DS1250 4096k、非易失SRAM

DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫(xiě)保護將無(wú)條件使能、防止數據被破壞。DIP封裝的DS1250器件可以直接用來(lái)替代現有的512k x 8靜態(tài)RAM，符合通用的單字節寬、32引腳DIP標準。 PowerCap模塊封裝的DS1250器件為表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構成一個(gè)完整的非易失SRAM模塊。該器件沒(méi)有寫(xiě)次數限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

　　關(guān)鍵特性

　　無(wú)外部電源時(shí)最少可以保存數據10年

　　掉電期間數據被自動(dòng)保護

　　替代512k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM及閃存

　　沒(méi)有寫(xiě)次數限制

　　低功耗CMOS操作

　　70ns的讀寫(xiě)存取時(shí)間

　　第一次上電前，鋰電池與電路斷開(kāi)、維持保鮮狀態(tài)

　　±10% VCC工作范圍(DS1250Y)

　　可選擇的±5% VCC工作范圍(DS1250AB)

　　可選的工業(yè)級溫度范圍：-40°C至+85°C，指定為IND

　　JEDEC標準的32引腳DIP封裝

　　PowerCap模塊(PCM)封裝

　　表面貼裝模塊

　　可更換的即時(shí)安裝PowerCap提供備份鋰電池

　　所有非易失SRAM器件提供標準引腳

　　分離的PCM用常規的螺絲起子便可方便拆卸