臺積電宣布已開(kāi)發(fā)出22/20nm Finfet雙門(mén)立體晶體管制程

　　據electronicsweekly網(wǎng)站報道，臺積電公司近日宣稱(chēng)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一套采用Finfet雙門(mén)立體晶體管技術(shù)制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經(jīng)采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內含6個(gè)CMOS微晶體管)，據稱(chēng)這種制程生產(chǎn)的芯片產(chǎn)品在0.45V工作 電壓條件下的信號噪聲僅為0.09V。

　　這種Finfet制程技術(shù)采用了雙外延(dual-epitaxy)和多重硅應變(multiple stressors，指應用多種應力源增強溝道載流子遷移率的技術(shù))技術(shù)，臺積電宣稱(chēng)該制程生產(chǎn)出來(lái)的產(chǎn)品，不論是采用n型還是p型溝道的型號，其性能均“十分卓越”，其導通電流可分別達1200/1100uA/um，管子關(guān)閉時(shí)的漏電流則均僅100nA/um。

　　除了采用FinFET技術(shù)之外，這種新制程還采用了較先進(jìn)的193nm沉浸式光刻技術(shù)，漏源級嵌入SiGe層溝道硅應變技術(shù)(從SiGe的名稱(chēng)上看，應該是僅針對P型溝道Fin)，并采用了HKMG(高K絕緣層+金屬柵極)工藝。

　　今年12月份，臺積電將在屆時(shí)召開(kāi)的IEDM大會(huì )上公布這種制程技術(shù)的細節。

　　有關(guān)Finfet，以及立體型晶體管與常規平面型晶體管區別的詳細介紹，讀者可閱讀本站的這篇文章進(jìn)行了解。