賽普拉斯推出業(yè)界首款65納米144-Mbit SRAM

　　SRAM行業(yè)的領(lǐng)先者賽普拉斯半導體公司日前推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲器采用65納米工藝技術(shù)，由臺灣聯(lián)華電子(UMC)的芯片工廠(chǎng)代工生產(chǎn)。該產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最快的時(shí)鐘，速率可達550MHz，在36-bit I/O寬度的QDRII+器件中，整體數據率達到80 Gbps，并且其功耗只有采用90納米工藝的SRAM器件的一半。這些產(chǎn)品是諸如互聯(lián)網(wǎng)核心與邊緣路由器、固定及模塊化的以太網(wǎng)交換機、3G基站和安全路由器等網(wǎng)絡(luò )應用的理想產(chǎn)品，還可以改善醫學(xué)成像和軍事信號處理系統的性能。這些器件與90納米SRAM管腳兼容，從而允許網(wǎng)絡(luò )客戶(hù)在保持板卡布局不變的同時(shí)改進(jìn)性能，并且將表和包緩沖器的容量擴充一倍。

　　與90納米SRAM相比，賽普拉斯的65納米QDR 和 DDR SRAM的待機和動(dòng)態(tài)耗電量降低了50%，從而順應當前的“綠色”網(wǎng)絡(luò )架構應用趨勢。QDRII+ 和 DDRII+器件具有片上終止器(ODT)，從而省去了外部的中止器電阻，可以改善信號完整度并節省系統成本和板卡空間。65納米器件采用一個(gè)鎖相環(huán)(PLL)而非延遲鎖定環(huán)(DLL)，從而使數據有效窗口拓寬了35%，進(jìn)而簡(jiǎn)化了板級時(shí)序收斂并增強了與第三方處理器的兼容性。

　　賽普拉斯同步和時(shí)序產(chǎn)品事業(yè)部副總裁Dave Kranzler說(shuō)：“作為全球SRAM的領(lǐng)導者，目前我們提供種類(lèi)最齊全的產(chǎn)品。這一業(yè)界最快最大的產(chǎn)品的推出更加鞏固了我們的領(lǐng)先地位，進(jìn)一步證明了我們對SRAM市場(chǎng)的承諾。”

　　供貨情況及照片

　　CY7C16xxKV18 65-nm QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+ SRAM目前正在出樣，預計2010年第一季度投產(chǎn)。每個(gè)器件均可有基于I/O寬度(x18 或 x36)、突發(fā)長(cháng)度(B4 或 B2)以及延遲時(shí)間(1.5, 2.0 或 2.5)的多種配置。65納米144-Mbit SRAM采用工業(yè)標準的165FBGA封裝，與現有的90納米QDR和DDR器件管腳兼容，因而能很方便地替換。