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工藝制程
工藝制程 文章 進(jìn)入工藝制程技術(shù)社區
0.75 NA 突破芯片設計極限！Hyper-NA EUV 首現 ASML 路線(xiàn)圖：2030 年推出，每小時(shí)產(chǎn) 400-500 片晶圓
- IT之家 6 月 14 日消息，全球研發(fā)機構 imec 表示阿斯麥（ASML）計劃 2030 年推出 Hyper-NA EUV 光刻機，目前仍處于開(kāi)發(fā)的“早期階段”。阿斯麥前總裁馬丁?凡?登?布林克（Martin van den Brink）于今年 5 月，在比利時(shí)安特衛普（Antwerp）召開(kāi)、由 imec 舉辦 ITF World 活動(dòng)中，表示：“從長(cháng)遠來(lái)看，我們需要改進(jìn)光刻系統，因此必須要升級 Hyper-NA。與此同時(shí)，我們必須將所有系統的生產(chǎn)率提高到每小時(shí) 400 到 500 片晶圓”
- 關(guān)鍵字： 光刻機 工藝制程
三星電子宣布其首個(gè)背面供電工藝節點(diǎn) SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)
- IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在北京時(shí)間今日凌晨舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上宣布，其首個(gè)采用 BSPDN（背面供電網(wǎng)絡(luò )）的制程節點(diǎn) SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)推出。BSPDN 技術(shù)將芯片的供電網(wǎng)絡(luò )轉移至晶圓背面，與信號電路分離。此舉可簡(jiǎn)化供電路徑，大幅降低供電電路對互聯(lián)信號電路的干擾。三大先進(jìn)制程代工廠(chǎng)目前均將背面供電視為工藝下一步演進(jìn)的關(guān)鍵技術(shù)：英特爾將于今年率先在其 Intel 20A 制程開(kāi)始應用其背面供電解決方案 PowerVia；臺積電則稱(chēng)搭載其 Super
- 關(guān)鍵字： 三星 工藝制程 BSPDN
半導體研究公司SRC宣布2024年研究招標，提供1380萬(wàn)美元的資金機會(huì )
- 半導體研究公司（SRC），作為一個(gè)一流的研究和人才培養聯(lián)盟，宣布了1380萬(wàn)美元的資金機會(huì )。研究招標將于4月初開(kāi)始，并持續至6月。釋放招標的研究項目包括納米制造材料與工藝（4月10日）；封裝+異質(zhì)集成封裝研究中心（4月10日）；硬件安全（5月7日）；計算機輔助設計與測試（5月7日）；以及環(huán)境、安全和健康（5月7日）。有關(guān)詳細信息和提交信息將于2024年4月10日起在https://src.secure-platform.com/a/page/GetFunded 上提供。我們致力于通過(guò)培養本科生、碩士生和博
- 關(guān)鍵字： 半導體 納米材料 工藝制程
大基金二期入股華力微電子
- 大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，據天眼查APP顯示，近日，上海華力微電子有限公司發(fā)生工商變更：新增國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司為股東，公司注冊資本由約220.7億人民幣增資至約284億人民幣，增幅約28.68%。公開(kāi)資料顯示，上海華力微電子有限公司成立于2010年1月，擁有先進(jìn)的工藝制程和完備的解決方案，專(zhuān)注于為設計公司、IDM公司及其他系統公司提供65/55納米至28/22納米不同技術(shù)節點(diǎn)的一站式芯片制造技術(shù)服務(wù)。12月1日，華虹半導體發(fā)布公告稱(chēng)，全資子公司華虹宏力與華力微電子簽訂《技術(shù)開(kāi)發(fā)協(xié)議》。華力
- 關(guān)鍵字： 大基金 華力微電子 工藝制程
臺積電5nm制程蓄勢待發(fā) 三星恐望塵莫及
- 4月4日消息，臺積電宣布在開(kāi)放創(chuàng )新平臺之下推出5nm設計架構的完整版本，協(xié)助客戶(hù)實(shí)現支持下一代高效能運算應用產(chǎn)品的5nm系統單芯片設計，目標鎖定擁有廣闊發(fā)展前景的5G與人工智能（AI）市場(chǎng)。目前全球7nm以下先進(jìn)制程賽場(chǎng)只剩下臺積電、三星以及英特爾三個(gè)選手。其中臺積電搶先進(jìn)入7nm制程，且支持極紫外光（EUV）微影技術(shù)的7nm加強版（7nm+）制程已經(jīng)按原計劃于3月底量產(chǎn)，全程采用EUV技術(shù)的5nm制程已經(jīng)進(jìn)入試產(chǎn)，臺積電制程技術(shù)已經(jīng)與英特爾平起平坐，并把三星甩在身后，后者預計2020年才會(huì )進(jìn)入7nm E
- 關(guān)鍵字： TSMC 5nm 工藝制程
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