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sram 文章 進(jìn)入sram技術(shù)社區
ATmegal28擴展512KB掉電保護SRAM方案
- 如今，電子技術(shù)發(fā)展迅猛，尤其是單片機已廣泛地應用于通信、交通、家用電器、便攜式智能儀表和機器人制作等領(lǐng)域，產(chǎn)品功能、精度和質(zhì)量均有大幅度提高，且電路簡(jiǎn)單，故障率低，可靠性高，價(jià)格低廉。在單片機的某些應用中，如果不對系統的外部SRAM進(jìn)行擴展，就不能滿(mǎn)足系統設計的要求。因此如何擴展、擴展什么類(lèi)型的芯片、擴展的容量多大就成為值得考慮的問(wèn)題。這個(gè)問(wèn)題解決的好與壞直接關(guān)系到項目的成敗。本文介紹在A(yíng)VR ATmegal28中如何實(shí)現擴展掉電數據不丟失的512 KB SRAM的方案。 1 系統硬件結構
- 關(guān)鍵字： ATmegal28 SRAM
TMS320C61416 EMIF下雙FPGA加載設計
- 基于SRAM結構的FPGA容量大，可重復操作，應用相當廣泛;但其結構類(lèi)似于SRAM，掉電后數據丟失，因此每次上電時(shí)都需重新加載。 目前實(shí)現加載的方法通常有兩種：一種是用專(zhuān)用Cable通過(guò)JTAG口進(jìn)行數據加載，另一種是外掛與該FPGA廠(chǎng)商配套的PROM芯片。前者需要在PC機上運行專(zhuān)用的加載軟件，直接下載到FPGA片內，所以掉電數據仍然會(huì )丟失，只適用于FPGA調試階段而不能應用于工業(yè)現場(chǎng)的數據加載。 后者雖然可以解決數據丟失問(wèn)題，但這種專(zhuān)用芯片成本較高，供貨周期也較長(cháng)(一般大于2個(gè)月)，使F
- 關(guān)鍵字： SRAM TMS320C61416 FPGA
鐵電存儲器1T單元C-V特性的計算機模擬
- 鐵電存儲器同時(shí)具備可存儲大量資料的動(dòng)態(tài)隨機存儲器DRAM)與高速運作的靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的優(yōu)點(diǎn)，且在斷電后，資料不會(huì )消失，亦具備快閃存儲器的優(yōu)點(diǎn)。在所有非易失性存儲器(NVM)中，鐵電存儲器件被認為是最有吸引力的用于IT的存儲器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實(shí)現多值存儲，在相同規模下可以達到更高的存儲容量，因而在提高性?xún)r(jià)比方面具有極大的優(yōu)勢。 為了系統地從理論上研究鐵電存儲器IT單元特性，米勒首先提出了數學(xué)模型[2]。后人也有用實(shí)驗數據、依據實(shí)驗數據得到的
- 關(guān)鍵字： 存儲器 SRAM NVM 存儲器
用單片機實(shí)現SRAM工藝FPGA的加密應用
- 摘要：首先對采用SRAM工藝的FPGA的保密性和加密方法進(jìn)行原理分析，然后提出一種實(shí)用的采用單片機產(chǎn)生長(cháng)偽隨機碼實(shí)現加密的方法，并詳細介紹具體的電路和程序。 關(guān)鍵詞：靜態(tài)隨機存儲器（SRAM） 現場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA） 加密 在現代電子系統設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過(guò)監視配置的位數據流，進(jìn)行克隆
- 關(guān)鍵字： 靜態(tài)隨機存儲器（SRAM） 現場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA） 加密 MCU和嵌入式微處理器
揚長(cháng)補短發(fā)展FeRAM
- 存儲器在半導體行業(yè)就是一塊萬(wàn)能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數據計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡(jiǎn)單的分成易失性和非易失性?xún)刹糠?，它們各有所長(cháng)，應用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì )失去保存的數據，但是RAM 類(lèi)型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會(huì )丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
- 關(guān)鍵字： DRAM FeRAM RAM SRAM 存儲器
瑞薩科技與松下開(kāi)發(fā)新SRAM制造技術(shù)
- 瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布，共同開(kāi)發(fā)出一種新技術(shù)，可以使45nm工藝傳統CMOS的SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）穩定工作。這種SRAM可嵌入在SoC（系統(集成)芯片）器件和微處理器（MPU）當中。經(jīng)測試證實(shí)，采用該技術(shù)的512Kb SRAM的實(shí)驗芯片，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩定工作，而且在工藝發(fā)生變化時(shí)具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實(shí)驗的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)，集成了兩種不同的存儲單元設計，一個(gè)元
- 關(guān)鍵字： SRAM 瑞薩科技 松下 存儲器
新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應用
- 摘要： 本文介紹了針對高端存儲應用的最新非易失性存儲器NVSRAM?？梢愿鶕靡笠约肮δ苄枰x擇最佳的非易失性存儲器架構。關(guān)鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM 概述眾所周知，在非易失性存儲器領(lǐng)域，市場(chǎng)熱度節節攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫(xiě)，即為非易失性SRAM。本文將比較各類(lèi)非易失性存儲器，并介紹NVSRAM的特點(diǎn)和優(yōu)勢， NVSRAM 的應用以及工作方式。 非易失性存儲器應用
- 關(guān)鍵字： 0701_A NVSRAM SRAM 消費電子 雜志_技術(shù)長(cháng)廊 存儲器 消費電子
用單片機實(shí)現SRAM工藝FPGA的加密應用
- 在現代電子系統設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過(guò)監視配置的位數據流，進(jìn)行克隆設計。因此，在關(guān)鍵、核心設備中，必須采用加密技術(shù)保護設計者的知識產(chǎn)權。 1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問(wèn)題 通常，采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種：由計算機通過(guò)下載電纜配置、用專(zhuān)用配置芯片（如Altera公司的EPCX系列芯片）配置、采用存儲器
- 關(guān)鍵字： FPGA SRAM 單片機 加密 嵌入式系統 存儲器
網(wǎng)絡(luò )應用中的SRAM
- 引言同步SRAM的傳統應用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實(shí)現算法。在相當長(cháng)的一段時(shí)間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò )中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著(zhù)新存儲技術(shù)的出現，系統設計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計數器、統計、包緩沖、隊列管理和存儲分配器。 如今，人們對所有路由器和交換機的要求都不僅限于FIB(轉發(fā)信息庫)搜索。計數器需要跟蹤接受服務(wù)的信息包數量，并獲取統計數據來(lái)解決帳單編制問(wèn)題。通過(guò)統計來(lái)連續監視網(wǎng)絡(luò )(被稱(chēng)為NetFlow)，從而完成問(wèn)題檢測和判定。隨著(zhù)每個(gè)信息包處理量的增加，需要采用包
- 關(guān)鍵字： IPV6 SRAM 存儲器 通訊 網(wǎng)絡(luò ) 無(wú)線(xiàn) 存儲器
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會(huì )消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細 ]
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