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清純半導體和微碧半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品

近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺，標志著(zhù)功率半導體技術(shù)在快充效率、高功率密度應用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數Rsp達到2.1 mΩ·cm2，處于國際領(lǐng)先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
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SiC為數據中心的冷卻風(fēng)扇提供高密度電源

碳化硅（SiC）正在接管電動(dòng)汽車(chē)中的三相牽引逆變器，將電池中的直流電轉換為用于控制電機的交流電。但是，由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開(kāi)關(guān)頻率，因此也適用于更緊湊的電動(dòng)機中的三相逆變器。其中包括數據中心的電子換向（EC）冷卻風(fēng)扇，這些風(fēng)扇消耗了更多的電力來(lái)運行 AI 訓練和推理，并在此過(guò)程中產(chǎn)生了更多的熱量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊（IPM），與 IGBT 相比，為這些冷卻風(fēng)扇帶來(lái)了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基
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SiC MOSFET如何提高AI數據中心的電源轉換能效

如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數據中心。我們對圖片、視頻和其他內容的無(wú)盡需求，正推動(dòng)著(zhù)數據中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導致數據中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，數據中心的耗電量將翻一番以上。這不僅增加了運營(yíng)成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎設施帶來(lái)了巨大的壓力，亟需大規模的投資升級。隨著(zhù)數據中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉換電力的功率半導體。這種需求的增長(cháng)一方面是為了降低運營(yíng)成本
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是什么讓SiC開(kāi)始流行？

碳化硅是一種眾所周知的堅硬和復雜的材料。用于制造 SiC 功率半導體的晶圓生產(chǎn)利用制造工藝、規格和設備的密集工程來(lái)實(shí)現商業(yè)質(zhì)量和成本效益。必要性與發(fā)明寬禁帶半導體正在改變電力電子領(lǐng)域的游戲規則，使系統級效率超越硅器件的實(shí)際限制，并帶來(lái)額外的技術(shù)特定優(yōu)勢。在碳化硅（SiC）的情況下，導熱性、耐溫能力和擊穿電壓與通道厚度的關(guān)系優(yōu)于硅，從而簡(jiǎn)化了系統設計并確保了更高的可靠性。由于它們的簡(jiǎn)單性，SiC 的孕育使二極管領(lǐng)先于 MOSFET 進(jìn)入市場(chǎng)?，F在，隨著(zhù)技術(shù)進(jìn)步收緊工藝控制、提高良率并
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英飛凌攜手Enphase通過(guò)600V CoolMOS? 8提升能效并降低MOSFET相關(guān)成本

Enphase Energy采用全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的?600 V CoolMOS? 8高壓超結（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，簡(jiǎn)化了系統設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽(yáng)能和電池系統的領(lǐng)先供應商。通過(guò)使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enphase顯著(zhù)降低了其太陽(yáng)能逆變器系統的?MOSFET?內阻（RDS(on)），進(jìn)而減
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SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結構詳解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應晶體管）在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關(guān)鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結構。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結型場(chǎng)效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著(zhù)的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱(chēng)為RDS.A）。為了實(shí)現最低的RDS.A，需要權衡的一點(diǎn)是其常開(kāi)特性，這意味著(zhù)如果沒(méi)有柵源電壓，或者JFET的柵
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET

Nexperia正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色，采用創(chuàng )新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準滿(mǎn)足了眾多高功率（工業(yè)）應用領(lǐng)域對分立式SiC MOSFET不斷增長(cháng)的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢，得以實(shí)現卓越的熱性
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第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過(guò)900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒(méi)有內建電勢，所以在低電流區域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時(shí)，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經(jīng)常以低于額定電流工作的應用，使用SiC
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第16講：SiC SBD的特性

SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統的損耗并顯著(zhù)提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車(chē)等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產(chǎn)品已廣泛產(chǎn)品化。SiC SBD的某些產(chǎn)品具有3300V的耐壓。半導體器件的擊穿電壓與半導體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而
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ROHM開(kāi)發(fā)出適用于A(yíng)I服務(wù)器等高性能服務(wù)器電源的MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開(kāi)發(fā)出實(shí)現了業(yè)界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產(chǎn)品共3款機型，包括非常適用于企業(yè)級高性能服務(wù)器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于A(yíng)I服務(wù)器48V系統電源的AC-DC轉換電路二次側的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。隨著(zhù)高級數據處理技術(shù)的進(jìn)步和數字化轉型的加速，
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東芝推出應用于工業(yè)設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅動(dòng)光電耦合器

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開(kāi)始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關(guān)閉時(shí)，米勒電流[1]可能會(huì )產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見(jiàn)的保護措施有，在柵極關(guān)閉時(shí)，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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速看！SiC JFET并聯(lián)設計白皮書(shū)完整版

隨著(zhù)Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來(lái)越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰讓工程師 “頭禿”！http://dyxdggzs.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來(lái)了！http://dyxdggzs.com/article/202503/467644.htm)中我們重點(diǎn)介紹了SiC JFET并聯(lián)設計的挑戰，本文將介紹演示和測試結果。演
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碳化硅與硅：為什么 SiC 是電力電子的未來(lái)

在這里，我們比較了碳化硅（SiC）與硅以及在汽車(chē)和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著(zhù)差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來(lái)。硅（Si）到碳化硅（SiC）：改變電力電子的未來(lái)電力電子技術(shù)在過(guò)去幾年中取得了前所未有的進(jìn)步。硅（Si）等傳統半導體材料一直主導著(zhù)電力電子和可再生能源行業(yè)。然而，碳化硅（SiC）的出現徹底改變了這一領(lǐng)域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無(wú)與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導體器件的下一代半導體材料。硅與
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800V與碳化硅成為新能源汽車(chē)電驅的新寵，器件性能與可靠性還有上升空間

1 我國能源汽車(chē)已突破1000萬(wàn)輛，今年將增長(cháng)24%據賽迪顧問(wèn) 2024 年 12 月發(fā)布的數據預測顯示，我國新能源汽車(chē)的新車(chē)全球市占率有望穩居七成以上，我國從汽車(chē)大國邁向汽車(chē)強國的步伐更加堅實(shí)。據中國汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì )的統計數據顯示，2024年我國汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)分別完成3128.2萬(wàn)輛和3143.6萬(wàn)輛，同比分別增長(cháng)3.7％和4.5％，繼續保持在3000萬(wàn)輛以上規模，產(chǎn)銷(xiāo)總量連續16年穩居全球第一。其中，新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)首次突破1000萬(wàn)輛，分別達到1288.8萬(wàn)輛和1286.6萬(wàn)輛，同比分別增長(cháng)34.4％和35.5
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格力：SiC工廠(chǎng)整套環(huán)境設備均為自主制造

自央視頻官方獲悉，格力電器董事長(cháng)董明珠在紀錄片中，再次回應外界對格力造芯片質(zhì)疑，并談到了格力建設的芯片工廠(chǎng)，直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示，造芯片不是格力電器孤勇地冒險，是作為中國制造企業(yè)的責任與擔當。格力做了亞洲第一座全自動(dòng)化的碳化硅工廠(chǎng)，整個(gè)芯片的制造過(guò)程是自己完成的。而在芯片工廠(chǎng)制造的過(guò)程中，格力解決了一個(gè)最大的問(wèn)題?！皞鹘y的芯片工廠(chǎng)用的環(huán)境設備都是進(jìn)口的，比如恒溫狀態(tài)，而這正好是格力強項。所以我們自主制造了整套系統的環(huán)境設備，要比傳統的降溫模式更節能，而這可以降低企業(yè)的成本?！倍髦橐?/li>
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