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spi nor flash 文章 進(jìn)入spi nor flash技術(shù)社區
NAND Flash 大降價(jià)，固態(tài)硬盤(pán)取代機械硬盤(pán)指日可待
- 相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了，目前市場(chǎng)上很多固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤(pán)所需的 NAND 芯片降價(jià)導致的。根據集邦咨詢(xún)的數據顯示，NAND Flash 市場(chǎng)自 2022 年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季 NAND Flash 合約價(jià)格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)）是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)并不是什么好消息，但對于普通消費者來(lái)說(shuō)，我們確實(shí)能買(mǎi)到更便宜的固態(tài)
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存儲器廠(chǎng)商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續跌，加上庫存水位過(guò)高，終端消費支出持續放緩，據外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導致?tīng)I收及毛利率持續下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng )下歷史新高。其中，占三星營(yíng)收比重最高的半導
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存儲大廠(chǎng)展示300層NAND Flash，預計最快2024年問(wèn)世
- 近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會(huì )議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市，有望打破紀錄。外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開(kāi)發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
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均價(jià)跌幅擴大，2022年第四季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌25%
- TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查顯示，NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約23~28%。在原廠(chǎng)積極降價(jià)求量的同時(shí)，客戶(hù)為避免零部件庫存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長(cháng)僅5.3%，平均銷(xiāo)售單價(jià)環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比下跌25.0%，達
- 關(guān)鍵字： 集邦 NAND Flash
NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消費性固態(tài)硬盤(pán)（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過(guò)去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(cháng)的要角，市調機構集邦預估，2022年消費性SSD在筆電的滲透率達92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場(chǎng)，加上總經(jīng)不佳導致消費性電子需求急凍，未來(lái)消費性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長(cháng)受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費性SSD在近期迅速跌價(jià)后，已與半年前256GB報價(jià)相近，甚至
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基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設計與實(shí)現
- 在現代電子設備中，越來(lái)越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來(lái)進(jìn)行大容量的數據存儲，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據NAND FLASH的特點(diǎn)，需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設計方法，利用FPGA中RAM模塊，設計了狀態(tài)機電路，靈活地實(shí)現壞塊表的建立、儲存和管理，并且對該設計進(jìn)行測試驗證。
- 關(guān)鍵字： NAND FLASH FPGA 壞塊 壞塊檢測 202212
集邦：第四季NAND Flash價(jià)格續跌15～20％
- 根據集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過(guò)于求，下半年起買(mǎi)方著(zhù)重去化庫存而大幅減少采購量，賣(mài)方開(kāi)出破盤(pán)價(jià)以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價(jià)格跌幅達30～35％，但各類(lèi)NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱，原廠(chǎng)庫存因此急速上升，預期將導致第四季NAND Flash總體平均價(jià)格跌幅擴大至15～20％。集邦表示，因為需求低迷導致NAND Flash下半年價(jià)格大跌，多數原廠(chǎng)的NAND Flash產(chǎn)品銷(xiāo)售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運營(yíng)陷入虧損的壓力下，對于采取減產(chǎn)以降低虧
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應需而生！兆易創(chuàng )新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數據傳輸速度、供電電壓、讀寫(xiě)功耗等關(guān)鍵性能指標上均達到國際領(lǐng)先水平，在針對智能可穿戴設備、健康監測、物聯(lián)網(wǎng)設備或其它單電池供電的應用中，能顯著(zhù)降低運行功耗，有效延長(cháng)設備的續航時(shí)間。 隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，新一代智能可穿戴設備需要擁有更豐富的功能來(lái)滿(mǎn)足消費者的需求，這種空間敏感型產(chǎn)品對系統功耗提出了更嚴苛的要求，希
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兆易創(chuàng )新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問(wèn)世
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內，其功耗、電壓范圍等方面均實(shí)現了進(jìn)一步提升，為消費電子、可穿戴設備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監測設備等對電池壽命和緊湊型設計有著(zhù)嚴苛需求的應用提供了理想選擇。 如今，隨著(zhù)5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代，在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池
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累計出貨190億顆！兆易創(chuàng )新NOR閃存高居全球第三
- 在國產(chǎn)化Flash閃存領(lǐng)域，NAND閃存的領(lǐng)軍當屬長(cháng)江存儲，NOR閃存的代表則是兆易創(chuàng )新?！ ?月30日，兆易創(chuàng )新官方宣布，旗下Flash閃存產(chǎn)品累計出貨量已經(jīng)超過(guò)190億顆，其中NOR閃存的市場(chǎng)份額更是排名全球前三?！ ≌滓讋?chuàng )新還透露，正在在超低功耗、超小封裝等技術(shù)工藝上持續打磨產(chǎn)品，比如采用WLCSP超小封裝的NOR閃存產(chǎn)品已經(jīng)上市，可大大縮減系統PCB面積；比如主打超低功耗的1.2V NOR產(chǎn)品即將面世，可顯著(zhù)延長(cháng)電池壽命?！ OR閃存可廣泛用于智能手表、智能手環(huán)、無(wú)線(xiàn)耳機、XR眼鏡/頭顯等智能穿
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2022年Nor Flash產(chǎn)值將增長(cháng)21%至35億美元
- Nor Flash在2021年僅占整體閃存市場(chǎng)總額的4%，但Nor Flash產(chǎn)品的銷(xiāo)售額飆升63%至29億美元，Nor Flash出貨量增長(cháng)了33%，平均售價(jià)則上漲23%。預計Nor Flash市場(chǎng)將在2022年再增長(cháng)21%至35億美元。 Nor Flash市場(chǎng)由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng )新3家廠(chǎng)商主導，市占率共達91%。 去年華邦電Nor Flash銷(xiāo)售額達10億美元，市占率以35%居冠。華邦電從2011年來(lái)，采用58納米制程生產(chǎn)大多數的NOR產(chǎn)品，但2021年大多數已轉進(jìn)40納米制程。
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鎧俠為實(shí)現超高容量SSD，正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash
- NAND Flash制造商一直試圖通過(guò)增加每個(gè)單元存儲的位數來(lái)提高其存儲設備的存儲密度，據外媒報導，近日鎧俠表示，公司一直在試驗在一個(gè)單元中存儲更多比特數的NAND Flash閃存。據報道，近日鎧俠表示，已設法在每個(gè)單元中存儲7 Bits (7 bpc)，盡管是在實(shí)驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高，存儲電壓狀態(tài)的數量將隨著(zhù)每個(gè)單元存儲Bits的增加呈指數增長(cháng)。例如，要存儲4位，單元必須保持16個(gè)電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數字會(huì )增長(cháng)到64(2^6)。而鎧俠實(shí)現的每個(gè)單元
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盈利能力大增，估值較低的存儲龍頭被看好？
- 5月30日兆易創(chuàng )新宣布，公司Flash產(chǎn)品累計出貨量已超過(guò)190億顆，年出貨量超過(guò)28億顆，目前兆易創(chuàng )新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng )新NOR Flash產(chǎn)品市場(chǎng)份額達到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片，兆易創(chuàng )新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU，在過(guò)去一段時(shí)間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng )新的營(yíng)收與凈利潤均實(shí)現大幅增長(cháng)，2021年和2022年一季度公司營(yíng)收分別增長(cháng)89.25%和165.33%，歸母凈利潤分別增長(cháng)39.25%和127.65%。目前芯片行
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2022年NOR Flash產(chǎn)值將成長(cháng)21%至35億美元
- 據IC Insights周二在《 The McClean Report 2022 》更新的數據顯示， NOR Flash在2021年僅占整體閃存市場(chǎng)總額的4%，但NOR Flash產(chǎn)品的銷(xiāo)售額飆升63%至29億美元， NOR Flash 出貨量增長(cháng)了33%，平均售價(jià)則上漲23%。機構樂(lè )觀(guān)預計NOR Flash市場(chǎng)將在2022年再增長(cháng)21%至35億美元。NOR Flash市場(chǎng)由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng )新3家廠(chǎng)商主導，市占率共達 91%。該機構指出，去年華邦電NOR Flash銷(xiāo)售額達10億美元，市占率以35%居
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兆易創(chuàng )新：MCU只是個(gè)“過(guò)渡故事”
- A股市場(chǎng)向來(lái)熱衷炒作預期。投資者樂(lè )于為概念買(mǎi)單，愿意給一家公司提前多年的估值。國產(chǎn)半導體設計龍頭兆易創(chuàng )新(SH:603986)，就曾是一個(gè)被預期打滿(mǎn)的例子。2020年初，兆易創(chuàng )新市值一度突破1200億。然而19年和20年，它才只有25億和38億營(yíng)收。過(guò)度估值的結果就是，當抱團瓦解，兩年之內兆易創(chuàng )新股價(jià)經(jīng)歷三次大起大落。圖片：兆易創(chuàng )新剛到千億市值，到如今 來(lái)源：雪球當下，作為A股閃存設計龍頭的兆易創(chuàng )新，再一次試圖向千億市值發(fā)起了沖擊。這一次，它有什么新故事嗎？01 基本面往事要想看清楚兆易創(chuàng )新的新故事，看清
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條spi nor flash!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對spi nor flash的理解，并與今后在此搜索spi nor flash的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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