Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅動(dòng)器，提高逆變器級工作效率

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅動(dòng)器---VOD3120A，擴展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率。

　　日前發(fā)布的光耦采用CMOS技術(shù)，含有集成電路與軌到軌輸出級光學(xué)耦合的AIGaAs LED，為門(mén)控設備提供所需驅動(dòng)電壓。VOD3120電壓和電流使其成為直接驅動(dòng)1200 V / 100 A額定值IGBT的理想選擇。

　　器件高隔離電壓分別為VIORM = 891 V，VIOTM = 6000 V，可用于電機驅動(dòng)器、太陽(yáng)能逆變器、開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)、感應爐面、不間斷電源 (UPS) 電流隔離。此外，其欠壓鎖定 (UVLO) 功能避免IGBT / MOSFET發(fā)生故障，最低35 kV/μs共模瞬變抑制能力有助于消除PCB高壓到低壓區域噪聲問(wèn)題。

　　光耦最大傳播延遲為0.5 μs，極為適于要求快速開(kāi)關(guān)的應用。器件符合RoHS標準，可在15 V至30 V電源電壓和-40 °C至+105 °C工業(yè)溫度下工作。

　　VOD3120現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)，供貨周期為六周。