全球首個(gè)22納米節點(diǎn)靜態(tài)存儲單元研制成功

　　美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)等機構共同宣布，世界上首個(gè)22納米節點(diǎn)靜態(tài)存儲單元(SRAM)研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設備環(huán)境下，制造出有效存儲單元。

　　22納米節點(diǎn)靜態(tài)存儲單元SRAM芯片是更復雜的設備，比如微處理器的“先驅”。SRAM單元的尺寸更是半導體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)指標。最新的SRAM單元利用傳統的六晶體管設計，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。

　　新的研究工作是在紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)完成的，IBM及其他伙伴的許多頂尖的半導體研究都在這里進(jìn)行。IBM科技研發(fā)部副總裁T.C. Chen博士稱(chēng)，“我們正在可能性的終極邊緣進(jìn)行研究，朝著(zhù)先進(jìn)的下一代半導體技術(shù)前進(jìn)。22納米節點(diǎn)靜態(tài)存儲單元的研究成果對于不斷驅動(dòng)微電子設備小型化的追求，可以說(shuō)至關(guān)重要。”

　　22納米是芯片制造的下兩代，而下一代是32納米。在這方面，IBM及合作伙伴正在發(fā)展它們無(wú)與倫比的32納米高K金屬柵極工藝(high-K metal gate technology)。

　　從傳統上而言，22納米節點(diǎn)靜態(tài)存儲單元SRAM芯片通過(guò)縮小基本構建單元，來(lái)制造得更加緊密。IBM聯(lián)盟的研究人員優(yōu)化了SRAM單元的設計和電路圖，從而提升了穩定性，此外，為了制造新型SRAM單元，他們還開(kāi)發(fā)出幾種新的制作工藝流程。研究人員利用高NA浸沒(méi)式光刻(high-NA immersion lithography)技術(shù)刻出了模式維度和密度，并且在先進(jìn)的300毫米半導體研究環(huán)境中制作了相關(guān)部件。

　　與22納米節點(diǎn)靜態(tài)存儲單元SRAM相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)包括：邊帶高K金屬柵極、25納米柵極長(cháng)度晶體管、超薄隔離結構(spacer)、共同摻雜、先進(jìn)激活技術(shù)、極薄硅化物膜以及嵌入式銅觸點(diǎn)等。