富士通推出全新4 Mbit FRAM產(chǎn)品

　　2013年11月14日，富士通半導體(上海)有限公司宣布，推出全新具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片---MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封裝并且與標準低功耗SRAM兼容，因此能夠應用在工業(yè)控制、辦公自動(dòng)化設備、醫療設備以及其他設備中，取代原有具備高速數據寫(xiě)入功能的SRAM。此產(chǎn)品從2014年1月起開(kāi)始為客戶(hù)提供樣品。

　　FRAM具備非揮發(fā)性數據儲存功能，即使在電源中斷的狀況下仍能保護數據，隨機存取功能則能高速寫(xiě)入數據。如果在寫(xiě)入數據時(shí)遭遇電源臨時(shí)中斷或是停電，FRAM仍能夠安全地儲存數據，因此即使在電源中斷時(shí)FRAM還是能夠立即儲存參數信息并實(shí)時(shí)記錄設備上的數據。

　　另外，MB85R4M2T無(wú)須任何電池即可持續地儲存數據，因此有助于發(fā)展更小型、更省電的硬件設備，且能降低總成本。其優(yōu)勢包括：

　　1. 減少電路板面積

　　MB85R4M2T不需要通過(guò)電池儲存數據，因此能減少50%以上產(chǎn)品中所使用PCB板的內存與相關(guān)零件的電路板面積。

　　2. 降低功耗

　　在主電源關(guān)閉的情況下，SRAM將數據保存在內存，其需要消耗約15 µW/秒的電流以保存資料。由于FRAM為非揮發(fā)性?xún)却?，在電力關(guān)閉情況下不會(huì )耗費任何電力。

　　3. 降低總成本

　　移除電池不僅降低零件成本，也免除了所有電池更換或維修相關(guān)的周期性成本，能大幅減低開(kāi)發(fā)及營(yíng)運的總成本。