IR授權使用DirectFET封裝技術(shù)

　　IR近日與兩家總部分別位于不同地區的半導體供應商達成協(xié)議，授權他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)。

　　DirectFET MOSFET封裝技術(shù)基于突破性的雙面冷卻技術(shù)，在2002年推出后迅速成為了先進(jìn)計算、消費及通信應用解決安裝散熱受限問(wèn)題的首選解決方案。自從該技術(shù)推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長(cháng)速度最快的產(chǎn)品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，IR 預期隨著(zhù)有關(guān)授權協(xié)議的達成，這項封裝技術(shù)將成為多元化應用的行業(yè)標準。

　　IR 公司的首席執行官 Alex Lidow 先生表示：“我們不斷開(kāi)發(fā)節省能源的技術(shù)。IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)有助于降低能量損失并減少設計的占板面積，還能夠推動(dòng)計算技術(shù)的發(fā)展?！彼a充道：“通過(guò)這些授權協(xié)議，我們將可以擴大 IR DirectFET 創(chuàng )新封裝技術(shù)在節能方面的影響力?！?nbsp;