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功率器件心得——功率MOSFET心得
- 功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅動(dòng)負載，帶載能力要強?！ 」β蔒OSFET是較常使用的一類(lèi)功率器件?！癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫(xiě)，譯成中文是“金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功
- 關(guān)鍵字： MOSFET 功率放大電路
意法半導體提升車(chē)用40V MOSFET的噪聲性能和能效
- 橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)發(fā)布兩款40V汽車(chē)級MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導體最新的STripFET? F7制造技術(shù)，開(kāi)關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導通能力強。新產(chǎn)品最大輸出電流達到120A，主要目標應用包括高電流的動(dòng)力總成、車(chē)身或底盤(pán)和安全系統，同時(shí)優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性使其特別適用于電機驅動(dòng)裝置，例如電動(dòng)助力轉向系統(EPS)。 意法半導體的STripFET系列采用DeepGATE?技
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 MOSFET
關(guān)于MOS管失效，說(shuō)白了就這六大原因
- MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。 目前在市場(chǎng)應用方面，排名第一的是消費類(lèi)電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板、NB、
- 關(guān)鍵字： MOS管 MOSFET
OptiMOS 5 150 V大幅降低導通電阻和反向恢復電荷
- 英飛凌科技股份公司發(fā)布針對高能效設計和應用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專(zhuān)門(mén)針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達驅動(dòng)、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽(yáng)能電源優(yōu)化器等系統解決方案的重要組成部分之一。 更環(huán)保的技術(shù) 英飛凌堅持不懈地研發(fā)適用于高能效設計的產(chǎn)品，以幫助減少全球二氧化碳排放
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積
- 近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂(lè )系統制造商任職的設計師。“您碰巧在設計中用過(guò)60V的負載開(kāi)關(guān)嗎?”我問(wèn)。他說(shuō)用過(guò)，并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過(guò)空間受限的問(wèn)題嗎?”我問(wèn)。他確實(shí)碰到過(guò)，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
- 關(guān)鍵字： SOT-23 MOSFET
微芯有刷直流電機控制方案
- 有刷直流電機通過(guò)電刷進(jìn)行換向。以下是關(guān)于有刷直流電機的一些關(guān)鍵點(diǎn)：典型的轉子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開(kāi)，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機的定子(或外部機筒)將有
- 關(guān)鍵字： MOSFET 光學(xué)編碼器 PWM 有刷直流電機驅動(dòng)器
被忽略的細節：理解MOSFET額定電壓BVDSS
- 看到這個(gè)主題，可能有些工程師會(huì )問(wèn)：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內容?細節決定技術(shù)，今天研究功率MOSFET數據表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細節，來(lái)理解這個(gè)參數所設定的含義。 數據表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時(shí)漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數據表中標稱(chēng)BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。關(guān)于雪崩擊穿問(wèn)題
- 關(guān)鍵字： MOSFET BVDSS
Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列
- Fairchild，現在是安森美半導體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿(mǎn)足最新的通信、服務(wù)器、電動(dòng)車(chē)(EV)充電器和太陽(yáng)能產(chǎn)品的更高功率密度、系統效率和優(yōu)越的可靠性要求。 SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能，是高性能應用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產(chǎn)品設計者更大的靈活性，特別是對于尺寸受限的設計。 Fair
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET
英飛凌800 V CoolMOS P7系列設立效率和散熱性能的新基準
- 英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級結技術(shù)，兼具出類(lèi)拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個(gè)新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應用，可完全滿(mǎn)足性能、易于設計和性?xún)r(jià)比等市場(chǎng)需求。它主要側重于反激式拓撲，這種拓撲常見(jiàn)于適配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應用。 800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品，這相當于將
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
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