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sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區
英飛凌為汽車(chē)應用推出業(yè)內導通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7
- 英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進(jìn)功率MOSFET?技術(shù)——?OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著(zhù)提高，和采用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的?48 V板網(wǎng)應用。它專(zhuān)為滿(mǎn)足高要求汽車(chē)應用所需的高性能、高質(zhì)量和穩健性而打造，包括電動(dòng)汽車(chē)的汽車(chē)直流-直流轉換器、48 V電機控制（例如電動(dòng)助力轉向系統（EPS））、48 V電池開(kāi)關(guān)以及電動(dòng)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET OptiMOS
P溝道功率MOSFETs及其應用領(lǐng)域
- Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統的應用范圍也較有限，然而，隨著(zhù)低壓（LV）應用需求的增加，P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側（HS）應用P溝道的簡(jiǎn)易性使其對低壓變換器（<120 V）和非隔離的負載點(diǎn)更具吸引力。因為無(wú)需電荷泵或額外的電壓源，高端側（HS）P溝道MOSFET易于驅動(dòng)，具有設計簡(jiǎn)單、節省空間，零件數量少等特點(diǎn)，提升了成本效率。本文通過(guò)對N 溝道和P溝道MOSFETs進(jìn)行比較，介紹Littelfuse P溝道功率
- 關(guān)鍵字： 202404 P溝道功率MOSFET MOSFET
高壓功率器件設計挑戰如何破？
- 不斷提升能效的需求影響著(zhù)汽車(chē)和可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域的電子應用設計。對于電動(dòng)汽車(chē) (EV) 而言，更高效率意味著(zhù)更遠的續航里程；而在可再生能源領(lǐng)域，發(fā)電效率更高代表著(zhù)能夠更充分地將太陽(yáng)能或風(fēng)能轉換為電能。圖1.在電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源領(lǐng)域，對更高效率的不懈追求正推動(dòng)著(zhù)設計向前發(fā)展這兩大領(lǐng)域都廣泛采用開(kāi)關(guān)電子器件，因而又催生了更高電壓器件的需求。電壓和效率之間的關(guān)系遵循歐姆定律，也就是說(shuō)電路中產(chǎn)生的功耗或損耗與電流的平方成正比。同理，當電壓加倍時(shí)，電路中的電流會(huì )減半，因而損耗會(huì )降到四分之一。根據這個(gè)原理，為了減
- 關(guān)鍵字： 高電壓 高電壓 轉換器 逆變器 MOSFET 電力電子 EliteSiC
一鍵解鎖熱泵系統解決方案
- 熱泵是一種經(jīng)過(guò)驗證的、提供安全且可持續供暖的技術(shù)，其滿(mǎn)足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續供暖的核心技術(shù)。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時(shí)滿(mǎn)足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實(shí)用的水平，因此在節能方面具有巨大的潛力。系統目標熱泵的原理與制冷類(lèi)似，其大部分技術(shù)基于冰箱的設計。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來(lái)完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關(guān)注以及應對氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
- 關(guān)鍵字： 熱泵 供暖 IPM MOSFET IGBT
意法半導體隔離柵極驅動(dòng)器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應用伴侶
- 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。這些驅動(dòng)器具有集成的高壓半橋、單個(gè)和多個(gè)低壓柵極驅動(dòng)器，非常適合各種應用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅動(dòng)器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅動(dòng)的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無(wú)縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅動(dòng)器對于實(shí)現最佳功率轉換效率非常重要。隨著(zhù)SiC技術(shù)得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時(shí)候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅
- 關(guān)鍵字： STGAP MOSFET IGBT 驅動(dòng)器 電氣隔離
通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)
- 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實(shí)是相當容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān)，它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān)，晶體管類(lèi)似于繼電器，因為你可以用它來(lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開(kāi)，這對于放大器的設計很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
- 關(guān)鍵字： 晶體管 BJT MOSFET
全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析
- 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開(kāi)關(guān)。M3S 系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統中的高功率應用進(jìn)行了優(yōu)化，如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車(chē)充電樁等。幫助開(kāi)發(fā)者提高開(kāi)關(guān)頻率和系統效率。本應用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著(zhù)性能提升，以及一些實(shí)用設計技巧。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
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SiC邁入8英寸時(shí)代，國際大廠(chǎng)量產(chǎn)前夕國內廠(chǎng)商風(fēng)口狂追
- 近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現新進(jìn)展。從國內外第三代化合物進(jìn)展看，目前在碳化硅領(lǐng)域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國產(chǎn)廠(chǎng)商方面則有更多廠(chǎng)家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟，下文將進(jìn)一步說(shuō)明最新情況。SiC/GaN 3個(gè)項目最新動(dòng)態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠(chǎng)或將延遲至明年建設近日，據外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠(chǎng)建設計劃或被推遲，最早將于2025年開(kāi)始。據悉，該工廠(chǎng)由Wolfsp
- 關(guān)鍵字： SiC 8英寸
Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程封頂
- 3月28日消息，當地時(shí)間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠(chǎng)——8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程舉行了封頂儀式。據了解，該工廠(chǎng)位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠(chǎng)已有一些長(cháng)晶爐設備進(jìn)場(chǎng)，預計2024年底將完成一期工程建設，2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn)，預計竣工達產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶(hù)協(xié)議，查塔姆工廠(chǎng)的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞薩 英飛凌
近年來(lái)對碳化硅（SiC）襯底需求的持續激增
- 隨著(zhù)近年來(lái)對碳化硅（SiC）襯底需求的持續激增，市場(chǎng)研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來(lái)越高，因為最終產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個(gè)成本結構的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢，大尺寸襯底逐漸開(kāi)始被采用，市場(chǎng)對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍半導體計算，從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時(shí)，8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片，從而減少邊緣浪
- 關(guān)鍵字： SiC 碳化硅
如何通過(guò)SiC增強電池儲能系統？
- 電池可以用來(lái)儲存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實(shí)施概覽BESS 的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶(hù)曉的電化學(xué)儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC 電池儲能
SiC是如何「拯救」降價(jià)車(chē)企的？
- 進(jìn)入 2024 年，10 多家車(chē)企紛紛宣布降價(jià)。車(chē)企給供應商的降價(jià)壓力更大，普遍要求降價(jià) 20%，過(guò)去一般是每年降 3%-5%。有觀(guān)點(diǎn)認為，車(chē)市降價(jià)是由于新技術(shù)帶來(lái)的成本下降，但從大背景來(lái)看，2 月銷(xiāo)量下滑，或是更多企業(yè)加入價(jià)格戰的不得已選擇。但從另一個(gè)角度來(lái)看，成本的下降確實(shí)會(huì )緩解降價(jià)的壓力，SiC（碳化硅）會(huì )不會(huì )是出路呢？降價(jià)風(fēng)波始末2 月 19 日，可以說(shuō)是一切的開(kāi)始。降價(jià)潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節假期結束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車(chē)型的
- 關(guān)鍵字： SiC
英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹(shù)立行業(yè)新標準
- 英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機驅動(dòng)應用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車(chē)、微型電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)叉車(chē)等應用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲能系統（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應用。此外，憑借寬安全工作區（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 OptiMOS MOSFET
英飛凌推出OptiMOS? 6200V MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機驅動(dòng)應用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車(chē)、微型電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)叉車(chē)等應用提供出色的性能。新MOSFET產(chǎn)品的導通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲能系統（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應用。此外，憑借寬安全工作區（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)
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