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業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱(chēng)瞬態(tài)抑制二極管系列

Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出SMFA非對稱(chēng)系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場(chǎng)上首款非對稱(chēng)瞬態(tài)抑制解決方案，專(zhuān)為保護碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過(guò)壓事件影響而設計。與傳統的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)速度更快、效率更高，因此越來(lái)越受到歡迎，對穩健柵極保護的需求也越來(lái)越大。SMFA非對稱(chēng)系列提供了一種創(chuàng )新的單元件解決方案，在簡(jiǎn)化設計的同時(shí)顯著(zhù)提高了電路的可靠性。SMFA非對稱(chēng)系列是市場(chǎng)
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進(jìn)擊的中國碳化硅

中國碳化硅廠(chǎng)商把價(jià)格打下來(lái)了。
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全球有多少個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠(chǎng)？

全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠(chǎng)布局。
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利用SiC模塊進(jìn)行電動(dòng)壓縮機設計要點(diǎn)

壓縮機是汽車(chē)空調的一部分，它通過(guò)將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節流閥和蒸發(fā)器換熱，實(shí)現車(chē)內外的冷熱交換。傳統燃油車(chē)以發(fā)動(dòng)機為動(dòng)力，通過(guò)皮帶帶動(dòng)壓縮機轉動(dòng)。而新能源汽車(chē)脫離了發(fā)動(dòng)機，以電池為動(dòng)力，通過(guò)逆變電路驅動(dòng)無(wú)刷直流電機，從而帶動(dòng)壓縮機轉動(dòng)，實(shí)現空調的冷熱交換功能。電動(dòng)壓縮機是電動(dòng)汽車(chē)熱管理的核心部件，除了可以提高車(chē)廂內的環(huán)境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅動(dòng)系統的溫度控制發(fā)揮著(zhù)重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續航里程都至關(guān)重要。圖1.電動(dòng)壓縮機是電動(dòng)汽車(chē)熱管理的核心部件電動(dòng)壓縮機需
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意法半導體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世！為下一代電動(dòng)汽車(chē)電驅逆變器量身定制

意法半導體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標桿。在滿(mǎn)足汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí)，意法半導體還針對電動(dòng)汽車(chē)電驅系統的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng )新成果，履行創(chuàng )新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體承諾為市場(chǎng)提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)的未來(lái)發(fā)展。我們將繼續在器
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東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線(xiàn)增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設備實(shí)現高效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線(xiàn)中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電站和開(kāi)關(guān)電源等工業(yè)設備降低功耗。東芝現已開(kāi)始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結勢壘肖特基（JBS）結構[1]。在結勢壘中使用新型金屬，有
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【測試案例分享】如何評估熱載流子引導的MOSFET衰退

隨著(zhù)MOSFET柵極長(cháng)度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問(wèn)題之一。在熱載流子效應中，載流子被通道電場(chǎng)加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會(huì )引起測量器件參數的時(shí)間相關(guān)位移，例如閾值電壓?(VTH)、跨導 (GM)以及線(xiàn)性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著(zhù)時(shí)間的推移，可能會(huì )發(fā)生實(shí)質(zhì)性的器件參數退化，從而導致器件失效。用于測量HCI的儀器必須提供以下三個(gè)關(guān)鍵功能：自動(dòng)提取設備參數創(chuàng )建具有各種應力時(shí)間的應力測量序列輕松導出測量數據進(jìn)行高級分析本文說(shuō)明描述了如何在Kei
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Littelfuse推出高頻應用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動(dòng)器

芝加哥，2024年9月19日--Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動(dòng)器。這些柵極驅動(dòng)器專(zhuān)為驅動(dòng)MOSFET而設計，通過(guò)增加其余兩個(gè)邏輯輸入版本完善了現有的IX434x驅動(dòng)器系列。IX434x系列現在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本，為客戶(hù)提供了全面的選擇。IX4341和IX4342驅動(dòng)器具有16納秒的短傳播延遲時(shí)間和7納秒的短暫
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第4講：SiC的物理特性

與Si材料相比，SiC半導體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場(chǎng)強度高、耐高溫、熱傳導性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見(jiàn)表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場(chǎng)強度，可實(shí)現高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外，由
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第5講：SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類(lèi)缺陷的構成和生長(cháng)機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會(huì )影響器件的特性。SiC缺陷的主要類(lèi)型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯（SF）、以及刃位錯（TED）、螺旋位錯（TSD）、基面位錯（BPD）和這些復合體的混合位錯。就密度而言，最近質(zhì)量相對較好的SiC晶體中，微管是1?10個(gè)/cm2，位錯的密度約為103～10?長(cháng)達個(gè)/cm2。至今，與Si相
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高壓柵極驅動(dòng)器的功率耗散和散熱分析，一文get√

高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器，可能會(huì )產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認驅動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結溫，確保器件在可接受的溫度范圍內工作。高壓柵極驅動(dòng)集成電路（HVIC）是專(zhuān)為半橋開(kāi)關(guān)應用設計的高邊和低邊柵極驅動(dòng)集成電路，驅動(dòng)高壓、高速MOSFET 而設計?！陡邏簴艠O驅動(dòng)器的功率耗散和散熱分析》白皮書(shū)從靜態(tài)功率損耗分析、動(dòng)態(tài)功率損耗分析、柵極驅動(dòng)損耗分析等方面進(jìn)行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉換器和輸出驅動(dòng)級。柵極驅動(dòng)器損耗
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 柵極驅動(dòng)器功率耗散

6.6 kW車(chē)載電動(dòng)汽車(chē)充電器設計

我們采用單全橋LLC拓撲結構，以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390（U60）是一種電流模式高級LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設備。如果您在網(wǎng)站上找不到該設備，可以參考FAN7688的說(shuō)明。有關(guān)該零件的更多詳細信息，請參閱數據表和應用說(shuō)明。由于輸出電壓高（250?450 Vdc），同步整流器對整流器的幫助不大傳導損失。因此，我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅動(dòng)器。
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我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱(chēng)國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現我國在該領(lǐng)域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結構和溝槽結構兩種結構，目前業(yè)內應用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
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國家隊加持，芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破

據南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新中心（南京）歷時(shí)4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。公開(kāi)資料顯示，碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結構和溝槽結構兩種結構。目前業(yè)內應用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結構的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點(diǎn)是當電流被
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羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應用于吉利集團電動(dòng)汽車(chē)品牌“極氪”3種主力車(chē)型

8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開(kāi)賽新聞發(fā)布會(huì )成功召開(kāi)。發(fā)布會(huì )上，賽事組委會(huì )發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開(kāi)賽標志、賽事獎牌等相關(guān)內容。武漢市體育局黨組成員、副局長(cháng)洪旭艷，江夏區人民政府黨組成員、副區長(cháng)梁爽出席此次發(fā)布會(huì )；武漢市社會(huì )體育指導中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區文化和旅游局（體育局）局長(cháng)繆璐進(jìn)行江夏區文旅推介，向社會(huì )各界發(fā)出“跟著(zhù)賽事游江夏”的邀
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