱蔽的缺陷——銅空洞——用光學(xué)檢查系統是難以發(fā)現的。新材料,例如鈷化物和鎳化物,其隱蔽的電路缺陷也在增加。漏電對先進(jìn)邏輯器件性能的影響日益加大,也已成為人們越來(lái)越關(guān)注的一個(gè)焦點(diǎn)。此外,先進(jìn)存儲器件的極大的高寬比比(>40∶1)結構也推動(dòng)著(zhù)電子束檢查的需求,因為光學(xué)檢查設備不能發(fā)現這些結構底部形成的蝕刻下缺陷。eS31是專(zhuān)門(mén)用來(lái)發(fā)現以上這些和影響器件電路性能的許多其他重要缺陷類(lèi)型的方法。
基準靈敏度和生產(chǎn)價(jià)值
eS31具有所需的發(fā)現極?。?0nm以下)的物理缺陷和電壓對比缺陷的靈敏度。eS31系統擴展的光學(xué)設備使之具備了提高數據處理速度和基于規則的分類(lèi)(RBB)生產(chǎn)能力,這比同類(lèi)電子束檢查設備提高了六倍。此外,eS31可作為KLA-Tencor業(yè)界領(lǐng)先的23xx光場(chǎng)檢查平臺,它已被整個(gè)代工行業(yè)廣泛采用。通過(guò)共用一個(gè)通用的平臺,eS31有助于降低設備操作人員的培訓成本,并改善了使用和格式設置的易用性。不同于同類(lèi)電子束檢查平臺,eS31也簡(jiǎn)化了電子束的基本檢測參數設置,同時(shí)利用一個(gè)自動(dòng)化程序進(jìn)行設備校準,使工程師可以把更多的精力集中在實(shí)驗設計(DOE)和工藝的改進(jìn)方面。
KLA-Tencor公司電子束檢查部門(mén)副總裁兼總經(jīng)理Paul Marella表示:“自從十幾年前率先涉足電子束檢查領(lǐng)域以來(lái),我們不斷利用我們擁有的技術(shù)專(zhuān)長(cháng),通過(guò)與用戶(hù)的密切合作,為他們解決了最重要的生產(chǎn)良率問(wèn)題。eS31可以為我們的用戶(hù)提供一個(gè)從65nm工藝開(kāi)發(fā)到生產(chǎn)全過(guò)程的真正的解決方案,幫助他們跟上摩爾定律的進(jìn)程,并降低生產(chǎn)成本?!?
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