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氮氧化硅
氮氧化硅 文章 進(jìn)入氮氧化硅技術(shù)社區
臺積電率先推出28納米低耗電平臺
- 臺灣積體電路制造股份有限公司今(17)日宣布領(lǐng)先專(zhuān)業(yè)積體電路制造服務(wù)領(lǐng)域，成功開(kāi)發(fā)28納米低耗電技術(shù)，同時(shí)配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)工藝，將32納米工藝所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米工藝，使得半導體可以持續往先進(jìn)工藝技術(shù)推進(jìn)。此一工藝技術(shù)的優(yōu)勢還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過(guò)驗證的傳統類(lèi)比/射頻/電子熔線(xiàn)(analog
- 關(guān)鍵字： 臺積電 SRAM 28納米 低耗電 氮氧化硅 多晶硅
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氮氧化硅介紹
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