EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
directfet
directfet 文章 進(jìn)入directfet技術(shù)社區
IR為工業(yè)應用推出大罐式DirectFET MOSFET系列
- 球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變器，以及動(dòng)態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開(kāi)關(guān)應用。 全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導通電阻性能，從而實(shí)現較低的導通損耗和更理想的系統效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET
IR 推出新型25V DirectFET 芯片組
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術(shù)，還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數 (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開(kāi)關(guān)和熱特性，成為一個(gè)為高頻率 DC-DC 開(kāi)
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET 芯片組
IR 推出適用于汽車(chē)的 DirectFET 2 功率 MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 今天推出適用于汽車(chē)的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車(chē)應用實(shí)現了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。 IR 的這些首款汽車(chē)用 DirecFET2 件完全不含鉛，與傳統標準塑料封裝元件相比，可降低整體系統級尺寸和成本，實(shí)現更優(yōu)異的性能和效率。 IR 亞洲區銷(xiāo)售副總裁潘大偉
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET AUIRF7739L2 AUIRF7665S2 DirectFET
IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動(dòng)態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開(kāi)關(guān)應用達到最佳效果。 IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術(shù)，提供極低的通態(tài)電阻(在10V Vgs時(shí)典型為0.5mΩ)，同時(shí)比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關(guān)旁路元件的傳導
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET
國際整流器公司授權英飛凌科技使用DirectFET®封裝技術(shù)
- 英飛凌科技股份有限公司與國際整流器公司IR宣布，英飛凌獲得國際整流器公司DirectFET?的授權許可，獲準使用享有專(zhuān)利的先進(jìn)功率封裝技術(shù)。 DirectFET功率封裝技術(shù)適用于計算機、筆記本、通信設備和消費類(lèi)電子產(chǎn)品中的交流-直流以及直流-直流電源轉換器件，是業(yè)界一流的表面貼功率MOSFET封裝技術(shù)，在SO-8封裝尺寸或更小尺寸上進(jìn)行頂部冷卻非常有效。較之標準分立塑封，DirectFET的“金屬帽”結構可實(shí)現雙面冷卻，將高頻直流-直流降壓轉換器的電流處理能力提升一倍。 英飛凌將在OptiMOS2和Opt
- 關(guān)鍵字： 工業(yè)控制 國際整流器 英飛凌 DirectFET 中間件 軟件庫
IR授權使用DirectFET封裝技術(shù)
- IR近日與兩家總部分別位于不同地區的半導體供應商達成協(xié)議，授權他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)。 DirectFET MOSFET封裝技術(shù)基于突破性的雙面冷卻技術(shù)，在2002年推出后迅速成為了先進(jìn)計算、消費及通信應用解決安裝散熱受限問(wèn)題的首選解決方案。自從該技術(shù)推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長(cháng)速度最快的產(chǎn)品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，I
- 關(guān)鍵字： DirectFET IR 電源技術(shù) 封裝技術(shù) 模擬技術(shù) 封裝
IR授權使用DirectFET封裝技術(shù)
- IR近日與兩家總部分別位于不同地區的半導體供應商達成協(xié)議，授權他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)。 DirectFET MOSFET封裝技術(shù)基于突破性的雙面冷卻技術(shù)，在2002年推出后迅速成為了先進(jìn)計算、消費及通信應用解決安裝散熱受限問(wèn)題的首選解決方案。自從該技術(shù)推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長(cháng)速度最快的產(chǎn)品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，I
- 關(guān)鍵字： DirectFET IR 電源技術(shù) 封裝 模擬技術(shù) 授權 封裝
| 共8條 1/1 1 |
directfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條directfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對directfet的理解，并與今后在此搜索directfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對directfet的理解，并與今后在此搜索directfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473