現代IGBT/MOSFET柵極驅動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制

　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers

       作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國 慕尼黑）

　　摘要：通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅動(dòng)器隔離柵的耐受性能。

　　關(guān)鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅動(dòng)器；耐受性；隔離

      在高度可靠、高性能的應用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車(chē)，隔離柵級驅動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無(wú)損。隨著(zhù)Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅動(dòng)器。這些驅動(dòng)器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅動(dòng)器芯片上。這種電隔離可以通過(guò)集成高壓微變壓器或電容器來(lái)實(shí)現^[1-3]。一次意外的系統故障均可導致功率開(kāi)關(guān)甚至整個(gè)功率逆變器損壞和爆炸。因此，需要針對高功率密度逆變器研究如何安全實(shí)施柵級驅動(dòng)器的隔離功能。必須測試和驗證最壞情況下（功率開(kāi)關(guān)被毀壞）隔離柵的可靠性。

　　0 引言

      在最壞的情況下，即高功率MOSFET/IGBT發(fā)生故障時(shí)，逆變器幾千μF的電容組會(huì )快速放電。釋放的電流會(huì )導致MOSFET/IGBT損壞、封裝爆炸、等離子體排出到環(huán)境中^[4]。 一部分進(jìn)入柵級驅動(dòng)電路的電流會(huì )導致電氣過(guò)載^[5]。由于功率密度極高，所以在制作驅動(dòng)器芯片時(shí)，需要保證即使芯片本身出現故障，仍然能夠保持電隔離。

　　1 高度集成的現代柵級驅動(dòng)器的構建

       芯片級隔離采用平面微變壓器方法來(lái)提供電隔離。它采用晶圓級技術(shù)制造 ，配置為半導體器件大小^[1]。iCoupler?通道內含兩個(gè)集成電路(IC)和多個(gè)芯片級變壓器（圖1）。隔離層提供隔離柵，將每個(gè)變壓器的頂部和底部線(xiàn)圈隔開(kāi)（圖2）。數字隔離器采用厚度至少為20 μm的聚酰亞胺絕緣層，在晶圓制造工藝中放置在平面變壓器線(xiàn)圈之間。這種制造工藝以低成本將隔離元件與任何晶圓半導體工藝集成，實(shí)現出色的質(zhì)量和可靠性。圖2的剖面圖顯示了被較厚的聚酰亞胺層隔開(kāi)的頂部和底部線(xiàn)圈的匝數。

　　封裝內的分接引線(xiàn)框架完成隔離。當柵級驅動(dòng)器輸出芯片因功率開(kāi)關(guān)爆炸損壞時(shí)，內部芯片分區和配置必須確保隔離層完好無(wú)損。為確保柵級驅動(dòng)器不受損壞，采取了以下幾種保護措施：

      ? 合理設置外部電路的尺寸，限制流向 柵級驅動(dòng)器芯片的電流；

      ? 在驅動(dòng)器芯片上合理配置輸出晶體管；

      ? 在芯片上合理配置微變壓器；

      ? 合理安排控制封裝內的驅動(dòng)器芯片。

　　ADuM3223 柵級驅動(dòng)器的內部芯片配置（圖1）

　　展示了一種芯片配置示例，它能夠在極端電氣過(guò)載時(shí)避免發(fā)生電隔離故障。

　　2 仿真最糟糕的逆變器故障情況的破壞性試驗

       構建一個(gè)385 V和750 V兩級電壓的測試電路，用來(lái)模擬真實(shí)的功率逆變器情形。在采用110 V/230 Vac電網(wǎng)，需要實(shí)施功率因素校正的系統中，385 V電壓電平極為常見(jiàn)。在使用額定擊穿電壓為1200 V的開(kāi)關(guān)的驅動(dòng)應用中，對于所使用的高功率逆變器而言，750 V電壓電平極為常見(jiàn)。

　　在破壞性試驗中，會(huì )接通由功率開(kāi)關(guān)和適當的驅動(dòng)器組成的逆變器橋臂，直到開(kāi)關(guān)出現故障。破壞過(guò)程中的波形會(huì )被記錄下來(lái)，以確定流入柵級驅動(dòng)器芯片的電平。試驗研究了幾種保護措施，以便限制流入柵級驅動(dòng)器電路的擊穿電流。破壞性試驗中用到了多種IGBT和MOSFET。

　　3 控制MOSFET/IGBT損壞程度的測試電路

       為了實(shí)施IGBT/MOSFET驅動(dòng)器電氣過(guò)載測試（EOS測試），構建了一個(gè)非常接近真實(shí)情況的電路。該電路中包含適用于5kW至20 kW功率范圍逆變器的電容和電阻。軸向型柵極電阻Rg采用2 W額定功率的金屬電阻。為了避免電流從高壓電路反向進(jìn)入外部電源，采用了一個(gè)阻流二極管D1。這也反映了真實(shí)情況，因為浮動(dòng)電源包括至少一個(gè)整流器（即自舉電路）。高壓電源(HV)通過(guò)包括充電電阻Rch和開(kāi)關(guān)S1的電路為電解電容塊充電。

　　實(shí)施EOS測試時(shí)，采用500 μs開(kāi)啟信號來(lái)控制輸入V_IA或V_IB。開(kāi)啟信號通過(guò)微隔離進(jìn)行傳輸，會(huì )造成短路，并損毀功率晶體管T1。在某些情況下，會(huì )出現晶體管封裝爆炸。

　　共采用四種功率開(kāi)關(guān)（兩級電壓）來(lái)仿真逆變器的損壞情況。針對特定開(kāi)關(guān)類(lèi)型實(shí)施的首次測試先后在不采用和采用功率限制電路的情況下進(jìn)行。為了限制損壞階段流入驅動(dòng)器電路的電流，有些測試直接在驅動(dòng)器輸出引腳處配置了齊納二極管Dz（BZ16，1.3W）。此外，還研究了各種不同的柵級電阻值。

　　4 無(wú)功率限制柵級驅動(dòng)電路直接受損測試電路

       還進(jìn)行了另一項仿真最壞情況的實(shí)驗，其中柵級驅動(dòng)器的輸入和輸出芯片直接承受擊穿電流(destructive energy)。在這次破壞性試驗中，將充滿(mǎn)電的大容量電容直接連接到柵級驅動(dòng)器的輸出引腳（圖4）。該試驗展示了可能出現的最嚴重的過(guò)載情形，從而檢驗其隔離功能耐受性。電流直接流入驅動(dòng)電路，而柵級電阻是唯一的功率限制裝置。繼電器S2將高壓耦合到柵級驅動(dòng)器輸出電路。

　　圖5所示為最壞情況測試，其中沒(méi)有采用任何器件限制流入輸入和輸出芯片的電流。將750 V高壓通過(guò)開(kāi)關(guān)S1直接施加于輸出芯片，即在沒(méi)有限流柵級電阻的情況下，將中高壓750 V直接施加于驅動(dòng)器芯片會(huì )出現的最壞情況。

　　另一種可能的最壞情況是對驅動(dòng)器的主側控制芯片施加過(guò)高的電源電壓。推薦使用的最大輸入電源電壓為5.5 V。如果產(chǎn)生輸入電壓的DC-DC轉換器失去調節能力，其輸出電壓就會(huì )增大。失去調節作用時(shí)，轉換器的輸出電壓可以增大到一流DC-DC轉換器的2到3倍。AD_uM4223輸入芯片承受的功率有限，電阻、功率開(kāi)關(guān)、電感等其他設備都和往常一樣在其各自的位置。這些器件會(huì )阻礙電流流入控制芯片。為了真實(shí)模擬DC-DC轉換器故障，選擇采用15 V、1.5 A限流值的電源電壓。

　　5 實(shí)驗結果

      表1給出了使用圖3、圖4和圖5中的電路實(shí)施過(guò)載測試的結果。為了確定保護電路的作用，針對每個(gè)MOSFET/IGBT 功率開(kāi)關(guān)類(lèi)型實(shí)施了兩次測試。在9、10和11的最壞情況測試中，使用了機械開(kāi)關(guān)S1和S2。

　　一般情況下，齊納二極管可以幫助保護驅動(dòng)電路，如表所示（對比試驗1和試驗2）。但是當柵極電阻的值過(guò)小時(shí)，盡管采用了齊納二極管，驅動(dòng)器仍然會(huì )損壞（對比試驗3和試驗4）。

　　通過(guò)對比試驗2和試驗3，以及試驗3和試驗4，可以估算出損害驅動(dòng)器的電流。通過(guò)試驗5和6可以得出一個(gè)非常有趣的結論：與功率等級相同的IGBT相比，超結MOSFET似乎能顯著(zhù)降低流入柵極驅動(dòng)器的功率水平。試驗9、10和11（未限制流入控制和驅動(dòng)器芯片的電流）的目的是研究最壞情況下的隔離柵耐受性。

　　6 MOSFET和IGBT的不同破壞表現

       破壞性試驗展示了功率開(kāi)關(guān)受損時(shí)的各種波形。圖6所示的是超結MOSFET的波形。接通電路和芯片損壞之間的時(shí)間間隔大約是100 μs。只有非常有限的電流流入驅動(dòng)器芯片，需承受過(guò)載情況。在相同的試驗條件下，標準MOSFET產(chǎn)生的柵極電流和過(guò)壓明顯更高，導致驅動(dòng)器損壞，如圖7所示。

　　7 芯片損壞分析

       部分柵級驅動(dòng)器封裝針對不同開(kāi)關(guān)和不同測試條件，其芯片損壞情況相似。圖8所示為試驗8中基于P-MOSFET輸出驅動(dòng)級的損傷情況（表1）。在體電壓為750 V時(shí)試驗導致IGBT爆炸，以及限流器件Rg和Dz損壞；但是，只能看見(jiàn)引腳V DDA 的線(xiàn)焊位置附近小范圍熔化。在損壞階段，柵級過(guò)電流通過(guò)內置的P-MOSFET二極管流入 100 μF 電容。由于過(guò)電流，線(xiàn)焊附近區域熔化。驅動(dòng)器芯片沒(méi)有進(jìn)一步損壞，控制芯片也沒(méi)有出現進(jìn)一步的隔離損壞。圖9所示為試驗9過(guò)程中的熔融區域，其中直接將150 V高壓施加于驅動(dòng)器芯片?？刂菩酒碾姼綦x通過(guò)了本次極端過(guò)載試驗。

　　主側最壞的情況展示的是對控制芯片施加超高電源電壓的情況。因此，在試驗11中，對V_DD1引腳施加了15 V電源電壓（圖5），這明顯超過(guò)了7.0 V絕對最大額定值。圖11中的照片顯示了V_DD1引腳附近芯片有部分燒壞。

　　8 結論

      針對功率開(kāi)關(guān)的破壞性試驗不會(huì )影響集成式柵級驅動(dòng)器ADuM4223/ADuM3223的隔離柵耐受性。即使驅動(dòng)器由于過(guò)多的電流流入輸出芯片而損壞，圖11 輸入控制芯片照片（展示了試驗11期間的損壞位置。施加于電路中的電流在V DD1 引腳周?chē)斐闪诵》秶鷵p壞。未發(fā)現隔離柵受損。）也只是局部小范圍燒壞。多余的電流通過(guò)P-MOS驅動(dòng)晶體管流入隔直電容。因此，只有P-MOS區域出現熔化。

　　AD_uM4223/AD_uM3223的芯片配置不允許熔融區擴散到控制芯片，其中包括電氣隔離信號變壓器。為了限制流入驅動(dòng)器輸出的電流，可以使用齊納二極管。齊納二極管與適當的柵極電阻結合使用，在功率開(kāi)關(guān)損壞時(shí)可以起到保護柵極驅動(dòng)器的作用?？梢栽O計使用柵極電阻來(lái)管理正常工作期間的功耗，并在功率開(kāi)關(guān)損壞時(shí)將驅動(dòng)器與其隔離開(kāi)來(lái)。當芯片上直接施加高壓時(shí)，柵級電阻起保險絲的作用。電阻會(huì )控制芯片損壞程度，將其控制在輸出功率開(kāi)關(guān)周?chē)男》秶鷥取?/p>

　　在最壞的情況下，對輸出芯片施加高功率時(shí)，驅動(dòng)器輸出引腳附近會(huì )出現小范圍損壞。這個(gè)試驗不會(huì )影響隔離的耐受性能。主側在最壞情況下，當電源電壓明顯高于絕對最大額定值時(shí)，電源電壓引腳周?chē)鷷?huì )出現小范圍損壞。在所有電氣過(guò)載試驗中，都未出現隔離功能減弱的跡象。隨后實(shí)施的高壓隔離試驗驗證了電微隔離的耐受性能。適當的芯片結構以及驅動(dòng)器封裝內部的芯片配置，可以避免擊穿電壓擴散到微變壓器的高壓隔離層。

　　參考文獻

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　　[2]Volke A,Hornkamp M,Strzalkowski B.基于無(wú)芯變壓器驅動(dòng)器IC 2ED020I12-F的IGBT/MOSFET應用.Proceedings of PCIM 2004[C],紐倫堡,2004.

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　　[5]Strzalkowski B.IGBT/MOSFET柵極驅動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制.Proceedings of PCIM2014[C],2014.

　　作者簡(jiǎn)介：

       Bernhard Strzalkowski，博士，從1989年到1996年，他作為施塔恩貝格的磁電機研發(fā)工程師，負責開(kāi)發(fā)用于風(fēng)力轉換器和電動(dòng)/混合汽車(chē)的電力電子器件，從1997年到2008年，他加入了位于慕尼黑的Siemens/Infineon公司，其研究和設計工作包括用于工業(yè)/汽車(chē)應用的集成電路，他于2009年2月加入位于德國慕尼黑的ADI公司，負責電源管理、 數字電源和iCoupler數字電源和iCoupler應用。他為歐洲汽車(chē)/通信基礎設施客戶(hù)提供支持，已獲多項與電力電子領(lǐng)域有關(guān)的專(zhuān)利。他是ICE和VDE標準委員會(huì )以及PCIM咨詢(xún)委員會(huì )的成員。

       本文來(lái)源于科技期刊《電子產(chǎn)品世界》2019年第5期第31頁(yè)，歡迎您寫(xiě)論文時(shí)引用，并注明出處