英飛凌攜手Enphase通過(guò)600V CoolMOS? 8提升能效并降低MOSFET相關(guān)成本

Enphase Energy采用全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司的 600 V CoolMOS? 8高壓超結（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，簡(jiǎn)化了系統設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽(yáng)能和電池系統的領(lǐng)先供應商。通過(guò)使用600V CoolMOS? 8 SJ，Enphase顯著(zhù)降低了其太陽(yáng)能逆變器系統的 MOSFET 內阻（R_DS(on)），進(jìn)而減少了導通損耗，提高了整體設備效率和電流密度，而且還節省了與MOSFET相關(guān)的成本。

英飛凌科技高級副總裁兼總經(jīng)理Richard Kuncic表示：“我們很高興與Enphase合作，支持他們致力于完成提供創(chuàng )新太陽(yáng)能解決方案的使命。英飛凌的600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET專(zhuān)為以極低成本提供卓越的效率和可靠性而設計，這與Enphase和英飛凌通過(guò)提高可再生能源技術(shù)的性能和經(jīng)濟性的承諾相吻合，從而進(jìn)一步推動(dòng)低碳化?！?/p>

采用TOLL封裝的CoolMOS? 8

Enphase Energy高級副總裁兼系統業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Aaron Gordon表示：“通過(guò)與英飛凌合作，Enphase利用CoolMOS? 8 SJ MOSFET技術(shù)提高了自身微型逆變器系統的性能和經(jīng)濟性。該合作展現了我們在太陽(yáng)能行業(yè)追求創(chuàng )新與卓越的決心。我們很高興能以極低的成本為客戶(hù)大幅提升電流功率密度?！?/p>

英飛凌最新推出的600 V CoolMOS? 8 MOFET在全球高壓超結MOSFET技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，為全球樹(shù)立了技術(shù)和性?xún)r(jià)比的標準。該技術(shù)提高了充電器和適配器、太陽(yáng)能和儲能系統、電動(dòng)汽車(chē)充電和不間斷電源（UPS） 等應用的整體系統性能，進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化。

CoolMOS? 8 SJ MOSFET 的柵極電荷較CFD7降低了18%，較P7系列降低了33%。柵極電荷的降低減少了MOSFET 的柵極從關(guān)斷狀態(tài)（非導通）切換到導通狀態(tài)（導通）所需的電荷，使系統更加節能。此外，CoolMOS? 8 SJ MOSFET擁有更快的關(guān)斷時(shí)間，其熱性能較上一代產(chǎn)品提高了14%至42%。該產(chǎn)品集成快速體二極管，并提供SMD-QDPAK、TOLL和Thin-TOLL 8x8封裝，適用于各種消費和工業(yè)應用。

供貨情況

600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 和 650 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET樣品將從四月初開(kāi)始供應。