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spi nor flash
spi nor flash 文章 進(jìn)入spi nor flash技術(shù)社區
SPI協(xié)議,MCP2515裸機驅動(dòng)詳解,收藏吧用得著(zhù)
- SPI概述Serial Peripheral interface 通用串行外圍設備接口是Motorola首先在其MC68HCXX系列處理器上定義的。SPI接口主要應用在 EEPROM,FLASH,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,AD轉換器,還有數字信號處理器和數字信號解碼器之間。SPI,是一種高速的,全雙工,同步的通信總線(xiàn),并且在芯片的管腳上只占用四根線(xiàn),節約了芯片的管腳,同時(shí)為PCB的布局上節省空間。SPI特點(diǎn)采用主-從模式(Master-Slave) 的控制方式SPI 規定了兩個(gè) SPI 設備之間通信必須由主設備 (Mas
- 關(guān)鍵字: SPI 串口協(xié)議 MCU
淺談因電遷移引發(fā)的半導體失效
- 前言半導體產(chǎn)品老化是一個(gè)自然現象,在電子應用中,基于環(huán)境、自然等因素,半導體在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間連續工作之后,其功能會(huì )逐漸喪失,這被稱(chēng)為功能失效。半導體功能失效主要包括:腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中,電遷移引發(fā)的失效機理最為突出。技術(shù)型授權代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對這一現象進(jìn)行了分析。?1、?背景從20世紀初期第一個(gè)電子管誕生以來(lái),電子產(chǎn)品與人類(lèi)的聯(lián)系越來(lái)越緊密,特別是進(jìn)入21世紀以來(lái),隨著(zhù)集成電路的飛速發(fā)展,人們對電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著(zhù)電子
- 關(guān)鍵字: 電遷移 半導體失效 世健 Microchip Flash FPGA
一季度 NAND Flash合約價(jià)預計上漲15%-20%
- 供應商為了盡量減少損失,正在推高 NAND Flash 價(jià)格。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash
閃存芯片將掀起新一輪漲價(jià)潮
- 2023 下半年,以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲器報價(jià)逐步止跌回升。近期,NOR Flash 也呈現出明顯的回暖態(tài)勢,供應鏈人士透露,2024 年 1 月,預計 NOR Flash 價(jià)格將上漲 5%,并保持上漲態(tài)勢,到第二季度,漲幅將達到 10%。過(guò)去幾年,隨著(zhù)整個(gè)半導體市場(chǎng)的變化,NOR Flash 的供需和價(jià)格也是起起落落。2018 年,NOR Flash 市場(chǎng)需求較為疲軟,而供貨商的產(chǎn)能卻在持續提升,導致當年的價(jià)格進(jìn)入下行周期。經(jīng)過(guò)一年的低迷期后,NOR Flash 價(jià)格在 2
- 關(guān)鍵字: NOR Flash
NAND Flash和NOR Flash的異同
- NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類(lèi)型NOR Flash是Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出來(lái)的存儲技術(shù),改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面;NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。NAND=NOT AND(與非門(mén)) &?NOR=NOT OR(或非門(mén))相同點(diǎn)· 兩者都是非易失性存儲器,可以在斷電后保持存儲的數據?!?兩者都可以進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程?!?兩者在寫(xiě)之前都要先
- 關(guān)鍵字: NAN Flash NOR 存儲結構
預估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)平均季漲幅15~20%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示,盡管適逢傳統淡季需求呈現下降趨勢,但為避免缺貨,買(mǎi)方持續擴大NAND Flash產(chǎn)品采購以建立安全庫存水位,而供應商為減少虧損,對于推高價(jià)格勢在必行,預估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)季漲幅約15~20%。值得注意的是,NAND Flash原廠(chǎng)為減少虧損而急拉價(jià)格漲幅,但由于短期內漲幅過(guò)高,需求腳步卻跟不上,后續價(jià)格上漲仍需仰賴(lài)Enterprise SSD拉貨動(dòng)能恢復。2024年第一季供應商的投產(chǎn)步伐不一,隨著(zhù)部份供應商產(chǎn)能利用率提早拉升
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DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息,根據韓媒 ETNews 報道,三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬(wàn)億韓元(IT之家備注:當前約 1482.3 億元人民幣),比 2023 年投資預算增加 25%;而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬(wàn)億韓元(當前約 290.97 億元人民幣),比今年的投資額增長(cháng) 100%。報道中指出,三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外,還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標。報道稱(chēng)三星將 DRAM 和 NAND
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集邦咨詢(xún)稱(chēng) 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價(jià)環(huán)比增長(cháng) 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息,集邦咨詢(xún)近日發(fā)布報告,預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash(eMMC / UFS)環(huán)比增長(cháng) 18-23%,而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢(xún)表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產(chǎn)規劃依然穩健,由于存儲器價(jià)格漲勢明確,帶動(dòng)買(mǎi)方積極擴大購貨需求,以建設安全且相對低價(jià)的庫存水位。集邦咨詢(xún)認為買(mǎi)賣(mài)雙方庫存降低,加上原廠(chǎng)減產(chǎn)效應作用,這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價(jià)格的強勁漲勢。集邦咨詢(xún)認為明年第 1 季
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明年半導體暴增20%,哪些賽道市場(chǎng)回暖?
- 今年的半導體可謂寒風(fēng)瑟瑟,市場(chǎng)下滑的消息從年頭傳到年尾,半導體企業(yè)也疲于應對蕭瑟的市場(chǎng)環(huán)境,不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。熬過(guò)冬就是春,最近的半導體市場(chǎng)總算是迎來(lái)了一些好消息。IDC 最新的預測,認為半導體市場(chǎng)已經(jīng)觸底,明年開(kāi)始半導體將會(huì )加速恢復增長(cháng)。在它的預測中,2023 年全球半導體市場(chǎng)收入從 5188 億美元上調至 5265 億美元,2024 年收入預期也從 6259 億美元上調至 6328 億美元。到明年,全球半導體收入將同比增長(cháng) 20.2%。IDC 全球半導體供應鏈技術(shù)情報研究經(jīng)理 Rudy Tor
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市況好轉 內存廠(chǎng)Q3獲利嗨
- NAND Flash現貨價(jià)于8月中旬反彈,DRAM價(jià)格也在9月開(kāi)始回升,內存市況確立好轉,帶動(dòng)內存族群獲利能力普遍呈現攀升。觀(guān)察第三季內存族群財報,內存制造大廠(chǎng)包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損;內存模塊廠(chǎng)創(chuàng )見(jiàn)、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益(EPS)皆有1元以上,宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績(jì)。另從毛利率、營(yíng)利率及稅后純益率三大財務(wù)指標來(lái)看,第三季財報數字呈現「三率三升」的內存廠(chǎng)商,則有創(chuàng )見(jiàn)、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安,財務(wù)成績(jì)表現亮眼。此外,威剛14日公告10月自結財務(wù)數
- 關(guān)鍵字: 內存 ?NAND Flash DRAM
兆易創(chuàng )新車(chē)規閃存產(chǎn)品成功應用于懸架控制器,在奇瑞多款車(chē)型實(shí)現量產(chǎn)
- 兆易創(chuàng )新GigaDevice宣布,搭載了兆易創(chuàng )新GD25F128F車(chē)規級SPI NOR Flash的明然科技國產(chǎn)化主動(dòng)懸架控制器(CDC)出貨量已超數萬(wàn)臺,并在奇瑞瑞虎9和星途瑤光等車(chē)型上量產(chǎn)。在汽車(chē)底盤(pán)懸架系統等安全性要求較高的場(chǎng)景中穩定運行,標志著(zhù)兆易創(chuàng )新車(chē)規級SPI NOR Flash的可靠性得到進(jìn)一步驗證。懸架是車(chē)架(或車(chē)身)與車(chē)轎(或車(chē)輪)之間的傳力連接裝置,分為傳統被動(dòng)式、半主動(dòng)式和主動(dòng)式三類(lèi),而主動(dòng)式懸架系統能根據車(chē)輛的運動(dòng)狀態(tài)和路面情況自適應調節減振器阻尼力,使其更好地適用于當前路段,懸架
- 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng )新 懸架控制器 SPI NOR Flash
預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究顯示,第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%;由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現均較其他DRAM產(chǎn)品低,因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴大包括幾個(gè)原因,供應方面:三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等,持續奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎。需求方面:2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受傳統旺季帶動(dòng),華為Mate
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第四季NAND Flash合約價(jià)季漲幅預估8~13%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)集邦咨詢(xún)研究顯示,由于供應商嚴格控制產(chǎn)出,NAND Flash第四季合約價(jià)全面起漲,漲幅約8~13%。展望2024年,除非原廠(chǎng)仍能維持減產(chǎn)策略,且服務(wù)器領(lǐng)域對Enterprise SSD需求回溫,否則在缺乏需求作為支撐的前提下,NAND Flash要延續漲勢將有難度。Client SSD方面,由于原廠(chǎng)及模組廠(chǎng)均積極漲價(jià),促使PC OEM欲在價(jià)格相對低點(diǎn)預備庫存,采購量會(huì )較實(shí)際需求量高。而供應商為擴大位元出貨量,已在第三季推出促銷(xiāo),故Client SSD價(jià)格沒(méi)有
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消息稱(chēng)三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格
- 10 月 6 日消息,據韓媒 Business Korea 報道,三星內部認為目前 NAND Flash 供應價(jià)格過(guò)低,公司計劃今年四季度起,調漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價(jià)格,漲幅在 10% 以上,預計最快本月新合約便將采用新價(jià)格?!?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來(lái),三星一直奉行減產(chǎn)戰略,IT之家此前曾報道,三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%,最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域,之后下半年三星開(kāi)始著(zhù)手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量,眼下正試圖推動(dòng)
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND flash 漲價(jià)
集邦咨詢(xún):2023Q4 NAND 價(jià)格預估增長(cháng) 3-8%,DRAM 要開(kāi)啟增長(cháng)周期
- IT之家 9 月 27 日消息,存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(cháng)的下降周期之后,終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復蘇的希望。根據集邦咨詢(xún)報道,伴隨著(zhù)主要存儲制造商的持續減產(chǎn),已經(jīng)市場(chǎng)去庫存效果顯現,預估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后,DRAM 價(jià)格也會(huì )上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損,2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn),目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現,消息稱(chēng) 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現反彈,9 月繼續上漲。行業(yè)巨頭三星繼續減產(chǎn),主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中,在 9 月產(chǎn)量下降了
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spi nor flash介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條spi nor flash!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對spi nor flash的理解,并與今后在此搜索spi nor flash的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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