瑞薩推出高速SRAM*1產(chǎn)品系列

　　瑞薩科技公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩”)宣布推出面向新一代通信網(wǎng)絡(luò )內高端路由器和交換機使用的高速SRAM*1產(chǎn)品系列。這些SRAM產(chǎn)品不僅符合QDR聯(lián)盟*2行業(yè)標準要求，還實(shí)現了72Mb四倍數據速率II+(QDRTM II+)和雙數據速率II+(DDRII+)的業(yè)內最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件。整個(gè)器件系列(具有多種速度和配置)將于2009年8月在日本開(kāi)始陸續進(jìn)行銷(xiāo)售。

　　新產(chǎn)品特性如下：

　　(1) 業(yè)內最高的工作速度：533 MHz(QDRII+和DDRII+ SRAM)和333 MHz(QDRII和DDRII版);

　　瑞薩大幅提高了新產(chǎn)品的工作速度，同時(shí)還通過(guò)利用先進(jìn)的45nm生產(chǎn)工藝而保持了低壓操作。QDRII SRAM產(chǎn)品實(shí)現了業(yè)內最高的工作速度——333 MHz，QDRII+ SRAM產(chǎn)品也達到了業(yè)內最高的工作速度——533 MHz。這些器件可以支持高端路由器與交換機(其支持10G、40G和容量更大的多層通信系統)內的分組查找和包緩沖器應用所需的高速處理。

　　(2) 大量72Mb器件;

　　瑞薩將為3種數據I/O寬度(9、18或36位)和2種突發(fā)長(cháng)度(2或4字)的產(chǎn)品提供支持。此外，瑞薩還提供具有內置式ODT(晶片上終端電阻)功能的產(chǎn)品，極大地降低了高速操作過(guò)程中可能發(fā)生的信號質(zhì)量下降。瑞薩豐富的QDRII、DDR II、QDRII+和DDRII+ SRAM產(chǎn)品系列使得用戶(hù)能夠選擇最符合其系統要求的解決方案。

　　< 產(chǎn)品背景資料 >

　　隨著(zhù)互聯(lián)網(wǎng)的日益普及，傳輸速度和發(fā)送到通信設備的信息量也在不斷增加，并且數據速率現在已經(jīng)超過(guò)了40Gb/s。檢查數據終點(diǎn)和管理高端網(wǎng)絡(luò )設備內的數據包流量的需要不斷推動(dòng)著(zhù)對具有高速操作功能的大密度存儲器需求的增長(cháng)。并且，數據復雜度也隨視頻、語(yǔ)音和數據應用而不斷增加，從而需要更大的存儲容量。

　　目前，瑞薩提供了大量面向工業(yè)應用和UNIX*3服務(wù)器與工作站內高速緩沖存儲器的SRAM、18Mb網(wǎng)絡(luò )SRAM以及面向通信設備的36Mb DDRII與QDRII SRAM。隨著(zhù)網(wǎng)絡(luò )設備性能和功能的不斷提高，瑞薩利用其設計專(zhuān)長(cháng)和生產(chǎn)技術(shù)為72Mb QDRII與QDRII+ SRAM產(chǎn)品實(shí)現了更高的速度和高可靠性，從而滿(mǎn)足了通信應用對高速、大容量和大位寬度的需求。

　　< 產(chǎn)品詳情 >

　　新產(chǎn)品均提供所有突發(fā)長(cháng)度和位寬度組合，并且標準HSTL(高速晶體管邏輯)接口用于超高速同步SRAM.

　　新產(chǎn)品采用165-引腳塑料FBGA封裝，尺寸為15 mm × 17 mm，具有出色的散熱特性，適于大密度安裝。這些產(chǎn)品符合RoHS指令*4的要求，還提供無(wú)鉛版本。QDR引腳配置支持將來(lái)向高達288Mb的密度無(wú)縫移植。并且，采用FBGA封裝的產(chǎn)品支持IEEE標準測試存取端口和邊界掃描架構(IEEE標準1149.1-1990)，能夠在板級模塊安裝過(guò)程中實(shí)現交叉連接檢查。

　　對于將來(lái)該領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)，瑞薩制定了長(cháng)遠的發(fā)展規劃，并致力于開(kāi)發(fā)容量更大、性能更高的QDR/DDR SRAM產(chǎn)品以支持不斷變化的用戶(hù)需求。