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富士通電子推出可在125℃高溫下穩定運行的最新4Mbit FRAM
- 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量達到FRAM產(chǎn)品最高水平，運作溫度最高可達125℃。目前可為客戶(hù)提供評測版樣品。這款全新FRAM是非易失性?xún)却娈a(chǎn)品，在125℃高溫環(huán)境下可以達到10兆次讀/寫(xiě)次數，工作電流低，是工業(yè)機器人和高級駕駛輔助系統（ADAS）等汽車(chē)應用的最佳選擇。FRAM的讀/寫(xiě)耐久性、寫(xiě)入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，并已量產(chǎn)20多年，近年來(lái)廣泛用于可穿戴設備、工業(yè)機器人和無(wú)人機。自去年發(fā)布以來(lái)，2Mbit FRAM M
- 關(guān)鍵字： FRAM DFN ADAS
從新能源汽車(chē)到智能充電樁，富士通打造車(chē)聯(lián)網(wǎng)存儲IC完美陣列
- 隨著(zhù)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)和自動(dòng)駕駛技術(shù)的推廣，汽車(chē)半導體市場(chǎng)正迎來(lái)黃金發(fā)展時(shí)期。有資料顯示，對于 L1 到 L5 等級的自動(dòng)駕駛而言，在 L1 時(shí)自動(dòng)駕駛的半導體成本只有約 150 美金，到 L3 等級提升至 600 美金，上升到 L4、L5 等級，整車(chē)的半導體成本將會(huì )達到 1200 美金。而這個(gè)快速增長(cháng)的市場(chǎng)中，存儲產(chǎn)品和技術(shù)并不為主流媒體關(guān)注。富士通電子元器件(上海)有限公司產(chǎn)品管理部總監馮逸新也在近日的一次活動(dòng)中表示：“隨著(zhù)新基建的部署，充電樁的普及將快速促進(jìn)新能源汽車(chē)的普及，無(wú)論是樁側還是車(chē)側，未來(lái)都將
- 關(guān)鍵字： FRAM VCU
富士通電子推出能在苛刻環(huán)境正常工作的SPI 2Mbit FRAM
- 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS2MTY的SPI 2Mbit FRAM?注1?。此款容量最高的FRAM產(chǎn)品能在高達攝氏125度的高溫下正常運作，其評測樣品（evaluation sample）現已開(kāi)始供應。?此款FRAM非易失性?xún)却嬖谶\作溫度范圍內能保證10兆次讀 / 寫(xiě)次數，并支持實(shí)時(shí)記錄像駕駛數據或定位數據等，這類(lèi)需要持續且頻繁的數據記錄。由于該內存屬于非易失性，并且具有高速寫(xiě)入特點(diǎn)，即使遇到突然斷電的狀況，寫(xiě)入的數據也能完整保留不會(huì )遺失。
- 關(guān)鍵字： IC FRAM EEPROM SPI
富士通電子將自9月推出業(yè)內最高密度8Mbit ReRAM產(chǎn)品
- 富士通電子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出業(yè)內最高密度8Mbit ReRAM(?注1?)---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導體(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(?注2?)合作開(kāi)發(fā)，將于今年9月開(kāi)始供貨。MB85AS8MT是采用SPI接口并與帶電可擦可編程只讀存儲器 (EEPROM) 兼容的非揮發(fā)性?xún)却?，能?.6至3.6伏特之間的廣泛電壓范圍運作。其一大特色是極低的平均
- 關(guān)鍵字： FRAM EEPROM SOP
獨立存儲器
- ●? ?簡(jiǎn)介●? ?FRAM的優(yōu)勢●? ?產(chǎn)品列表●? ?FRAM產(chǎn)品陣列簡(jiǎn)介FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進(jìn)行高速寫(xiě)入、具有長(cháng)的耐久力和低功耗。富士通半導體提供了采用串行（I2C和SPI）和并行外設的FRAM產(chǎn)品，目前4Kb至4Mb的產(chǎn)品也已量產(chǎn)。?富士通正在為客戶(hù)評估提供工程研發(fā)樣品或生產(chǎn)樣品。請確認我們的?FRAM產(chǎn)品陣列?，如果您想獲得樣品 ，請填寫(xiě)“FRAM樣品/文
- 關(guān)鍵字： FRAM SPI
FRAM產(chǎn)品陣列
- FRAM（鐵電存儲器）具有像E2PROM一樣的非易失性的優(yōu)勢 ，在沒(méi)有電源的情況下可以保存數據，用于數據存儲。FRAM具有兩個(gè)產(chǎn)品系列，串行接口（I2C，SPI）和并行接口產(chǎn)品。采用串行I/F的FRAM可以用E2PROM或串行閃存來(lái)代替，而采用并行I/F的產(chǎn)品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)來(lái)代替。富士通半導體集團控制著(zhù)FRAM的整個(gè)生產(chǎn)程序；在日本的芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通公司保證了FRAM產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩定供應。自從1999年開(kāi)始，FRAM產(chǎn)品已經(jīng)連續供應12年以上
- 關(guān)鍵字： FRAM SPRAM
富士通電子推出可在高溫下穩定運行的新款2Mbit FRAM
- 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高溫度下正常運行。該器件工作電壓可低至1.7V至1.95V，配有串行外設接口（SPI）。目前可為客戶(hù)提供評測版樣品，將在6月實(shí)現量產(chǎn)。這款全新FRAM產(chǎn)品是汽車(chē)電子電控單元的最佳選擇，滿(mǎn)足高端汽車(chē)市場(chǎng)對低功耗電子器件的需求，如ADAS。圖1：MB85RS2MLY 8pin DFN 封裝圖2：應用實(shí)例（ADAS）FRAM的讀/寫(xiě)耐久性、寫(xiě)入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，已有對傳統非易失性?xún)却?/li>
- 關(guān)鍵字： ADAS FRAM
存儲市場(chǎng)獨辟蹊徑，富士通20年布局嵌入式系統存儲
- 全球內存市場(chǎng)幾年前價(jià)格瘋漲對于IT產(chǎn)業(yè)業(yè)者大概仍然心有余悸！隨著(zhù)這場(chǎng)“芯片戰爭”的硝煙而起的是，中國存儲行業(yè)海量投資的相關(guān)產(chǎn)線(xiàn)紛紛上馬，并預計在今年逐漸開(kāi)花結果，即將可能形成中美韓三國爭霸的局面，存儲產(chǎn)業(yè)未來(lái)的風(fēng)云變幻也將更加風(fēng)譎云詭。特別是隨著(zhù)5G部署落地、人工智能、大數據和物聯(lián)網(wǎng)的普及，數據存儲已經(jīng)進(jìn)入長(cháng)期向上穩定增長(cháng)的通道。根據預測，2023年人類(lèi)數據的產(chǎn)生將會(huì )超過(guò)103個(gè)ZB(數據單位量級GB\TB\PB\EB\ZB)！?在存儲技術(shù)領(lǐng)域，低容量密度的嵌入式系統關(guān)鍵數據存儲一直似乎風(fēng)平浪靜
- 關(guān)鍵字： FRAM 存儲
以創(chuàng )新型存儲掘金百億表計市場(chǎng)，富士通FRAM+NRAM引領(lǐng)計量存儲技術(shù)變革
- 過(guò)去十年，智能電表大范圍替代傳統電表的產(chǎn)業(yè)轉變，成為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)高速發(fā)展的一個(gè)縮影。中商產(chǎn)業(yè)研究院相關(guān)報告指出，預計2021年全球智能電表市場(chǎng)營(yíng)收規模將達142.2億美元，與2016年的88.4億美元、2017年的97.2億美元相比，年均復合增長(cháng)率約10%。而Navigant Research研究報告指出，中國在2018年第一季度持續引領(lǐng)全球智能電表市場(chǎng)，安裝量超過(guò)4.96億臺，占全球總量的68.4%，并正在向下一代智能電表發(fā)展。圖1：中商產(chǎn)業(yè)研究院預測2021年全球智能電表市場(chǎng)營(yíng)收規模由此看來(lái)，中國智能電
- 關(guān)鍵字： 富士通 FRAM+NRAM 計量存儲技術(shù)
存儲領(lǐng)域叢林法則下，富士通用20年的專(zhuān)注演繹另類(lèi)崛起
- 市場(chǎng)經(jīng)濟下每一個(gè)技術(shù)領(lǐng)域的競爭都是一場(chǎng)叢林法則的生動(dòng)演繹。隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)和大數據等新興應用的爆發(fā)增長(cháng)，存儲器領(lǐng)域的叢林法則年年都在上演“生動(dòng)”的故事。不過(guò)，在存儲領(lǐng)域卻有一種技術(shù)過(guò)著(zhù)一種與“主流”無(wú)爭的日子，在嵌入式系統關(guān)鍵數據存儲領(lǐng)域默默耕耘二十年，憑借高讀寫(xiě)耐久性、高速寫(xiě)入和超低功耗的獨特特質(zhì)，近年來(lái)在Kbit和Mbit級小規模數據存儲領(lǐng)域開(kāi)始風(fēng)生水起，在各種應用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM?！ RAM的非易失性對于當時(shí)業(yè)界可以說(shuō)是顛覆性的，存儲器的非易失性指在沒(méi)有上電的狀態(tài)
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再獲新能源汽車(chē)大廠(chǎng)訂單，富士通原廠(chǎng)+代理身份完美布局汽車(chē)電子產(chǎn)業(yè)鏈
- 過(guò)去十年，隨著(zhù)新能源汽車(chē)與自動(dòng)駕駛的興起，汽車(chē)產(chǎn)業(yè)70%的創(chuàng )新來(lái)源于汽車(chē)電子技術(shù)及其產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)應用?！ C Insights數據顯示，預計2018年汽車(chē)電子的銷(xiāo)售額將增長(cháng)7.0%，2019年將增長(cháng)6.3%，成為六大半導體目標市場(chǎng)中兩年來(lái)的最高增長(cháng)率。值得注意的是，汽車(chē)特殊用途邏輯類(lèi)別預計2018年增長(cháng)29%，汽車(chē)應用專(zhuān)用模擬市場(chǎng)增長(cháng)14%——作為備用攝像頭、盲點(diǎn)(車(chē)道偏離)探測器和其他“智能”系統被強制或以其他方式添加到更多車(chē)輛中。同時(shí)，存儲器在車(chē)輛中使用的新汽車(chē)系統解決方案的開(kāi)發(fā)中越來(lái)越重要。
- 關(guān)鍵字： 富士通 FRAM
如何給汽車(chē)系統選擇合適的非易失性存儲器
- 汽車(chē)系統的設計變得越來(lái)越復雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車(chē)身控制和車(chē)輛信息娛樂(lè )系統。為了確?？煽?、安全的操作，每個(gè)子系統均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復位操作和電源切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執行代碼或常量數據、校準數據、安全性能和防護安全相關(guān)信息等重要數據，以作將來(lái)檢索用途?！ ∧壳笆袌?chǎng)上主要包含這幾種不同類(lèi)型的非易失性存儲器，如NOR 閃存、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器)，MRAM
- 關(guān)鍵字： MRAM FRAM
2018汽車(chē)電子如何突破？這三大維度值得關(guān)注
- 2017下半年，伴隨業(yè)界關(guān)注已久的《乘用車(chē)企業(yè)平均燃料消耗量與新能源汽車(chē)積分并行管理辦法》(簡(jiǎn)稱(chēng)“雙積分辦法”)正式發(fā)布，眾多中外車(chē)企都面臨了更為迫切的減排壓力，也在無(wú)形中加速了新能源車(chē)的落地普及。由于燃油車(chē)在很長(cháng)一段時(shí)間內都將存在于市場(chǎng)，而電氣化技術(shù)在燃油車(chē)、混動(dòng)車(chē)的節能減排等方面發(fā)揮了越來(lái)越重要的作用，也導致了其電氣化比例在逐漸提升，進(jìn)一步刺激汽車(chē)電子產(chǎn)品，乃至功率器件等電子元器件的出貨量?！ 「鶕蘒HS的數據統計，2016年全球汽車(chē)電子的市場(chǎng)規模為1160億美元，預計2022年將達到1602億美
- 關(guān)鍵字： 富士通 FRAM
fram介紹
鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)以及低功耗等優(yōu)勢結合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標準的串行和并行接口，工業(yè)標準的封裝類(lèi)型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
非易失性記憶體掉電后數據不丟失?？墒撬械姆且资杂洃涹w均源自ROM技術(shù)。你能想象到,只讀記憶體的數據是不可能修改的 [ 查看詳細 ]
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