20nm制程后年來(lái)到:臺積電Fab 14五期動(dòng)工
根據官網(wǎng)消息,臺積電于今日在臺南科學(xué)工業(yè)園區舉行Fab 14超大型晶圓廠(chǎng)五期奠基儀式。此前本站曾經(jīng)報道臺積電Fab 14五期將可極大緩解28nm制程工藝產(chǎn)能不足的現狀,但從今日公告看來(lái)其意義遠不僅僅如此。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/131150.htm臺積電稱(chēng),今日奠基的Fab 14五期將是臺積電繼新竹園區Fab 12六期之后第二座具備20nm制程工藝生產(chǎn)能力的超大型12英寸晶圓廠(chǎng),預計將于2014年初進(jìn)行量產(chǎn)。兩座晶圓廠(chǎng)總無(wú)塵潔凈室面積高達87000平方米,超過(guò)11個(gè)足球場(chǎng)的面積,是一般2英寸晶圓廠(chǎng)的4倍。臺積電稱(chēng)該公司的20nm制程工藝預計也將領(lǐng)先其余同行推出。
Fab 14一至四期總產(chǎn)能為每季度55萬(wàn)片12英寸晶圓,規模為全球第一,每年總產(chǎn)值預計超過(guò)60億美元。未來(lái)臺積電的兩座20nm制程工藝廠(chǎng)房Fab 14五期和Fab 14六期的產(chǎn)值之和將擁有類(lèi)似規模。
臺積電董事長(cháng)兼CEO張忠謀表示,未來(lái)該公司將提高投資規模,進(jìn)一步鞏固臺積電在全球半導體業(yè)的領(lǐng)先地位。由于28nm制程遠遠供不應求的狀況超出預期,在加大28nm制程工藝產(chǎn)能的同時(shí)臺積電還將提前做好準備向20nm過(guò)渡。
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