DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

DS1265W 8Mb非易失(NV)SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫(xiě)保護將無(wú)條件使能、防止數據被破壞。該器件沒(méi)有寫(xiě)次數限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

　　關(guān)鍵特性

　　在沒(méi)有外部電源時(shí)下最少可以保存數據10年

　　掉電期間數據被自動(dòng)保護

　　沒(méi)有寫(xiě)次數限制

　　低功耗CMOS操作

　　100ns的讀寫(xiě)存取時(shí)間

　　第一次上電前，鋰電池與電路斷開(kāi)、維持保鮮狀態(tài)

　　可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(IND)溫度范圍

　　通過(guò)美國保險商實(shí)驗室協(xié)會(huì )(UL)認證