半導體制程微縮至28納米

　　隨著(zhù)半導體制程微縮到28納米，封測技術(shù)也跟著(zhù)朝先進(jìn)制程演進(jìn)，日月光、矽品、京元電、力成、頎邦等一線(xiàn)大廠(chǎng)，皆加碼布局3D IC及相對應的系統級封裝(SiP)產(chǎn)能，包括矽穿孔(TSV)、銅柱凸塊(Copper Pillar Bump)等。封測業(yè)者預估，最快2011年第4季應可接單量產(chǎn)。

　　臺積電28納米制程已在2011年第2季正式量產(chǎn)，預計到第3季應可持續放量。聯(lián)電在日前法說(shuō)會(huì )曾指出，該公司已有相關(guān)40-28納米的規劃，預料28納米的發(fā)展會(huì )比40-65奈米為快，28奈米制程在2012年可望與40納米同步。

　　半導體制程進(jìn)入28納米時(shí)代，封裝技術(shù)也跟著(zhù)同步演進(jìn)，包括3D IC相對的SiP、TSV以及銅柱凸塊，都是業(yè)者加碼布局的重點(diǎn)。隨著(zhù)TSV加工技術(shù)進(jìn)步，與加工成本下滑，預估采用TSV 3D IC技術(shù)的半導體產(chǎn)品出貨量市占比重，將從2009年的0.9%提高至2015年的14%。

　　SEMI臺灣暨東南亞區總裁曹世綸表示，3D IC是半導體封裝的必然趨勢，現在所有產(chǎn)業(yè)鏈中的廠(chǎng)商都在尋找更經(jīng)濟的解決方案和合作伙伴，希望盡早克服技術(shù)瓶頸，達成量產(chǎn)目標。

　　3D IC將是后PC時(shí)代主流，力成、爾必達(Elpida)與聯(lián)電將針對28納米及以下制程，提! 升3D IC整合技術(shù)，預計于第3季進(jìn)入試產(chǎn)階段，其他封測大廠(chǎng)包括日月光、矽品等，也積極部署3D堆疊封裝技術(shù)，2012~2013年將可以見(jiàn)到明顯增溫態(tài)勢。

　　日月光集團總經(jīng)理暨研發(fā)長(cháng)唐和明指出，由于使用矽基= (Silicon Interposer)的2.5D IC供應鏈已大致完備，2.5D IC的導入預期會(huì )幫助半導體技術(shù)順利地由40奈米導入28納米及以下。在電腦及智慧型手機等應用驅動(dòng)下，預估至2013年2.5D與3D IC的商業(yè)化產(chǎn)品將有機會(huì )問(wèn)世。

　　艾克爾在日前的法說(shuō)會(huì )上提及，該公司在第2季資本支出達9,700萬(wàn)美元，用于支應晶片尺寸覆晶封裝(FC CSP)、堆疊式FC CSP(flip chip stacked CSP)、細線(xiàn)路銅柱凸塊覆晶封裝(fine pitch copper pillar flip chip)等新一代先進(jìn)封裝技術(shù)。該公司表示，在積極著(zhù)墨下，上述封裝技術(shù)的2011年上半營(yíng)收比2010年同期倍增。

　　臺灣3大封測廠(chǎng)皆具備銅柱凸塊相關(guān)技術(shù)能力，在銅打線(xiàn)制程領(lǐng)先的日月光銅柱凸塊，已開(kāi)始送樣認證。根據客戶(hù)產(chǎn)品藍圖規劃，隨著(zhù)28納米制程在2012年躍升主流，也將推升銅柱凸塊需求大幅成長(cháng)。力成已有相關(guān)機臺到位，并與客戶(hù)進(jìn)行認證中，預計2011年第4季~2012年第1季即可量產(chǎn)。

　　頎邦和京元電于2011年3月簽訂合作備忘錄。著(zhù)眼于電子產(chǎn)品輕薄短小為市場(chǎng)趨勢，電源管理IC為加強散熱以及增加電壓，對于厚銅制程需求開(kāi)始浮現，且厚銅制程與金凸塊、錫鉛凸塊制程類(lèi)似，機器設備? |性高，電源管理IC便成為頎邦及京元電共同合作布局的新領(lǐng)域。同時(shí)中小尺寸LCD驅動(dòng)IC轉向12吋廠(chǎng)生產(chǎn)，8吋金凸塊產(chǎn)能開(kāi)始閑置，朝向厚銅制程方向發(fā)展也可解決8吋金凸塊產(chǎn)能過(guò)剩問(wèn)題。