ROHM開(kāi)發(fā)出適用于A(yíng)I服務(wù)器等高性能服務(wù)器電源的MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開(kāi)發(fā)出實(shí)現了業(yè)界超低導通電阻^*1和超寬SOA范圍^*2的Nch功率MOSFET^*3。

新產(chǎn)品共3款機型，包括非常適用于企業(yè)級高性能服務(wù)器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器（HSC）^*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務(wù)器48V系統電源的AC-DC轉換電路二次側的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。

隨著(zhù)高級數據處理技術(shù)的進(jìn)步和數字化轉型的加速，對支撐數據中心的服務(wù)器的需求不斷增加。此外，對具有高級計算能力的AI處理服務(wù)器的需求也呈增長(cháng)趨勢，預計未來(lái)將會(huì )持續增長(cháng)。由于這些服務(wù)器需要24小時(shí)不間斷運轉（始終通電），因此電源單元中使用的多個(gè)MOSFET的導通電阻造成的導通損耗，會(huì )對系統整體性能和能效產(chǎn)生很大影響。特別是在A(yíng)C-DC轉換電路中，其導通損耗占比較高，因此需要使用導通電阻低的MOSFET。另外，服務(wù)器配備了熱插拔功能，可以在通電狀態(tài)下更換和維護內部的板卡和存儲設備，在更換等情況下，服務(wù)器內部會(huì )產(chǎn)生較大的浪涌電流^*5。因此，更大的安全工作區范圍（寬SOA范圍）對于保護服務(wù)器內部和MOSFET而言至關(guān)重要。對此，ROHM新開(kāi)發(fā)出一種DFN5060-8S封裝，與以往封裝形式相比，封裝內部的芯片可用面積增加，從而開(kāi)發(fā)出實(shí)現業(yè)界超低導通電阻和寬SOA范圍的功率MOSFET。新產(chǎn)品非常有助于提高服務(wù)器電源電路的效率和可靠性。

新產(chǎn)品均采用新開(kāi)發(fā)的DFN5060-8S（5.0mm×6.0mm）封裝，與以往的HSOP8（5.0mm×6.0mm）封裝相比，封裝內的芯片可用面積增加了約65%。這使得新產(chǎn)品能夠以5.0mm×6.0mm的封裝尺寸實(shí)現業(yè)界超低導通電阻，30V產(chǎn)品“RS7E200BG”的導通電阻僅為0.53mΩ（Typ.），80V產(chǎn)品“RS7N200BH”僅為1.7mΩ（Typ.），非常有助于提高服務(wù)器電源電路的效率。

另外，通過(guò)優(yōu)化封裝內部的夾片形狀設計，提高了散熱性能，同時(shí)提高了有助于確保應用產(chǎn)品可靠性的SOA范圍。尤其是30V產(chǎn)品“RS7E200BG”，其SOA范圍達70A以上（條件：脈沖寬度=1ms、V_DS=12V時(shí)），與以往的HSOP8封裝產(chǎn)品相比，在相同條件下SOA范圍提高了一倍，從而以5.0mm×6.0mm的封裝尺寸實(shí)現了業(yè)界超高的SOA范圍。

新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規模投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格：710日元/個(gè)，不含稅）。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠(chǎng)），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國）。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商進(jìn)行銷(xiāo)售，通過(guò)Oneyac、Sekorm等電商平臺均可購買(mǎi)。

ROHM計劃在2025年內逐步實(shí)現也支持AI服務(wù)器熱插拔控制器電路應用的功率MOSFET的量產(chǎn)。未來(lái)，ROHM將繼續擴大相關(guān)產(chǎn)品陣容，為應用產(chǎn)品的高效運行和可靠性提升貢獻力量。

＜產(chǎn)品陣容＞

＜關(guān)于EcoMOS?品牌＞

EcoMOS?是ROHM開(kāi)發(fā)的Si功率MOSFET品牌，非常適用于功率元器件領(lǐng)域對節能要求高的應用。EcoMOS?產(chǎn)品陣容豐富，已被廣泛用于家用電器、工業(yè)設備和車(chē)載等領(lǐng)域?？蛻?hù)可根據應用需求，通過(guò)噪聲性能和開(kāi)關(guān)性能等各種參數從產(chǎn)品陣容中選擇產(chǎn)品。

?EcoMOS?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

＜應用示例＞

●   企業(yè)級高性能服務(wù)器12V系統電源的AC-DC轉換電路和HSC電路

●   AI（人工智能）服務(wù)器48V系統電源的AC-DC轉換電路

●   工業(yè)設備48V系統電源（風(fēng)扇電機等）

＜電商銷(xiāo)售信息＞

開(kāi)始銷(xiāo)售時(shí)間：2025年2月起

電商平臺：Oneyac、Sekorm

新產(chǎn)品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

產(chǎn)品型號：RS7E200BG、RS7N200BH、RS7N160BH

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

*1）導通電阻（RDS(on)）

MOSFET啟動(dòng)時(shí)漏極與源極之間的電阻值。該值越小，運行時(shí)的損耗（電力損耗）越少。

*2）SOA（Safe Operating Area）范圍

元器件不損壞且可安全工作的電壓和電流范圍。超出該安全工作區工作可能會(huì )導致熱失控或損壞，特別是在會(huì )發(fā)生浪涌電流和過(guò)電流的應用中，需要考慮SOA范圍。

*3）功率MOSFET

適用于功率轉換和開(kāi)關(guān)應用的一種MOSFET。目前，通過(guò)給柵極施加相對于源極的正電壓而導通的Nch MOSFET是主流產(chǎn)品，相比Pch MOSFET，具有導通電阻小、效率高的特點(diǎn)。因其可實(shí)現低損耗和高速開(kāi)關(guān)而被廣泛用于電源電路、電機驅動(dòng)電路和逆變器等應用。

*4）熱插拔控制器（HSC：Hot Swap Controller）

可在設備的供電系統運轉狀態(tài)下插入或拆卸元器件的、具有熱插拔功能的專(zhuān)用IC（集成電路），發(fā)揮著(zhù)控制插入元器件時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流，并保護系統和所連接元器件的重要作用。

*5）浪涌電流（Inrush Current）

在電子設備接通電源時(shí)，瞬間流過(guò)的超過(guò)額定電流值的大電流。因其會(huì )給電源電路中的元器件造成負荷，所以通過(guò)控制浪涌電流，可防止設備損壞并提高系統穩定性。