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制程節點(diǎn)
制程節點(diǎn) 文章 進(jìn)入制程節點(diǎn)技術(shù)社區
4nm→2nm，三星或升級美國德州泰勒晶圓廠(chǎng)制程節點(diǎn)
- 根據韓國媒體Etnews的報導，晶圓代工大廠(chǎng)三星正在考慮將其設在美國德州泰勒市的晶圓廠(chǎng)制程技術(shù)，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠(chǎng)和英特爾的競爭。消息人士稱(chēng)，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠(chǎng)投資于2021年，2022年開(kāi)始興建，計劃于2024年底開(kāi)始分階段運營(yíng)。以三星電子DS部門(mén)前負責人Lee Bong-hyun之前的說(shuō)法表示，到2024年底，我們將開(kāi)始從這里出貨4納米節點(diǎn)制程的產(chǎn)品。不過(guò)，相較于三星泰勒市晶圓廠(chǎng)，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
- 關(guān)鍵字： 4nm 2nm 三星 晶圓廠(chǎng) 制程節點(diǎn)
創(chuàng )新、扎實(shí)而嚴謹的工程,成就“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”
- 今年9月，Intel 4制程節點(diǎn)實(shí)現大規模量產(chǎn)，英特爾重獲制程領(lǐng)先性的“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”之旅又按時(shí)抵達了一座里程碑。近日，英特爾執行副總裁兼技術(shù)開(kāi)發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher為我們講述了這一計劃的“幕后故事”，英特爾是如何按時(shí)穩步推進(jìn)“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”計劃的呢？目前，Intel 7和Intel 4已經(jīng)實(shí)現大規模量產(chǎn)，Intel 3即將到來(lái)，實(shí)現約18%的每瓦性能提升，而接下來(lái)的Intel 20A和Intel 18A同樣進(jìn)展順利，在每瓦性能上將比上一個(gè)節點(diǎn)各提升約10%。創(chuàng )新技術(shù)加持Ann Kell
- 關(guān)鍵字： 制程節點(diǎn) 英特爾 Intel
英特爾CEO：“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”進(jìn)展正在得到第三方肯定
- 近日，英特爾公司首席執行官帕特·基辛格表示，英特爾將按計劃或提前完成其“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”計劃，英特爾在制程技術(shù)方面取得的進(jìn)展正在得到第三方的充分肯定。 在2021年7月，英特爾公布了“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”計劃，即通過(guò)在（當時(shí)的）未來(lái)四年內推進(jìn)Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A五個(gè)制程節點(diǎn)，于2025年重獲制程領(lǐng)先性。這一計劃也標志著(zhù)英特爾調整了其命名制程節點(diǎn)的方式，目前在半導體行業(yè)內，制程節點(diǎn)的數字已不再表示芯片的具體物理特征，但仍然代表著(zhù)性能
- 關(guān)鍵字： 英特爾 制程節點(diǎn)
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制程節點(diǎn)介紹
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